• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Temperature stability of small-signal modulation response of WGM microlasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots in the active region
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Temperature stability of small-signal modulation response of WGM microlasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots in the active region

Ch. 012082.
Isaev N. K., E. I. Moiseev, N. A. Fominykh, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, M. V. Maximov, A. E. Zhukov
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: microlaserмикролазерывысокочастотная модуляцияhigh-frequency modulationQuantum well-dotsквантовые яма-точки

В книге

8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021
Жуков А. Е. Institute of Physics Publishing (IOP), 2021.
Похожие публикации
Quantum-dot surface-emitting lasers: micropillar cavities grown by molecular-beam epitaxy
Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208
Добавлено: 23 марта 2026 г.
Optical properties of InGaAsN quantum well-based microlasers passivated by SiO2 sol–gel film
Ivan Melnichenko, Shugabaev T., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 21 P. 6819–6822
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35
Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением
Образцова А. А., Пивоварова А. А., Комаров С. Д. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 1 С. 37–42
Представлен подход к созданию микролазеров с квантовыми точками на подложках GaAs с дисковым резонатором, электрическим контактом мостикового типа и опорной мезой, сформированными методом жидкостного химического травления. Мостиковая конструкция представляет собой две соединенные подвешенной золотой балкой мезаструктуры, одна из которых является, собственно, микродисковым резонатором, а вторая служит для создания вынесенного электрического контакта. Предложенный метод открывает пути ...
Добавлено: 26 мая 2025 г.
Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью
Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27
Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...
Добавлено: 25 февраля 2025 г.
Ultra-short stripe microlasers fabricated with a focused ion beam etching technique
Махов И. С., Комаров С. Д., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 2 P. 387–390
Добавлено: 9 января 2025 г.
Mode leakage into substrate in microdisk lasers
I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216
Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...
Добавлено: 23 декабря 2024 г.
Far-field patterns and lasing threshold of limaçon − and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots
Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299
Добавлено: 23 декабря 2024 г.
Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек
Харченко А. А., Надточий А. М., Шерняков Ю. М. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 313–317
В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990−1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах ...
Добавлено: 24 октября 2024 г.
Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом
Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Комаров С. Д. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 2 С. 107–113
Исследованы микродисковые лазеры диаметром 30 и 40 мкм с активной областью на основе InGaAs/GaAs- квантовых точек, латерально сопряженные с оптическим волноводом. Микролазеры и волноводы были изготовлены в едином процессе на одной подложке GaAs. Проведено исследование спектральных характеристик при протекающих через микролазер и (или) волновод токах инжекции, превышающих порог генерации до 4 раз. Показана возможность снижения ...
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 11 С. 1483–1485
Исследованы характеристики лазерной генерации микродисковых лазеров, сопряженных с оптическим волноводом и работающих в непрерывном режиме при повышенных температурах. Продемонстрированы лазерная генерация и волноводный эффект при температурах вплоть до 92.5 С. Измеренная характеристическая температура микролазеров составила 65 K в диапазоне 25-92.5 С. ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
III–V microdisk lasers coupled to planar waveguides
N. V. Kryzhanovskaya, K. A. Ivanov, N. A. Fominykh и др., Journal of Applied Physics 2023 Vol. 134 No. 10 Article 103101
Добавлено: 30 октября 2023 г.
Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method
I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 22–27
Добавлено: 3 июля 2023 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору