Исследование p-i-n-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек

Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 3. С. 202–206.

Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Махов И. С., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Фоминых Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В., Жуков А. Е.

Исследованы статические и динамические характеристики волноводных фотодетекторов c поглощающей областью на основе InGaAs/GaAs квантовых ям-точек при комнатной температуре. Спектральная полоса поглощения InGaAs/GaAs квантовых ям-точек лежит в диапазоне от 900 до 1100 нм. Фотодетектороы полосковой формы имеют ширину 50 мкм и длину поглощающей области от 92 мкм до 400 мкм. Получено низкое значение плотности темнового тока (1.1 и 22 мкА/см2 при -1 и -20 В, соответственно) и предельное быстродействие 5,6 ГГц, ограниченное постоянной времени паразитной эквивалентной электрической RC-цепочки.

Ключевые слова: быстродействие, квантовые точки, quantum dots, high speed performance, photodetector, фотодетектор

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование характеристик микро- и нанолазеров на основе полупроводниковых гетероструктур А3В5 различной квантовой размерности (2023)