?
Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 4. С. 32–35.
Минтаиров С. А., С.А. Блохин, Калюжный Н. А., М.В. Максимов, Малеев Н. А., А.М. Надточий, Салий Р. А., Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков
Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе наноструктур InGaAs/GaAs квантовые ямы-
точки. Продемонстрирована полоса пропускания 8.2GHz по уровню −3 dB на длине волны 905 nm. Пока-
зано, что скорость внутренних процессов в исследуемых наноструктурах позволяет создавать фотодетекторы
с полосой пропускания до 12.5GHz, а процессы термического выброса носителей из слоев квантовых ям-
точек не ограничивают быстродействие при обратных смещениях более 5V.
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Павлова Т. В., V.M. Shevlyuga (Шевлюга В. М., Applied Surface Science 2026 Vol. 736 P. 166813–166813
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Pasternak D., Romshin A., Khmelnitsky Р. и др., Carbon 2026 Vol. 256 Article 121655
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Смирнов А. М., Mantsevich V. N., Saitov S. R. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 Article 185702
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30
Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...
Добавлено: 18 мая 2026 г.
The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Дас А., Paul R., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 P. 138830
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Колоколов И. В., Лебедев В. В., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 Article 054117
Добавлено: 15 мая 2026 г.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Гущина В. А., Physics of Complex Systems, Russia 2026 Vol. 7 No. 1 P. 3–15
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
-, 2025.
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Roghani H., Borhani E., Jafarian H. R. и др., Wear 2023 Vol. 526-527 Article 204895
Добавлено: 18 февраля 2025 г.
Arbenin A. Y., Petrov A. A., Nazarov D. V. и др., Procedia Structural Integrity 2023 Vol. 50 P. 27–32
Добавлено: 30 января 2025 г.
Mitin D. M., Pavlov A., Fedorov F. S. и др., Sensors and Actuators, B: Chemical 2024 Vol. 417 Article 136095
Добавлено: 30 января 2025 г.
Tang J., Xia Z., Bin Q. и др., Optica 2024 Vol. 11 No. 8 P. 1103–1112
Добавлено: 8 ноября 2024 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Polynskaya Y., Sinitsa A., Vyrko S. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2023 Vol. 148 P. 1–7
Добавлено: 23 августа 2023 г.
Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Махов И. С. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 3 С. 202–206
Исследованы статические и динамические характеристики волноводных фотодетекторов c поглощающей областью на основе InGaAs/GaAs квантовых ям-точек при комнатной температуре. Спектральная полоса поглощения InGaAs/GaAs квантовых ям-точек лежит в диапазоне от 900 до 1100 нм. Фотодетектороы полосковой формы имеют ширину 50 мкм и длину поглощающей области от 92 мкм до 400 мкм. Получено низкое значение плотности темнового тока ...
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260–264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Springer, 2022.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.