Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2025. Vol. 111. No. 22. Article 224510.

Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E., Зайцев-Зотов С. В.

Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, демонстрируют необычную зависимость от величины одноосного напряжения (ϵ), что указывает на их связь с поверхностными состояниями. Такое поведение соответствует ожидаемой последовательности переходов: полуметалл → сильный топологический изолятор → тривиальный изолятор, и подтверждает наличие поверхностных состояний при 0,46% ϵ 0,85%.

Ключевые слова: электронный транспорт, superconductivity, сверхпроводимость, topological insulator, топологический изолятор, electronic transport, proximity effect, эффект близости