Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots

Zubov F.; Eduard I. Moiseev; Maximov M.; Vorobyev A.; Mozharov A.; Shernyakov Y.; Kalyuzhnyy N.; Mintairov S.; Kulagina M.; Dubrovskii V.; Natalia V. Kryzhanovskaya; Alexey E. Zhukov

doi:10.1088/1555-6611/ac996f

?

Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots

Laser Physics. 2022. Vol. 32. No. 12. Article 125802.

Zubov F., Eduard I. Moiseev, Maximov M., Vorobyev A., Mozharov A., Shernyakov Y., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Kulagina M., Dubrovskii V., Natalia V. Kryzhanovskaya, Alexey E. Zhukov

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: semiconductor laser микролазеры полупроводниковые лазеры Quantum well-dots квантовые яма-точки microlasers

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники (2022)

Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method

Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738

Добавлено: 6 июня 2026 г.

Wave dynamics within the Whitham-Ostrovsky equation

Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784

Добавлено: 5 июня 2026 г.

Green synthesis of Bi-functional silica nanoparticles towards highly efficient photocatalysis and antibacterial application

Hazarika A. P., Дас А., Das S. K. и др., Physica B: Condensed Matter 2026 Vol. 738 Article 418803

Добавлено: 4 июня 2026 г.

Signatures of Reconnection and a Split Heliospheric Tail in High-energy Energetic Neutral Atoms

Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1

Добавлено: 3 июня 2026 г.

Two-dimensional hexagonal boron nitride-ferrofluid hybrids enable efficient magnetic cooling

Карцев А. И., Nishant T., Saswata G. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Article -

Добавлено: 2 июня 2026 г.

The critical role of shear antiphase boundaries in τ-Mn(Al,Ga) rapidly quenched alloy

Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711

Добавлено: 2 июня 2026 г.

Combined Experimental and Ab Initio Study of Sc Doping in MgB2: Decoupling Electronic and Microstructural Effects on Superconductivity

Dikhtievskaya K., Argunov E., Карцев А. И. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004

Добавлено: 2 июня 2026 г.

Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications

Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942

Добавлено: 1 июня 2026 г.

Численное моделирование полевой эмиссии из полупроводникового катода в вакуум

Борисов В. Д., Данилов В. Г., Электросвязь 2025 № 12 С. 73–84

Представлены результаты математического моделирования процесса полевой эмиссии из катода малых размеров – одного из основных физических процессов, обеспечивающих работы многих электронных устройств, в частности FED-дисплеев (устройства, работающие на принципе полевой эмиссии), кантилеверов и т.д. Дается краткий обзор текущих результатов в области исследования, обосновывается актуальность задачи, приводятся примеры наиболее вероятного использования результатов решения задачи. Обсуждаются физические ...

Добавлено: 29 мая 2026 г.

Electrostatically gated dissipation control in two-dimensional nanoelectromechanical resonators via strain-amplitude antagonism for record 928% Q tunability

Jiang Q., Fang J., Chen J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 Article 162402

Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...

Добавлено: 28 мая 2026 г.

Enhanced Terahertz Thermoelectricity Via Engineered Van Hove Singularities and Nernst Effect in Moiré Superlattices

Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10

Добавлено: 28 мая 2026 г.

Non-linear in-band interference cancellation on base of conjugate gradients method

Degtyarev A., Bakhurin S., Юдин Н. Е., DSPA 2026 P. 1–6

Добавлено: 26 мая 2026 г.

Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices

Qian X., Deng Y., Lev N. Shchur и др., Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 2026 Vol. 696 Article 131679

Добавлено: 24 мая 2026 г.

Оптические методы детектирования единичных биомолекул: визуализация, сенсорика, секвенирование молекул ДНК

Мелентьев П. Н., Калмыков А. С., Гритченко А. С. и др., Успехи физических наук 2024 Т. 194 № 11 С. 1130–1145

Представлен краткий обзор достигнутого уровня оптических методов детектирования единичных молекул в биомедицинских приложениях. Показано, что регистрация флуоресценции единичных молекул красителей, ковалентно связанных с антителами (биомолекулами), совместно с использованием современных методов нанофотоники может быть применена для решения различных задач в биологии и медицине: визуализации биомолекул, токсинов, вирусных частиц, определения ультранизких концентраций аналитов напрямую во взятой пробе, ...

Добавлено: 21 мая 2026 г.

Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией

Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30

Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Quantum-dot surface-emitting lasers: micropillar cavities grown by molecular-beam epitaxy

Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208

Добавлено: 23 марта 2026 г.

Optical properties of InGaAsN quantum well-based microlasers passivated by SiO2 sol–gel film

Ivan Melnichenko, Shugabaev T., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 21 P. 6819–6822

Добавлено: 12 ноября 2025 г.

Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре

Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35

Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...

Добавлено: 29 октября 2025 г.

Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением

Образцова А. А., Пивоварова А. А., Комаров С. Д. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 1 С. 37–42

Представлен подход к созданию микролазеров с квантовыми точками на подложках GaAs с дисковым резонатором, электрическим контактом мостикового типа и опорной мезой, сформированными методом жидкостного химического травления. Мостиковая конструкция представляет собой две соединенные подвешенной золотой балкой мезаструктуры, одна из которых является, собственно, микродисковым резонатором, а вторая служит для создания вынесенного электрического контакта. Предложенный метод открывает пути ...

Добавлено: 26 мая 2025 г.

Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27

Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...

Добавлено: 25 февраля 2025 г.

Ultra-short stripe microlasers fabricated with a focused ion beam etching technique

Махов И. С., Комаров С. Д., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 2 P. 387–390

Добавлено: 9 января 2025 г.

Mode leakage into substrate in microdisk lasers

I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216

Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Far-field patterns and lasing threshold of limaçon − and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots

Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

Харченко А. А., Надточий А. М., Шерняков Ю. М. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 313–317

В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990−1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах ...

Добавлено: 24 октября 2024 г.