Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

Харченко А. А.; А. М. Надточий; Шерняков Ю. М.; Гордеев Н. Ю.; Паюсов А. С.

doi:10.61011/FTP.2024.06.58945.6937

Публикации

?

Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. № 6. С. 313–317.

Харченко А. А., Надточий А. М., Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С.

В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990−1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах достигает 22 дБ при значении тока накачки 57 мА на длине волны 1040 нм, при этом в полосе 1010−1075 нм значение коэффициента усиления составляет не менее 10 дБ.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: русский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: Quantum well-dots квантовые яма-точки semiconductor optical amplifiers transparency current полупроводниковые оптические усилители ток прозрачности

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Создание и исследование полупроводниковых микро- и нанолазеров для схем интегральной фотоники (2024)

VACUUM DISCHARGE DRIVEN BY STRIPE LINE STORAGE AS A SOURCE OF EUV RADIATION

Antsiferov P.S., Stepanov L.V., Matiukhin N. D., Review of Scientific Instruments 2025 Vol. 96 No. 12 Article 123506

Добавлено: 20 мая 2026 г.

Регистрация спектров на 6.65 метровом ВУФ-УФ спектрометре с помощью многоканального детектора

Анциферов П. С., Степанов Л. В., Матюхин Н. Д., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 2 С. 214–218

Сообщено о разработке системы регистрации спектров на ПЗС-линейке для уникального ВУФ спектрометра, построенного на основе сферической дифракционной решетки с радиусом 6.65 m. Была использована линейка HAMAMATSU S11156-2048-02, которая устанавливалась по касательной к окружности Роуланда с возможностью механического перемещения для сканирования спектра. Были получены спектрограммы в диапазоне длин волн 2130-2270 Angstrem. Описана методика сшивки регистрируемых спектральных ...

Добавлено: 20 мая 2026 г.

ML-based Fast Simulation of FARICH Responses

Шипилов Ф. А., Barnyakov A., Ivanov A. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2026.

Добавлено: 19 мая 2026 г.

On a Possible Method for Separating CO Lines from the Spectrum of the Cosmic Microwave Background

Malinovsky A. M., Пилипенко С. В., Mikhalchenko A. O. и др., Astronomy Reports 2026 Vol. 70 P. 1–6

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Broadband photoluminescence of epitaxial bismuth nanowires and planar nanostructures

Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705

Добавлено: 19 мая 2026 г.

STM study of single phosphorus incorporation into silicon by heating PBr3 on Si(100)

Павлова Т. В., V.M. Shevlyuga (Шевлюга В. М., Applied Surface Science 2026 Vol. 736 P. 166813–166813

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Single-photon diamond sources created by nature

Pasternak D., Romshin A., Khmelnitsky Р. и др., Carbon 2026 Vol. 256 Article 121655

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Optical features of nanoplatelets modified with chiral ligands

Смирнов А. М., Kurtina D. A., Saitov S. R. и др., Optical Materials: X 2026 Vol. 30 Article 100441

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Temperature-driven charge transport in annealed CdSe/CdS nanoplatelets film

Смирнов А. М., Mantsevich V. N., Saitov S. R. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 Article 185702

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией

Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30

Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Plasmonic Au-Assisted g-C3N4/CeO2 Heterojunction for Enhanced Photocatalytic Breakdown of Organic Pollutants

The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394

Добавлено: 16 мая 2026 г.

The origin of enhanced photocatalytic performance in titanium dioxide via niobium doping: From experimental assessments to DFT insights

Дас А., Paul R., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 P. 138830

Добавлено: 16 мая 2026 г.

Perturbation theory for phase correlations of a light wave propagating in a turbulent medium

Колоколов И. В., Лебедев В. В., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 Article 054117

Добавлено: 15 мая 2026 г.

Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties

Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

CsPbBr3 and Cs4PbBr6 perovskite nanoparticles: hidden potential of Cs4PbBr6 or ineffective fluorescence?

Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27

Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...

Добавлено: 25 февраля 2025 г.

Mode leakage into substrate in microdisk lasers

I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216

Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Far-field patterns and lasing threshold of limaçon − and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots

Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method

I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 22–27

Добавлено: 3 июля 2023 г.

Thermal characteristics of III-V microlasers bonded onto silicon board

A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 108–113

Добавлено: 3 июля 2023 г.

Microring lasers with a waveguide coupler

N.A. Fominykh, F.I. Zubov, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 126–132

Добавлено: 3 июля 2023 г.

The investigation of optical coupling of microlasers with tapered fiber

N. A. Fominykh, E. I. Moiseev, I. S. Makhov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 167–170

Добавлено: 14 марта 2023 г.

Integrated optical transceiver based on III-V microdisk laser and photodiode

Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Драгунова А. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 371–375

In this work, we study III-V p-i-n photodetectors and disk microlasers in terms of their static and small-signal modulation frequency response. InGaAs/GaAs quantum welldots (QWDs) are used as the active region of the devices to provide operation wavelength around 1.1 µm, high optical and frequency response and temperature stability of characteristics. 30 µ m-in-diameter microdisk ...

Добавлено: 14 марта 2023 г.

Analysis of characteristics of InGaAs/GaAs microdisk lasers bonded onto silicon board

Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 163–166

In this work we study characteristics of the III-V microdisk lasers bonded onto silicon board. The bonding of microdisk lasers to the silicon substrate reduces their thermal resistance. Here we show improvement in output power, lasing threshold, dynamic characteristics and energy consumption in microdisk lasers with diameters of 31 μm and 19 μm by comparison ...

Добавлено: 14 марта 2023 г.