?
Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method
St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.1. P. 22–27.
I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov, I.S. Makhov, Maximov M. V., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., N.V. Kryzhanovskaya, Жуков А. Е.
Ключевые слова: Quantum well-dotsInGaAs Heterostructuresквантовые яма-точкиtime-resolved photoluminescenceвремя-разрешенная фотолюминесценцияInGaAs гетероструктуры
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Дас А., Paul R., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 P. 138830
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Колоколов И. В., Лебедев В. В., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 Article 054117
Добавлено: 15 мая 2026 г.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Гущина В. А., Physics of Complex Systems, Russia 2026 Vol. 7 No. 1 P. 3–15
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Bisnovatyi-Kogan G., Кондратьев И. А., Моисеенко С. Г., International Journal of Modern Physics A 2025 Vol. 40 No. 7 Article 2550018
Добавлено: 11 мая 2026 г.
Торопина О. Д., Бисноватый-Коган Г. С., Моисеенко С. Г., Astronomy Reports 2025 Vol. 69 No. Suppl. 1 P. 80–90
Представлены результаты МГД-моделирования сверхзвуковых астрофизических и лабораторных струй во внешнем полоидальном магнитном поле (Br,Bz) с учетом вращения вещества. Выброшенное вещество коллимируется магнитным полем, степень коллимации и структура потока зависят от соотношения между индукцией магнитного поля и угловой скоростью вещества. При сильном магнитном поле и умеренном вращении образуется бочкообразная структура вытянутой формы, оставляющая после себя стабильный ...
Добавлено: 11 мая 2026 г.
Гущина В. А., Russian Journal of Inorganic Chemistry 2024 Vol. 69 No. 6 P. 940–948
В настоящее время наночастицы ABX3 (NPs) на основе галогенидов свинца привлекают внимание благодаря своим уникальным оптическим свойствам и широкому спектру применения. Получение наночастиц со свинцом в качестве частичной или полной замены особенно интересно из-за токсичности этого химического элемента и большинства его соединений. В этом исследовании мы предлагаем модифицированный метод синтеза наночастиц перовскита с использованием марганца в качестве ...
Добавлено: 6 мая 2026 г.
Morozov E. V., Demin A. S., Borovitskaya I. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 3 P. 619–626
Добавлено: 4 мая 2026 г.
A. A. Ponomarev, N. L. Aleksandrov, Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Tsareva O. O., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 2 P. 179–185
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27
Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...
Добавлено: 25 февраля 2025 г.
I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216
Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...
Добавлено: 23 декабря 2024 г.
Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299
Добавлено: 23 декабря 2024 г.
Харченко А. А., Надточий А. М., Шерняков Ю. М. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 313–317
В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990−1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах ...
Добавлено: 24 октября 2024 г.
Klimenko G. A., A. Hasan, Yakimov B. P. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 275 Article 120732
Добавлено: 20 июня 2024 г.
A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 108–113
Добавлено: 3 июля 2023 г.
N.A. Fominykh, F.I. Zubov, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 126–132
Добавлено: 3 июля 2023 г.
N. A. Fominykh, E. I. Moiseev, I. S. Makhov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 167–170
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Драгунова А. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 371–375
In this work, we study III-V p-i-n photodetectors and disk microlasers in terms of their static and small-signal modulation frequency response. InGaAs/GaAs quantum welldots (QWDs) are used as the active region of the devices to provide operation wavelength around 1.1 µm, high optical and frequency response and temperature stability of characteristics. 30 µ m-in-diameter microdisk ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 163–166
In this work we study characteristics of the III-V microdisk lasers bonded onto silicon board. The bonding of microdisk lasers to the silicon substrate reduces their thermal resistance. Here we show improvement in output power, lasing threshold, dynamic characteristics and energy consumption in microdisk lasers with diameters of 31 μm and 19 μm by comparison ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.