• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Найдено 37 публикаций
Сортировка:
по названию
по году
Статья
Ионов А. М., Божко С. И., Левченко Е. А. и др. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 107. № 12. С. 805-809.

В приближении теории функционала плотности проведены исследования кристаллической структу-ры поверхности Sb(111). Показано, что в результате разрывасдвоенных атомных слоев на поверхностиформируется дефектная приповерхностная область толщиной6–8 атомных слоев, подобная топологиче-скому солитону в углеводородных одномерных цепочках. Образование дефектного слоя обсуждается врамках SSH модели с точки зрения локального нарушения условий пайерлсовского перехода

Добавлено: 10 декабря 2020
Статья
Koltsov S., Gall L., Gall N. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 3. P. 227-229.

Applicability limits of the particle-in-сell (PIC) method for the calculation of jet gasdynamic flows under conditions of pressure variations by four or five orders of magnitude are studied. Three approaches permitting one to determine real limits of the model adequacy from the side of low pressures are considered. Based on the analysis of the results, it is shown that the PIC method adequately operates in the pressure range of 5–105 Pa in spite of the fact that, formally, the PIC method can operate also at lower pressures.

Добавлено: 6 июля 2016
Статья
Кольцов С. Н., Николенко С. И., Кольцова Е. Ю. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 8. С. 837-839.

Предлагается новая вариация метода восстановления плотности распределе- ний вероятностей для задач тематического моделирования. Рассматриваются недостатки алгоритма сэмплирования по Гиббсу и предлагается его модифицированный вариант — гранулированный метод сэмплирования. На основе статистического моделирования показано, что предлагаемый алгоритм является более стабильным по сравнению с двумя другими вариантами алгоритма сэмплирования.

Добавлено: 26 июля 2016
Статья
Малеев Н., Васильев А., Кузьменков А. и др. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 21. С. 29-33.

Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 mS/mm, максимальную плотность тока стока 460 mA/mm и пробивное напряжение затвор-сток 8-10 V. Предельная частота усиления транзисторов по току превышает 115 GHz. Благодаря увеличенному пробивному напряжению и технологии формирования двойной затворной канавки методом селективного травления разработанные транзисторы перспективны для использования в монолитных интегральных схемах усилителей средней мощности миллиметрового диапазона. Ключевые слова: транзистор, HEMT, InP, пробивное напряжение, миллиметровый диапазон.

Добавлено: 8 декабря 2020
Статья
Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A. et al. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. P. 515-519.
Добавлено: 29 сентября 2020
Статья
Tret’yakov I., Kaurova N., Voronov B. et al. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 6. P. 563-566.
Добавлено: 20 октября 2016
Статья
Kostromin S., Malov V. V., Tameev A. et al. Technical Physics Letters. 2017. Vol. 43. No. 2. P. 173-176.

Изготовлены органические фотовольтаические ячейки с объемным гетеропереходом, в которых в качестве фотоактивного слоя использованы смеси сополимера битиофена или ротаксана на его основе с производным фуллерена РС70ВМ. Определена подвижность носителей заряда в слоях смесей, измерены вольт-амперные характеристики фотовольтаических ячеек и построена диаграмма энергетических уровней компонентов ячейки. Установлено, что компонент полиротаксана−макроцикл−изолирует часть тиофеновых участков макромолекулы, затрудняя транспорт носителей заряда и вызывая большие потери энергии при диссоциации экситонов, и, как следствие, снижая фотовольтаический эффект.

Добавлено: 7 октября 2017
Статья
Елизаров А. А., Пчельников Ю. Н., Шаймарданов Р. В. Письма в Журнал технической физики. 2017. Т. 43. № 24. С. 59-64.

Проведен анализ взаимодействия электромагнитной волны в замедляющей системе типа «металлический ребристый стержень» с внешним кольцевым электронным потоком. Найдены выражения для эквивалентных параметров индуктивности и емкости структуры. В импедансном приближении получено дисперсионное уравнение для случая возбуждения в такой замедляющей системе аксиально-симметричной волны электрического типа. Выполнено моделирование дисперсионных характеристик и коэффициента связи в зависимости от геометрических размеров стержня и диэлектрических проницаемостей материала, заполняющего пазы структуры.

Добавлено: 27 марта 2017
Статья
Максимов М. В., Надточий А. М., Жуков А. Е. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 24. С. 11-14.

Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе InGaAs/GaAs-наноструктур квантовая яма−точки (КЯТ) с фронтальным и торцевым вводом излучения. Фотодетектор с 40 рядами КЯТ проде- монстрировал спектральную чувствительность до 0.4A/W в диапазоне 900−1100 nm при смещении −5V. Постоянная времени спада импульсного отклика фотодетектора площадью 1.4 · 10−4 cm2 составила  250 ps.

Добавлено: 30 октября 2020
Статья
Blokhin S., Бобров М., Малеев Н. et al. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 17. P. 21-25.

Предложена и апробирована конструкция туннельного перехода (ТП) на основе слоев n ++-InGaAs/p ++ - InGaAs/p ++-InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1.55 µm, реализованных по технологии спекания пластины с оптическим резонатором InAlGaAsP/InP и пластин с распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs/GaAs. Наличие слоев InGaAs, устойчивых к окислению, позволяет использовать молекулярно-пучковую эпитаксию на всех этапах технологии изготовления ВИЛ, в том числе для заращивания поверхностного рельефа в слое ТП. При этом благодаря эффекту Бурштейна−Мосса в n ++-InGaAs и минимизации толщины слоя p ++-InGaAs удалось избежать роста внутренних оптических потерь. В результате характеристики изготовленных приборов сравнимы с характеристиками ВИЛ, использующих ТП n ++/p ++-InAlGaAs и имеющих аналогичный уровень потерь на вывод излучения

Добавлено: 10 декабря 2020
Статья
Омельченко А. В. Письма в Журнал технической физики. 2002. Т. 28. № 20. С. 87-94.

Решается задача взаимодействия центрированной волны разрежения со сдвиговым слоем для случая, когда завихренность потока в сдвиговом слое мала. Решение ищется в виде асимптотического ряда по малому параметру задачи. Система, получаемая в нулевом приближении, описывает течение в простой волне. С использованием метода деформированных координат строится равномерно пригодное разложение первого порядка.

Добавлено: 19 сентября 2018
Статья
Звайгзне М., Александров Е., Самохвалов П. и др. Письма в Журнал технической физики. 2017. Т. 43. № 19. С. 21-27.

Исследовано влияние лигандов — органических молекул на поверхности квантовых точек — на оптические свойства тонкослойных конденсатов квантовых точек сульфида свинца и фотопроводимость диодных структур на их основе. Показано, что уменьшение длины лигандов в 4 раза приводит к значительному убыванию времени затухания люминесценции, а также экспоненциальному усилению проводимости.

Добавлено: 5 октября 2017
Статья
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 11. С. 3-7.

Экспериментально исследовано быстродействие микродисковых лазеров с квантовыми точками, работающих при комнатной температуре без термостабилизации, а также выполнен расчет наибольшей полосы модуляции микродисков различного диаметра. Показано, что учет эффекта саморазогрева микролазера при больших токах смещения, проявляющегося в уменьшении предельного быстродействия и увеличении тока, при котором достигается максимальная полоса модуляции, позволяет хорошо описать экспериментальные данные. Наибольшее влияние саморазогрев оказывает на микролазеры малого диаметра (менее 20 μm). Ключевые слова: высокочастотная модуляция, микролазер, полупроводниковый лазер, квантовые точки.

Добавлено: 25 мая 2020
Статья
Малеев Н., Бобров М., Кузьменков А. и др. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 20. С. 51-54.

птимальная форма вольт-фарадной характеристики является критическим параметром, определяющим эффективность умножения для гетеробарьерных варакторов (ГБВ) миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Численная модель для расчета вольт-фарадных характеристик и токов утечки ГБВ с произвольным профилем состава и легирования верифицирована на основе опубликованных и оригинальных экспериментальных данных. Спроектированная гетероструктура ГБВ с тремя нелегированными барьерами InAlAs/AlAs/InAlAs в окружении неоднородно легированных модулирующих слоев n-InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP. Тестовые ГБВ, изготовленные из выращенных гетероструктур, демонстрируют близкую к косинусоидальной форму вольт-фарадной характеристики при напряжениях смещения до 2 V, увеличенный коэффициент перекрытия по емкости и низкие токи утечки. Ключевые слова: гетеробарьерный варактор, вольт-фарадная характеристика, эпитаксия.

Добавлено: 8 декабря 2020
Статья
Емельянов А., Лясковский В. Л. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 4. С. 1-8.

Исследованы спектры рамановского рассеяния пленок аморфного гидрогенизированного кремния, подвергнутых фемтосекундному лазерному облучению. Плотность энергии лазерных импульсов именялась от 30 до 155 mJ/cm2. Впервые получено распределение объемной доли кристаллической фазы по поверхности исследованных пленок и установлена корреляция между изменением объемной доли кристаллической фазы и изменением концентрации водорода в пленках аморфного гидрогенизированного кремния при их кристаллизации фемтосекундным лазерным излучением.

Добавлено: 10 июля 2015
Статья
Омельченко А. В., Усков В. Письма в Журнал технической физики. 2002. Т. 22. № 12. С. 5-12.

Рассматриваются особенности расчета течения за нестационарной косой ударной волной при ее движении по потоку совершенного невязкого газа. Определяются интенсивности косой волны, при которых течение за ней может иметь особенности. Решается задача расчета нестационарной ударно-волновой конфигурации, образующейся при взаимодействии сверхзвуковой струи с преградой.

Добавлено: 19 сентября 2018
Статья
Фетисова М., Корнев А., Букатин А. и др. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 23. С. 10-13.

Показана возможность использования для биодетектирования микродисковых лазеров диаметром ~ 10 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, синтезированных на подложках GaAs. В качестве детектируемого объекта использовались химерные моноклональные антитела к белку CD20, ковалентно прикрепляемые к поверхности микродисковых лазеров, работающих при оптической накачке и комнатной температуре в водной среде. Показано, что присоединение вторичных антител приводит к увеличению пороговой мощности лазерной генерации, а также к увеличению полуширины резонансной лазерной линии. Ключевые слова: биосенсор, полупроводниковый лазер, микродисковый лазер, квантовые точки, фотолюминесценция.

Добавлено: 16 марта 2021
Статья
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 16. С. 3-6.

Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки n + -GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков p-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и спектральные характеристики. Микродиски способны работать в непрерывном режиме без принудительного охлаждения с пороговой плотностью тока около 0.7 kA/cm2 . Длина волны генерации стабильна (< 0.1 nm/mA) по отношению к току инжекции

Добавлено: 25 августа 2020
Статья
Тронев А., Парфенов М., Соломонов Н. и др. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 17. С. 51-54.

Показано, что лазерная модификация нанометровой титановой пленки может быть использована для точно-го управления уровнем потерь в оптических волноводах на подложках ниобата лития. Теоретические оценкиизменения погонных потерь на уровне 0.95 dB/mm подтверждены экспериментами по локальной лазерноймодификации с использованием излучения на длине волны 976 nm с пороговой интенсивностью 1 kW/mm2.Предложенная методика может быть эффективно использованадля прецизионной подгонки характеристикинтегрально-оптических устройств, например контраста модуляции модуляторов Маха−Цендера

Добавлено: 5 декабря 2020
Статья
Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 4. С. 42-45.

Проведено сравнение характеристик торцевых лазеров с активной областью на основе нового типа наноструктур - квантовых яма-точек с различной длиной волны излучения. Для структур, излучающих на длинах волн 980 и 1080 nm, продемонстрированы минимальные значения пороговой плотности тока 160 и 125 A/cm2, внутренние квантовые эффективности 74 и 85% и внутренние потери 1.1 и 0.9 cm-1 соответственно.

Добавлено: 16 марта 2021
Статья
Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Моисеев Э. И. и др. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 13. С. 7-10.

Показана возможность детектирования излучения микродискового лазера диаметром 23 μm с активной областью на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs с помощью близкорасположенного фотодетектора (100x 4000 μm) с аналогичной активной областью. При непрерывном режиме работы лазера, токе накачки 20 mA и расстоянии между гранями микролазера и фотодетектора около 100 μm получена величина фототока ~ 10 μA, что соответствует чувствительности фотодетектора ~ 0.9 μA/μW. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микродисковый лазер, квантовая яма-точка, микрооптопара.

Добавлено: 25 мая 2020
1 2