Investigation of microdisk and microring lasers based on InGaAs/GaAs QWDs by the interferometry method

E. Moiseev; N. Kryzhanovskaya; Maximov M.; A. Zhukov

doi:10.1088/1742-6596/1695/1/012093

Публикации

?

Investigation of microdisk and microring lasers based on InGaAs/GaAs QWDs by the interferometry method

P. 012093-1–012093-4.

Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Maximov M., Жуков А. Е.

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: high-resolution optical spectroscopy Quantum well-dots

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Оптоэлектронные приборы для оптических межсоединений и оптических систем на кристалле на основе полупроводниковых наноматериалов (2020)

В книге

7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures

Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. , Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020.

Mode leakage into substrate in microdisk lasers

I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216

Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Far-field patterns and lasing threshold of limaçon − and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots

Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

Харченко А. А., Надточий А. М., Шерняков Ю. М. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 313–317

В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990−1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах ...

Добавлено: 24 октября 2024 г.

Broad-range high-resolution optical spectroscopy of CH3NH3PbBr3 hybrid perovskite single crystals: Optical phonons, absorption edge, phase transitions

Vasilisa E. Anikeeva, Kirill N. Boldyrev, Semenova O. и др., Optical Materials: X 2023 Vol. 20 Article 100259

Добавлено: 6 сентября 2023 г.

Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method

I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 22–27

Добавлено: 3 июля 2023 г.

Thermal characteristics of III-V microlasers bonded onto silicon board

A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 108–113

Добавлено: 3 июля 2023 г.

Microring lasers with a waveguide coupler

N.A. Fominykh, F.I. Zubov, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 126–132

Добавлено: 3 июля 2023 г.

The investigation of optical coupling of microlasers with tapered fiber

N. A. Fominykh, E. I. Moiseev, I. S. Makhov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 167–170

Добавлено: 14 марта 2023 г.

Integrated optical transceiver based on III-V microdisk laser and photodiode

Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Драгунова А. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 371–375

In this work, we study III-V p-i-n photodetectors and disk microlasers in terms of their static and small-signal modulation frequency response. InGaAs/GaAs quantum welldots (QWDs) are used as the active region of the devices to provide operation wavelength around 1.1 µm, high optical and frequency response and temperature stability of characteristics. 30 µ m-in-diameter microdisk ...

Добавлено: 14 марта 2023 г.

Analysis of characteristics of InGaAs/GaAs microdisk lasers bonded onto silicon board

Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 163–166

In this work we study characteristics of the III-V microdisk lasers bonded onto silicon board. The bonding of microdisk lasers to the silicon substrate reduces their thermal resistance. Here we show improvement in output power, lasing threshold, dynamic characteristics and energy consumption in microdisk lasers with diameters of 31 μm and 19 μm by comparison ...

Добавлено: 14 марта 2023 г.

Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

Надточий А. М., Мельниченко И. А., Иванов К. А. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 993–996

Методами спектроскопии фотолюминесценции в непрерывном режиме и с разрешением по времени исследована гетероструктура с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs в диапазоне температур 10-300 K. Полученное время спада ФЛ разделено на излучательную и безызлучательную составляющие времени жизни носителей заряда. Обнаружено, что излучательное время жизни демонстрирует экспоненциальный рост с увеличением температуры, в то время как температурная зависимость безызлучательного времени ...

Добавлено: 4 января 2023 г.

Time-resolved temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of InGaAs/GaAs quantum well-dots

Konstantin A. Ivanov, Alexey M. Nadtochiy, Natalia V. Kryzhanovskaya и др., Journal of Luminescence 2023 Vol. 255 Article 119620

Добавлено: 24 декабря 2022 г.

Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots

Zubov F., Eduard I. Moiseev, Maximov M. и др., Laser Physics 2022 Vol. 32 No. 12 Article 125802

Добавлено: 13 декабря 2022 г.

Temperature stability of small-signal modulation response of WGM microlasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots in the active region

Isaev N. K., E. I. Moiseev, N. A. Fominykh и др., , in: 8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021.: Institute of Physics Publishing (IOP), 2021. Ch. 012082.

Добавлено: 26 октября 2022 г.

Study of waveguide absorption in InGaAs ”quantum well-dots” heterostructures

Kharchenko A. A., Надточий А. М., Mintairov S. A. и др., Nano-Structures and Nano-Objects 2021 Vol. 25 Article 100628

Добавлено: 26 января 2021 г.

Direct modulation characteristics of microdisk lasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots

Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Зубов Ф. И. и др., Photonics Research 2019 Vol. 7 No. 6 P. 664–668

Добавлено: 9 декабря 2020 г.

Magnetic structure of ErFe3(BO3)4: Spectroscopic and thermodynamic studies

Попова Е. А., Chukalina E. P., Болдырев К. Н. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2020 Vol. 500 Article 166374

Добавлено: 22 октября 2020 г.

Light Emitting Devices Based on Quantum Well-Dots

Maximov M., Надточий А. М., Крыжановская Н. В. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2020 Vol. 10 No. 3 Article 1038

Добавлено: 30 сентября 2020 г.

Люминесцентные и нелинейно-оптические свойства боратов LnGa3(BO3)4 (Ln=Nd, Sm, Tb, Er, Dy, Ho)

Болдырев К. Н., Кузьмин Н. Н., Леонюк Н. И. и др., Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127 № 1 С. 112–117

Впервые представлены спектры люминесценции монокристаллов редкоземельно-галлиевых боратов LnGa3(BO3)4 (Ln=Nd, Sm, Tb, Er, Dy, Ho) при комнатной (300K) и криогенной (10K) температурах. Фотолюминесценция регистрировалась в диапазоне длин волн 470−5000 nm (21300−2000 cm−1) с высоким спектральным разрешением (до 0.1 cm−1) при возбуждении различными диодными лазерами. Полученные спектры не удается однозначно интерпретировать в рамках одного люминесцирующего центра, что может быть связано с наличием ...

Добавлено: 22 ноября 2019 г.

Спектроскопия высокого разрешения низкотемпературных фазовых переходов в метаборате меди CuB2O4

Болдырев К. Н., Молчанова А. Д., Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127 № 1 С. 39–41

Методом фурье-спектроскопии высокого разрешения исследован линейный магнитный дихроизм в кристаллографически изотропной плоскости ab тетрагонального монокристалла CuB2O4 при температурах 1.4−22K. Обнаружены магнитные фазовые переходы при температурах T < 2.0K и обсуждена их природа. ...

Добавлено: 22 ноября 2019 г.