Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

Харченко А. А.; А. М. Надточий; Шерняков Ю. М.; Гордеев Н. Ю.; Паюсов А. С.

doi:10.61011/FTP.2024.06.58945.6937

Публикации

?

Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. № 6. С. 313–317.

Харченко А. А., Надточий А. М., Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С.

В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990−1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах достигает 22 дБ при значении тока накачки 57 мА на длине волны 1040 нм, при этом в полосе 1010−1075 нм значение коэффициента усиления составляет не менее 10 дБ.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: русский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: Quantum well-dots квантовые яма-точки semiconductor optical amplifiers transparency current полупроводниковые оптические усилители ток прозрачности

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Создание и исследование полупроводниковых микро- и нанолазеров для схем интегральной фотоники (2024)

Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network

Дмитриев А. В., Корнилов В. В., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network

Дмитриев А. В., Shulman I., Лебедев А. А., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Неравновесное состояние в квазиодномерных сверхпроводящих каналах

Арутюнов К. Ю., Харитонов И. А., Петросянц К. О., JETP Letters 2026 Vol. 124 No. 6 P. 1–16

Добавлено: 13 октября 2026 г.

When universal machine learning models fail in capacitance prediction for carbon-based supercapacitors: Leakage-aware validation and electrolyte screening

Makarov D. M., Каликин Н. Н., Fashchevsky K. A. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 579 Article 150159

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Ranging Precision Comparison of Direct and Non-Line-of-Sight LiDAR Systems Based on SNSPD

Махлуф М., Ожегов Р. В., Елезов М. С. и др., Фотоника 2026 Vol. 20 No. 6 P. 414–423

В данной работе проведено сравнение точности дальнометрии лидарных архитектур прямого времени пролёта (dToF) и вне прямой видимости (NLOS), обе из которых используют сверхпроводящий нанопроволочный детектор одиночных фотонов (SNSPD). Обе системы работают на длине волны 1550 нм с импульсным лазером длительностью 50 пс и методом коррелированного во времени счёта одиночных фотонов (TCSPC). Конфигурация dToF обеспечила точность около 100 мкм ...

Добавлено: 12 октября 2026 г.

Proceedings of the 34th IUPAP Conference on Computational Physics: CCP2023, August 4-8, Kobe, Japan

Singapore: Springer, 2026.

Добавлено: 12 октября 2026 г.

Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.

Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Quantum-mechanical study of the optimal phosphorus atoms arrangement on silicene.

Чибисов А. Н., Gnidenko A., Chibisova M. и др., FlatChem 2023 Vol. 41 Article 100533

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Density functional theory investigation on fast storage of sodium and potassium in Ni2TeO6 as a novel promising cathode material.

Wu Z., Yu Y., Чибисов А. Н., Materials Today Energy 2023 Vol. 37 Article 101414

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Ab Initio Study of the Influence of Spin and Orbital Magnetic Moments on the Stability of Magnetic and Charge Distribution in Co:ZnO Monolayer.

Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Quantum-mechanical prediction of the behavior of quantum trigger on a two-qubit cell of boron in silicene.

Чибисов А. Н., Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 71 P. 99–103

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Functionalized Graphene for Acetone Sensing in Human Breath: DFT Investigations.

Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Effect of the Ordering of Sulfur Vacancies on the Electronic Properties of Molibdenum Disulfide Monolayers

Bulakh S., Чибисов А. Н., Srivastava A., Russian Microelectronics 2026 Vol. 55 P. 311–315

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Nanoscale interconnects of gold, copper, and aluminium-based mono-silicide nanotubes for next generation integrated circuits.

Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752

Добавлено: 10 октября 2026 г.

Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27

Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...

Добавлено: 25 февраля 2025 г.

Mode leakage into substrate in microdisk lasers

I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216

Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Far-field patterns and lasing threshold of limaçon − and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots

Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method

I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 22–27

Добавлено: 3 июля 2023 г.

Thermal characteristics of III-V microlasers bonded onto silicon board

A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 108–113

Добавлено: 3 июля 2023 г.

Microring lasers with a waveguide coupler

N.A. Fominykh, F.I. Zubov, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 126–132

Добавлено: 3 июля 2023 г.

The investigation of optical coupling of microlasers with tapered fiber

N. A. Fominykh, E. I. Moiseev, I. S. Makhov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 167–170

Добавлено: 14 марта 2023 г.

Integrated optical transceiver based on III-V microdisk laser and photodiode

Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Драгунова А. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 371–375

In this work, we study III-V p-i-n photodetectors and disk microlasers in terms of their static and small-signal modulation frequency response. InGaAs/GaAs quantum welldots (QWDs) are used as the active region of the devices to provide operation wavelength around 1.1 µm, high optical and frequency response and temperature stability of characteristics. 30 µ m-in-diameter microdisk ...

Добавлено: 14 марта 2023 г.

Analysis of characteristics of InGaAs/GaAs microdisk lasers bonded onto silicon board

Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 163–166

In this work we study characteristics of the III-V microdisk lasers bonded onto silicon board. The bonding of microdisk lasers to the silicon substrate reduces their thermal resistance. Here we show improvement in output power, lasing threshold, dynamic characteristics and energy consumption in microdisk lasers with diameters of 31 μm and 19 μm by comparison ...

Добавлено: 14 марта 2023 г.

Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

Надточий А. М., Мельниченко И. А., Иванов К. А. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 993–996

Методами спектроскопии фотолюминесценции в непрерывном режиме и с разрешением по времени исследована гетероструктура с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs в диапазоне температур 10-300 K. Полученное время спада ФЛ разделено на излучательную и безызлучательную составляющие времени жизни носителей заряда. Обнаружено, что излучательное время жизни демонстрирует экспоненциальный рост с увеличением температуры, в то время как температурная зависимость безызлучательного времени ...

Добавлено: 4 января 2023 г.