?
Automatized setup for researching of MIS structures under high-field tunnel injection of electrons at stress and measurement conditions
Ch. 8337209. P. 1–3.
В книге
M.: IEEE, 2018.
Andreev D. V., Kornev S. A., G. G. Bondarenko и др., Inorganic Materials: Applied Research 2025 Vol. 16 No. 5 P. 1301–1305
Добавлено: 12 сентября 2025 г.
Добавлено: 25 июня 2020 г.
Andreev D., Gennady G. Bondarenko, Andreev V. и др., High Temperature Material Processes 2019 Vol. 23 No. 4 P. 303–312
Добавлено: 30 января 2020 г.
Добавлено: 10 января 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., High Temperature Material Processes 2017 Vol. 21 No. 4 P. 299–307
Добавлено: 24 июня 2018 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2017 Vol. 132 No. 2 P. 245–248
Добавлено: 9 октября 2017 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Андреев Д. В. и др., В кн.: Труды XXVII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь,10-15 июля 2017 г.), под редакцией д.ф.-м.н., проф.Бондаренко Г.Г. М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2017, 522 с.: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2017. С. 412–419.
В данной работе разработан сенсор на основе МДП-структуры с инжекционно-модифицированным подзатворным диэлектриком для контроля интенсивности радиационного излучения и определения интегральной поглощенной дозы. Проведено исследование воздействия альфа-частиц и гамма-излучения на МДП-структуры, находящиеся в специальных электрических режимах. ...
Добавлено: 22 августа 2017 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Andreev V. V. и др., , in: Proceedings of 10th International Conference “New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation” (Zakopane, Poland, June 27 – 30, 2017).: Lublin: lublin University of Technology, 2017. P. 59.
Добавлено: 5 июля 2017 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., В кн.: Тезисы докладов XLVII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, МГУ, 30 мая – 1 июня 2017). М. МГУ, 2017.: КДУ, 2017. С. 65.
В работе проведено исследование изменения зарядового состояния МДП-структур, находящихся в режиме сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик, при радиационных воздействиях. ...
Добавлено: 14 июня 2017 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Тихонов А. Н. и др., В кн.: Труды XXVI Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 4-9 июля 2016г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2016. С. 490–497.
В работе проведено исследование воздействия альфа-частиц на МДП-структуры, находящиеся в режиме протекания через диэлектрик постоянного туннельного тока, обусловленного сильнополевой по Фаулеру-Нордгейму инжекцией электронов в диэлектрик, а также в режиме заряда и разряда емкости постоянным током. ...
Добавлено: 30 августа 2016 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2016 № 4 С. 94–99
Исследовано изменение зарядового состояния МДП-структур с двухслойным подзатворным диэлектриком диоксид кремния–фосфорно-силикатное стекло при их модификации в процессе электронного облучения и инжекции электронов в сильных электрических полях. Тонкая пленка стекла образовывалась в результате легирования фосфором термической пленки SiO2, сформированной на поверхности кремниевой пластины. Установлено, что отрицательный заряд, накаплива
ющийся в тонкой пленке фосфорно-силикатного стекла в процессе туннельной ...
Добавлено: 1 августа 2016 г.
Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком на основе термической пленки SiO2, легированной фосфором, при воздействии сильнополевой инжекцией электронов. Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в тонкой плёнке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для корректировки пороговых напряжений, повышения зарядовой ...
Добавлено: 19 ноября 2015 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Масловский В. М. и др., В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 633–642.
В работе проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур в результате сильнополевой инжекционной обработки и последующего отжига, а также плазменной обработки полупроводниковых кристаллов. Найдены режимы обработок, позволяющие улучшить характеристики подзатворного диэлектрика МДП-структур. ...
Добавлено: 17 июля 2015 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 242–252.
В работе рассмотрена возможность модификации МДП-структур c пленкой SiO2, легированной фосфором путём сильнополевой туннельной инжекции электронов в подзатворный диэлектрик и облучения кристаллов низкоэнергетичными электронами, а также проведено исследование режимов легирования пленки SiO2 фосфором на характеристики МДП-структур.Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в плёнке ФСС в структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС как в процессе сильнополевой туннельной ...
Добавлено: 16 июля 2015 г.
Andreev V. V., Bondarenko G.G., Maslovsky V. M. и др., Physica status solidi C 2015 Vol. 12 No. 3 P. 299–303
In this study, a modified technique of control current stress to investigation thin gate dielectric of MIS structures is proposed. This technique allows to monitor charge trapping in gate dielectric of MIS structures under high-field and another stress situations (irradiation, plasma, hot carriers, etc.). The technique also may be used for testing thin gate dielectric ...
Добавлено: 19 апреля 2015 г.
Andreev V. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2015 Vol. 6 No. 2 P. 128–132
Добавлено: 9 апреля 2015 г.
Козлов В. А., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2012 № 9 С. 22–26
Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в
полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом, сферически симметричном потенциале рассеивателя. ...
Добавлено: 24 февраля 2015 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. и др., В кн.: Труды XXIV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 7 июля - 12 июля 2014г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2014. С. 381–386.
В данной работе для исследования процессов радиационной деградации и модификации тонких и сверхтонких диэлектрических пленок МДП-структур предложен новый метод многоуровневой токовой нагрузки. Этот метод позволяет исследовать процессы деградации и модификации МДП-структур при воздействии радиационных облучений, сильных электрических полей, плазменных обработок, инжекции горячих носителей и других стрессовых воздействий. Метод также дает возможность контролировать дефектность тонких пленок ...
Добавлено: 23 января 2015 г.