?
SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов
С. 320–326.
Петросянц К. О., Кожухов М. В.
В работе исследуется воздействие нейтронного и γ-излучения на характеристики Si БТ и SiGe ГБТ. Представлены SPICE-макромодели, учитывающие влияние нейтронного и γ-излучения на характеристики Si БТ и SiGe ГБТ. Показано что результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментом.
Yastrebinsky R. N., Bondarenko G.G., Pavlenko V. I. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2024 Vol. 15 No. 2 P. 319–327
Добавлено: 25 мая 2024 г.
Полесский С. Н., Сетдиков Р. М., Тув А. Л. и др., В кн.: Электронные средства и системы управления: материалы докладов XIХ Международной научно-практической конференции, 15–17 ноября 2023 г. В 2 частях, часть 1.Ч. 1.: Томск: В-Спектр, 2023. С. 128–131.
Спектрометры гамма-излучения – это устройства, предназначенные для измерения энергии и интенсивности
гамма-квантов в различных образцах веществ или материалов. Они используются во многих областях науки и
техники, включая ядерную физику, медицинскую диагностику, радиохимические исследования и контроль за
безопасностью окружающей среды. Рассматриваются конструкция спектрометра гамма-излучения и его принцип работы. Также обсуждается возможность его дальнейшего развития и совершенствования. ...
Добавлено: 26 февраля 2024 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. и др., Наноиндустрия 2023 Т. 16 № S9-1(119) С. 179–188
Описан программно-аппаратный комплекс для исследования характеристик и определения параметров SPICE-моделей полупроводниковых приборов и компонентов ИС/БИС, работающих в условиях воздействия различных видов радиации и температуры в сверхшироком диапазоне. ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
Ястребинский Р. Н., Бондаренко Г. Г., Карнаухов А. А. и др., Перспективные материалы 2022 № 6 С. 25–36
В работе представлены расчётные данные по сравнительной оценке радиационно-защитных свойств материалов на основе гидрида титана, полученные методом многогруппового моделирования защиты от нейтронного и гамма излучения. Рассмотрено два типа композиций за стальным корпусом реактора и свинцовой защитой. Показано, что гамма-излучение за защитой из гидрида титана формируется захватным излучением, возникающим в начальных слоях защиты. Вторичное гамма-излучение, образующееся ...
Добавлено: 27 августа 2022 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Gribkov V. A., Borovitskaya I. V., Demin A. S. и др., Instruments and Experimental Techniques 2020 Vol. 63 No. 1 P. 68–76
Добавлено: 17 февраля 2020 г.
Попов Д. А., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 270–277.
Разработана TCAD RAD-THERM библиотека физических моделей, учитывающих воздействие радиационных (нейтронного, протонного и гамма излучения) и температурных (зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, легирования и толщины слоя кремния) эффектов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными, погрешность не превышает 15%-20%. ...
Добавлено: 19 ноября 2019 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 82–83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Добавлено: 22 октября 2018 г.
, M.V. Kozhukhov, , in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base* Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M.: ., 2017. Ch. 1 P. 2–10.
Представлены новые приборно-технологические и схемотехнические модели кремниевых и кремний германиевых биполярных транзисторов, учитывающие влияние облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами. Рассмотрена возможность скозного TCAD и SPICE моделирования в рамках проектирования радиационно-стойких интегральных схем. Моделировался полный набор I-V, C-V, fT, fmax характеристик БТ / ГБТ до и после облучения. Результаты TCAD моделирования использовались в качестве входных данных для ...
Добавлено: 25 октября 2017 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282–283.
Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262–263.
Представлена структура и состав частей программно-аппаратного комплекса для экстракции параметров SPICE‑моделей МОП‑транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения. Приведены результаты использования разработанного комплекса при формировании SPICE-модели реального МОП-транзистора. Приведена оценка погрешности моделирования статических вольт-амперных характеристик с использованием сформированной модели. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280–281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-программного комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Бондаренко Г. Г., Любимов Д. Ю., Булатов Г. С. и др., В кн.: Труды XXVII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь,10-15 июля 2017 г.), под редакцией д.ф.-м.н., проф.Бондаренко Г.Г. М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2017, 522 с.: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2017. С. 479–484.
В работе выполнены исследования по влиянию бета-распада металлических продуктов деления на состав облученного быстрыми нейтронами уран-плутониевого нитрида. ...
Добавлено: 22 августа 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 424–431.
В работе рассмотрены физические модели Synopsys TCAD для моделирования МОП-транзисторов с high-k диэлектриком. В описание модели туннелирования и радиационной модели внесены изменения, позволившие достичь хорошей сходимости с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.
В данной работе описаны особенности процедуры измерения электрических характеристик и определения параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов различного типа в диапазоне изменения температуры от минус 60 °C до +125 °C, что проиллюстрировано на примере отечественного дискретного биполярного транзистора из состава транзисторной матрицы 1НТ251А. Подробная пошаговая полуавтоматизированная процедура экстракции параметров была реализована с использованием автоматизированного комплекса IC‑CAP. ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
М.: НИЦ «Курчатовский институт», 2015.
Сборник содержит аннотации докладов, преставленных участниками национальной молодежной научной школы для молодых ученых, аспирантов и студентов по современным методам исследований наносистем и материалов "Синхротронные и нейтронные исследования". Материалы представлены в авторской редакции. ...
Добавлено: 13 июля 2015 г.
Зыбин К. П., Gurevich A. V., Chubenko A. P. и др., Physics Letters A 2011 Vol. 375 No. 45 P. 4003–4006
Добавлено: 20 октября 2014 г.
Схемотехническая SPICE-модель биполярного транзистора, учиты-вающая влияние различных видов радиации
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments IIIТ. 3. Вып. III.: CreateSpace, 2014. С. 23–26.
Представлена SPICE‑макромодели биполярного транзистора, учитывающей изменение входных и выходных характеристик Si БТ и SiGe ГБТ в результате воздействия различных видов радиации. Представлены результаты схемотехнического моделирования, которые совпадают с экспериментальными данными с точностью 10-15%. ...
Добавлено: 3 июня 2014 г.
Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О. и др., В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013).: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 274–276.
В работе приведены результаты применения комплекса, состоящего из автоматизированных измерительных приборов и программной части, для создания и отладки схемотехнических моделей электронных компонентов с учетом влияния температуры. Приведены примеры применения комплекса для создания схемотехнических моделей биполярных и МОП транзисторов в диапазоне температур от -60оС до +120оС.инфорсма ...
Добавлено: 11 ноября 2013 г.