?
Temperature-driven charge transport in annealed CdSe/CdS nanoplatelets film
Journal of Applied Physics. 2026. Vol. 139. No. 18. Article 185702.
Saitov S. R., Saidzhonov B. M., Vasiliev R. B., Musorin A. I., Fedyanin A. A., Mantsevich V. N., Смирнов А. М.
Вергелес С. С., Воинцев И. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 P. 024117-1–024117-8
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Frolov N. Y., Klokov A. Y., Sharkov A. I. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 P. 092201-1–092201-5
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Будков Ю. А., Kiselev M. G., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 12 Article 124508
Добавлено: 24 сентября 2026 г.
Крыжановская Н. В., Махов И. С., Драгунова А. С., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 19 No. 1.1 P. 98–104
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Андреева С. А., Gavrilov A. A., Dzhikirba K. R. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 134515
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Образцова А. А., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2026 Vol. 59 No. 30 P. 305103
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 12 Article 124105
Добавлено: 22 сентября 2026 г.
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Коршунов С. Н. и др., Перспективные материалы 2026 № 10 С. 37–54
Проведено сравнение, обобщение и систематизация механизмов эрозии и разрушения
поверхности малоактивируемых материалов, перспективных для использования в
качестве материалов вакуумной камеры термоядерных реакторов: ванадия, его сплава
V – 10 Ti – 6 Cr – 0,05 Zr – 0,1 Si и вольфрама при последовательном воздействии на
них ионных и тепловых потоков. Тепловые потоки имитировали с помощью мощного
импульсного лазерного излучения (ЛИ), создаваемого ...
Добавлено: 22 сентября 2026 г.
Iontsev M.A., Mukhin S. I., Fistul M. V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2016 Vol. 94 No. 17 P. 174–510
Добавлено: 22 сентября 2026 г.
Shilov A. L., Elesin L., Kravtsov M. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 Article 9734
Добавлено: 20 сентября 2026 г.
Аникеева В. Е., Болдырев Н. Ю., Семенова О. И. и др., Оптика и спектроскопия 2024 Т. 132 № 8 С. 793–799
Представлены результаты исследования температурных зависимостей спектров люминесценции (3.6−120 K) при возбуждении светом с длиной волны 405 nm и бесконтактно измеренной фотопроводимости (3.6−300 K) монокристалла CsPbBr3. В низкотемпературном спектре фотолюминесценции (ФЛ), кроме линии автолокализованного экситона (2.318 eV при 10 K), наблюдаются богатая структура, возможно, относящаяся к экситонно-примесным комплексам, и широкая полоса с максимумом около 2.24 eV, ...
Добавлено: 29 октября 2024 г.
Седов В. С., Мартьянов А. К., Тяжелов И. А. и др., Diamond and Related Materials 2024 P. 111169
Добавлено: 16 мая 2024 г.
Saitov S., Amasev D., Aleksandrov A. и др., Organic Electronics: physics, materials, applications 2023 Vol. 112 Article 106693
Добавлено: 1 февраля 2024 г.
Alexander M. Smirnov, Golinskaya A., Mantsevich V. и др., Results in Physics 2022 Vol. 32 Article 105120
Добавлено: 1 февраля 2024 г.
Божко С. И., Ксенз А. С., Фокин Д. А. и др., Журнал технической физики 2023 Т. 93 № 7 С. 928–930
Расслоение наноостровков Pb на вицинальной поверхности Si(7 7 10) на слои толщиной 2 nm, обусловленное квантованием электронного спектра, подразумевает образование двумерных дефектов, разделяющих слои Pb. С помощью модельных расчетов в приближении теории функционала плотности показано, что минимальной энергией образования обладает двойниковая граница, энергия которой равна 15meV/at. Установлено, что двойниковая граница формируется на стадии роста очередного ...
Добавлено: 20 декабря 2023 г.
Ran J., Wang B., Wu Y. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2023 Vol. 14 No. 26 P. 6028–6036
Добавлено: 14 июня 2023 г.
Nikolaev I., Kazakov A., Drozdov K. и др., Journal of Applied Physics 2022 Vol. 132 No. 23 Article 234301
Добавлено: 7 июня 2023 г.
Добавлено: 24 сентября 2022 г.
Reshetov I., Журихина В. В., Tagantsev D. и др., , in: IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech).: St. Petersburg: IEEE, 2021. Ch. 38 P. 161–163.
Добавлено: 23 сентября 2022 г.
Добавлено: 14 марта 2022 г.