• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Найдено 57 публикаций
Сортировка:
по названию
по году
Статья
Павленко В. И., Бондаренко Г.Г., Черкашина Н. И. и др. Перспективные материалы. 2013. № 3. С. 14-19.

 Работа посвящена изучению влияния вакуумного ультрафиолета (ВУФ) при различных температурных условиях на микроструктуру полистирольных композитов (ПК), наполненных органо-силоксановым наполнителем. Показано, что совместное воздействие вакуума и ВУФ-излучения на исследуемые материалы не приводит к существенному изменению структуры приповерхностных слоев, но облучение при криогенной температуре вызывает образование на поверхности  трещин. Сделано предположение, что понижение температуры эксплуатации композита до -170ºС, с повреждением лишь поверхностного слоя толщиной до 10 мкм, обусловлено введением в полистирольную матрицу органо-силоксанового наполнителя. Проведены исследования эволюции рельефа поверхности образцов, которые  показали сглаживание поверхностного рельефа при воздействии ВУФ-излучения.

Добавлено: 3 апреля 2013
Статья
Артамонов А. В., Бондаренко Г. Г., Якункин М. М. Перспективные материалы. 2008. № 1. С. 83-87.

Используя метод неразрушающего контроля адгезии границы контакта плёнка – подложка по величине тепловой проводимости α12, проведено исследование изменения α12 для системы вольфрамовая плёнка (0,8 мкм) – кремниевая подложка (0,7 мм) после облучения высокоэнергетическими электронами. Показано, что облучение приводит к увеличению тепловой проводимости границы раздела и улучшению адгезионных характеристик.

Добавлено: 4 января 2013
Статья
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. и др. Перспективные материалы. 2008. № 5. С. 26-30.

Изучено влияние повышенной температуры на процессы, характеризующие изменение зарядового состояния МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной пленкой ФСС, при сильнополевой инжекционной модификации. Установлено, что повышение температуры в процессе инжекционной модификации приводит к уменьшению плотности накапливаемого положительного заряда и, тем самым, снижает интенсивность деградационных процессов в МДП-структурах Si – SiO2 – ФСС – Al. При этом увеличение сдвига напряжения середины запрещенной зоны в процессе инжекционной модификации, в основном, обусловлено уменьшением плотности положительного заряда, накапливаемого в пленке SiO2 МДП-структур. Показано, что проведение сильнополевой инжекционной модификации МДП-структур Si – SiO2 – ФСС – Al в режиме поддержания постоянного напряжения на затворе при повышенных температурах увеличивает не только плотность захватываемого отрицательного заряда, но и его термостабильную компоненту.

Добавлено: 4 января 2013
Статья
Дидык А. Ю., Ерискин А. А., Бондаренко Г. Г. и др. Перспективные материалы. 2015. № 9. С. 29-38.

В работе проведено исследование перераспределения водорода и дейтерия в сборках металлических фольг Ta|CD2|Ta, Ta|Ta|CD2|Ta|Ta и Nb|CD2|Nb, облученных импульсами аргоновой высокотемпературной плазмы на установке Плазменный фокус. Облученные образцы фольг были исследованы методом регистрации ядер отдачи водорода и дейтерия (ERDA). Обнаружено сверхглубокое проникновение в мишени легких газовых примесей (водорода и дейтерия). Предполагается, что данное явление обусловлено воздействием ударных волн, генерируемых плазменным импульсом, и ускорением диффузионных процессов.

Добавлено: 10 августа 2015
Статья
Бондаренко Г.Г., Костина Е. П., Лапицкая В. Н. и др. Перспективные материалы. 2002. № 5. С. 68-70.

Исследованы диффузионные процессы в многокомпонентной системе (биметалл бронза – серебро) в зависимости от режима термообработки биметаллической ленты из бронзы, плакированной серебром, при изготовлении двух типов лент для контактов различных электросоединителей. Сформулированы рекомендации по режимам промежуточного изотермического отжига биметаллических лент, обеспечивающим сохранение требуемых технологических и эксплуатационных характеристик разрабатываемых материалов.

Добавлено: 29 ноября 2013
Статья
Бондаренко Г.Г., Андреев В. В., Барышев В. Г. и др. Перспективные материалы. 2000. № 3. С. 49-53.

Проведено исследование сильнополевой зарядовой деградации МОП-структур Si-Si02-Al при инжекции электронов из кремния во всем диапазоне инжектированных зарядов, вплоть до пробоя образца. Установлено, что при инжекции заряда до 1 мКл/см2 основным механизмом зарядовой деградации является накопление положительного заряда у границы раздела Si-Si02 с одновременным повышением плотности поверхностных состояний.

Добавлено: 29 ноября 2013
Статья
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. Перспективные материалы. 2015. № 11. С. 19-25.

Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком на основе термической пленки SiO2, легированной фосфором, при воздействии сильнополевой инжекцией электронов. Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в тонкой плёнке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов,  может использоваться для корректировки пороговых напряжений, повышения зарядовой стабильности и увеличения пробивных напряжений МДП-приборов. Показано, что с увеличением толщины пленки ФСС возрастает плотность электронных ловушек, связанных с ней, при этом сечения захвата электронных ловушек остаются неизменными. Предложен способ модификации электрофизических характеристик МДП-структур путём сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик в режиме управляемой токовой нагрузки. Способ позволяет непосредственно во время модификации контролировать изменение параметров МДП-структуры. Показано, что для получения приборов с высокой термополевой стабильностью после модификации зарядового состояния инжекцией электронов их необходимо отжигать при температурах около 200 °С. 

Добавлено: 19 ноября 2015
Статья
Бондаренко Г. Г., Шагаев В. Перспективные материалы. 2011. № 5. С. 18-22.
Добавлено: 6 марта 2012
Статья
Колокольцев В. Н., Михайлов Б. П., Иванов Л. И. и др. Перспективные материалы. 2011. № 5. С. 18-22.
Исследована стабильность критической температуры (Тс) многожильной ленты на основе(BiPb)2Sr2Ca2Cu3O10 + x (Вi-2223), приготовленной известным методом "PIT" (порошок в трубе), при воздействии на ее поверхность ударных волн, генерируемых на установке "Плазменный фокус".
Добавлено: 12 апреля 2012
Статья
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Ахмелкин Д. М. и др. Перспективные материалы. 2017. № 10. С. 33-40.

Разработан инжекционный метод исследования диэлектрических пленок МДП-структур при стрессовых и измерительных режимах в условиях сильнополевой инжекции электронов, учитывающий процессы заряда емкости структуры и захвата заряда в подзатворном диэлектрике МДП‑структур в инжекционном режиме. Показано, что при высоких плотностях инжекционного тока контроль характеристик накапливаемого в подзатворном диэлектрике заряда разработанным методом необходимо проводить по изменению напряжения на МДП‑структуре при амплитуде измерительного инжекционного тока много меньшей амплитуды стрессового тока. Для повышения быстродействия метода и возможности исследования быстро релаксирующих зарядов, накапливаемых в подзатворном диэлектрике в процессе сильнополевого стрессового воздействия, заряд и разряд емкости МДП-структуры предлагается проводить в ускоренном режиме при плотности тока большей плотности измерительного тока.

 

Добавлено: 8 октября 2017
Статья
Андреев В. В., Барышев В. Г., Бондаренко Г.Г. и др. Перспективные материалы. 1998. № 4. С. 61-65.

Рассмотрен инжекционный метод постоянного тока, позволяющий в рамках одного метода определять зарядовые характеристики МДП-систем, традиционно получаемые из вольт-фарадных характеристик, параметры ВАХ по Фаулеру-Нордгейму и инжекционные характеристики исследуемых структур.

 

 

 

Добавлено: 27 января 2014
Статья
Ли И. П., Бондаренко Г. Г. Перспективные материалы. 2012. № 1. С. 30-34.

Предложен метод улучшения эмиссионной однородности прессованных палладий-бариевых катодов, применяемых в магнетронах с безнакальным запуском. Исходный порошок палладия отжигали в сухом водороде при 950°С в течение 60 минут, затем прокаливали в вакууме при давлении остаточных газов Р ≤ 1·10–4 Па. Показано, что катоды, изготовленные прессованием и последующим спеканием в вакууме смеси порошков палладия и интерметаллического соединения Pd5Ba, отличаются высокой равномерностью распределения компонент. При испытаниях магнетронов, изготовленных с использованием данных катодов, процент выхода годных удалось повысить в 1,5 раза.

Добавлено: 30 ноября 2012
Статья
Пименов В. Н., Демин А. С., Грибков В. А. и др. Перспективные материалы. 2014. № 10. С. 40-52.

Исследовано модифицирование структурного состояния и механические свойства наружного и внутреннего поверхностных нанослоев полой металлической трубы из хромомарганцевой аустенитной стали 25Х12Г20В с помощью мощных импульсных излучений, генерируемых в установке Плазменный фокус (ПФ). Показано, что с использованием импульсных потоков ионов дейтерия (с плотностью мощности излучения в плоскости переднего среза трубы q ≈ 1010 – 1011 Вт/см2) и высокотемпературной дейтериевой плазмы (при q ≈ 109 Вт/см2), генерируемых в установке PF-1000, можно создавать модифицированные поверхностные слои субмикронной и наноразмерной толщины вдоль наружной и внутренней поверхности исследуемой трубы. Установлено заметное упрочнение указанных слоев, рассмотрены механизмы наблюдаемого упрочнения и исследовано образование пузырей наноразмерного масштаба на облученной поверхности. Отмечена перспективность установок ПФ для создания модифицированных слоев субмикронной и наноразмерной толщины.

Добавлено: 10 октября 2014
Статья
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. и др. Перспективные материалы. 2009. № 2. С. 19-24.

 

Исследовано влияние режимов сильнополевой инжекции электронов на модифицикацию МДП-транзисторов с многослойным подзатворным диэлектриком SiO2 – ФСС, содержащим электронные ловушки. Показано, что для инжекционной модификации МДП-транзисторов более предпочтительным оказывается режим инжекции электронов из кремниевой подложки, при котором выше величина максимального сдвига порогового напряжения и существенно ниже вероятность пробоя подзатворного диэлектрика по сравнению с инжекцией из алюминиевого электрода. Амплитуда импульсов тока, используемых для инжекции заряда в подзатворный диэлектрик, должна выбираться, исходя из геометрических размеров транзистора и конкретных электрофизических характеристик диэлектрической пленки, и при этом лежать в диапазоне 10–7 – 10–4 А/см2. Показано, что для получения МДП-приборов с высокой термополевой стабильностью после модификации зарядового состояния инжекцией электронов их необходимо отжигать при температурах около 200°С.

Добавлено: 14 октября 2012
Статья
Андреев В. В., Бондаренко Г.Г., Дегтярев В. Т. и др. Перспективные материалы. 2004. № 2. С. 20-27.

Предложена модель модификации и деградации МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной слоем фосфорно-силикатного стекла, в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик. Исследованы процессы зарядовой деградации и модификации МДП-структур Si - SiO2-Аl, Si- SiO 2-ФСС-Аl и Si-SiO2- поликремний при сильнополевой туннельной инжекции электронов. Моделирование процессов зарядовой деградации с учетом распределения локальных электрических полей в системе Si-SiO2-ФСС-А1 указывает на существенное ослабление генерации дырок в слое ФСС. Показано, что процессы изменения зарядового состояния двуокиси кремния, пассивированной фосфорно-силикатным стеклом, необходимо рассматривать с учетом изменения параметров захваченных зарядов и локальных электрических полей в диэлектрике.

Добавлено: 25 ноября 2013
Статья
Бондаренко Г.Г., Удрис Я. Я., Акишин А. И. и др. Перспективные материалы. 2001. № 4. С. 54-58.
Добавлено: 28 января 2014
Статья
Монахов И. С., Бондаренко Г. Г. Перспективные материалы. 2019. № 2. С. 14-22.

Исследована кинетика роста наноразмерной пленки германия, осажденной магнетронным распылением на поверхности Si(001), с помощью разработанной экспериментальной рентгенорефлектометрической методики, отличающейся совместной регистрацией зеркально-отраженного и диффузно-рассеянного излучения. С помощью данной методики можно осуществлять in situ как анализ морфологии растущей пленки, так и контроль ее толщины с точностью до 1 нм. Получены зависимости интенсивности зеркального отражения, диффузного рассеяния, скорости роста, среднеквадратичной шероховатости пленки и ее плотности от времени осаждения. Согласно результатам измерения зеркально- отраженного излучения, шероховатость пленки увеличивалась со временем по степенному закону. Однако при толщине пленки, равной 4 нм, наблюдался четко выраженный максимум диффузного рассеяния, угловое положение которого соответствовало критическому углу полного внешнего отражения германия — 0,31°. Такая картина распределения рассеянного излучения объясняется проявлением эффекта Ионеды, заключающегося в аномальном рассеянии рентгеновского излучения, максимум которого соответствует критическому углу qC полного внешнего отражения от пленки. Экспериментально установлено, что на начальной стадии роста пленка формируется по механизму Фольмера – Вебера. Методом in situ рентгеновской рефлектометрии обнаружено, что образование сплошного слоя германиевой пленки происходит при ее толщине, равной 7 нм; последующий рост пленки осуществляется по степенному закону σf ~ tβ, где β = 0,23.

Добавлено: 31 января 2019
Статья
Бондаренко Г. Г., Булатов Г. С., Гедговд К. Н. и др. Перспективные материалы. 2009. № 5. С. 14-19.

 

По величине тепловой проводимости исследована кинетика установления стационарных значений  границы раздела фаз   в системах W(10мкм)-Si(0,7мм) и W(10мкм)-Un(1мм)     при облучении электронами с энергией 8 МэВ при температуре 300К. Подтверждено существование аномального массопереноса в направлении, обратном направлению движения электронов в пучке. Показано, что образование диффузионной зоны приводит к росту тепловой проводимости  границы раздела до значений 100 Вт/(см2К), соответствующих идеальному тепловому контакту.

Добавлено: 14 октября 2012
Статья
Жарков М. Ю., Боровицкая И. В., Люблинский И. Е. и др. Перспективные материалы. 2014. № 5. С. 27-33.

Исследована коррозионная стойкость в жидком литии высокой чистоты  (азота и углерода менее 1·10 –3 мас.%, кислорода ~ 0,02-0,03 мас.%) ванадиевых сплавов (V-1,86Ga, V-3,4Ga-0,62Si, V-4,81Ti-4,82Cr) в сравнении с чистым ванадием. Коррозионные испытания велись в статических изотермических условиях при температуре 600оС в течение 400 часов. Установлено, что при выдержке в литии ванадий и сплавы практически не растворяются, причем основным механизмом их взаимодействия с жидким металлом в данном случае является перенос кислорода из материалов в литий. Обнаружены также следы коррозионного воздействия  на морфологию поверхности материалов, что выражается в появлении границ зерен и линий скольжения после выдержки в литии.

Добавлено: 11 октября 2014