?
Исследование влияния режимов сильнополевой инжекции электронов на модификацию диэлектрических пленок МДП-приборов
Исследовано влияние режимов сильнополевой инжекции электронов на модифицикацию МДП-транзисторов с многослойным подзатворным диэлектриком SiO2 – ФСС, содержащим электронные ловушки. Показано, что для инжекционной модификации МДП-транзисторов более предпочтительным оказывается режим инжекции электронов из кремниевой подложки, при котором выше величина максимального сдвига порогового напряжения и существенно ниже вероятность пробоя подзатворного диэлектрика по сравнению с инжекцией из алюминиевого электрода. Амплитуда импульсов тока, используемых для инжекции заряда в подзатворный диэлектрик, должна выбираться, исходя из геометрических размеров транзистора и конкретных электрофизических характеристик диэлектрической пленки, и при этом лежать в диапазоне 10–7 – 10–4 А/см2. Показано, что для получения МДП-приборов с высокой термополевой стабильностью после модификации зарядового состояния инжекцией электронов их необходимо отжигать при температурах около 200°С.