Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 10. С. 993–996.

Надточий А. М., Мельниченко И. А., Иванов К. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е.

Методами спектроскопии фотолюминесценции в непрерывном режиме и с разрешением по времени исследована гетероструктура с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs в диапазоне температур 10-300 K. Полученное время спада ФЛ разделено на излучательную и безызлучательную составляющие времени жизни носителей заряда. Обнаружено, что излучательное время жизни демонстрирует экспоненциальный рост с увеличением температуры, в то время как температурная зависимость безызлучательного времени жизни намного слабее. Ключевые слова: полупроводники, квантовые яма-точки, фотолюминесценция, временное разрешение, время жизни, температурная зависимость.

Ключевые слова: carrier lifetime, время жизни, Quantum well-dots, квантовые яма-точки, time-resolved photoluminescence, времяразрешённая фотолюминесценция

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники (2022)