• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Using Injection-Thermal Treatment to Reduce Defectiveness of Dielectric Films of MIS Structures
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 июля 2026 г.
«Тело саботирует мозг»: ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург объяснили физиологическую природу компульсивного переедания
Исследователи НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург совместно с экспертами Тюменского государственного медицинского университета доказали, что при расстройствах пищевого поведения (РПП) организм теряет способность адаптироваться к стрессу. Попытки пациентов взять себя в руки при переедании часто не приносят результата: нервная система перестает реагировать на команды мозга.
15 июля 2026 г.
В НИУ ВШЭ создан Фонд науки и технологий
Фонд науки и технологий НИУ ВШЭ (ФНТ) будет финансировать перспективные научные инициативы, имеющие прикладную направленность и содействующие достижению технологического лидерства России. На поддержку могут рассчитывать проектные команды из всех кампусов университета. Заявку в ФНТ можно подать в любой момент. Рассматривать заявки будет созданный Совет по науке и технологиям НИУ ВШЭ.
14 июля 2026 г.
«Я мечтаю о простых вещах»
Анастасия Гергенретер занимается прикладной статистикой и эконометрикой. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала о том, зачем изучает потребление аддиктивных веществ, о двух очень разных Фишерах и о цветении сакуры в Главном ботаническом саду.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Using Injection-Thermal Treatment to Reduce Defectiveness of Dielectric Films of MIS Structures

Inorganic Materials: Applied Research. 2025. Vol. 16. No. 5. P. 1301–1305.
Andreev D. V., Kornev S. A., G. G. Bondarenko, Andreev V. V.
Научное направление: Технологии материалов Электроника и электротехника
Язык: английский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: МДП-структураgate dielectricподзатворный диэлектрикинжекционно-термическая обработкаMIS structureinjection-thermal treatment
Похожие публикации
De-Dollarization, Global Economic Integration, and Resilience in BRICS+ Economies
Economies 2026 Vol. 14 No. 07 P. 277
Добавлено: 14 июля 2026 г.
2026 International Russian Smart Industry Conference (SmartIndustryCon)
Sochi: IEEE, 2026.
Добавлено: 13 июля 2026 г.
Petrosyants K.O., Kharitonov I.A. & Tegin M.S. Simulation of Electrothermal Transient Responses in Power PCB Modules Using Comsol, Spice, and Asonika-TM.
Харитонов И. А., Петросянц К. О., Тегин М. С., Russian Microelectronics 2025 Vol. 25 P. 743–750
В работе предложена и  реализована усовершенствованная  схема многоуровневого автоматизированного электро-теплового моделирования мощных электронных компонентов с использованием:  ПО Comsol на уровне полупроводниковых приборов, Spice – на уровне принципиальных схем и Асоника-ТМ на уровне печатных плат. Описаны разработанные дополнительные программные средства для реализации предложенного маршрута, обеспечивающие  автоматизацию  процессов расчета  мощностей мощных компонентов, передачи этих значений в пакет ...
Добавлено: 10 июля 2026 г.
Conference Proceedings: 2026 IEEE Ural-Siberian Conference on Biomedical Engineering, Radioelectronics and Information Technology (USBEREIT), 14-15 May 2026
IEEE, 2026.
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Simulation of Electrothermal Transient Responses in Power PCB Modules Using Comsol, Spice, and Asonika-TM
K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, Tegin M. S., Russian Microelectronics 2025 Vol. 54 No. 7 P. 743–750
работе предложена и реализована усовершенствованная схема многоуровневого автоматизированного электротеплового моделирования мощных электронных компонентов с использованием программного обеспечения Comsol на уровне полупроводниковых приборов, Spice-моделирования на уровне принципиальных схем и системы «Асоника-ТМ» на уровне печатных плат. Описаны разработанные дополнительные программные средства для реализации предложенного маршрута, обеспечивающие автоматизацию процессов расчета мощностей компонентов мощных схем, передачи этих значений в ...
Добавлено: 7 июля 2026 г.
Proceedings of The 12th International Conference on Power and Energy Systems Engineering. Book Title. Series Title: Lecture Notes in Electrical Engineering, Publisher: Springer Singapore. 2025.
Singapore: Springer, 2025.
Добавлено: 1 июля 2026 г.
Russian Microelectronics, vol. 54, 2025
Nauka, 2025.
Журнал «Микроэлектроника / Russian Microelectronics» – рецензируемое академическое издание, посвященное современным исследованиям в области микро- и наноэлектроники. Публикации в журнале «Микроэлектроника / Russian Microelectronics» охватывают широкий спектр вопросов по литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), технологиям травления и осаждения, легирования, моделированию технологических процессов и современных нанотранзисторов, плазменным технологиям, сухому травлению и многим смежным тематикам. Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших ...
Добавлено: 1 июля 2026 г.
Построение методик оценки качества восприятия (QOE) потокового видео
Ивченко А. В., Дворкович А. В., Телекоммуникации 2020 Т. 12 С. 2–11
Технология Dynamic Adaptive Streaming over HTTP (DASH) обеспечивает работу большинства мультимедийных сервисов, ее особенности (повторные буферизации, переключения качества и др.) приводят к необходимости создания специализированных методик оценки пользовательского, субъективного качества восприятия Quality of Experience (QoE) на основе объективных параметров. В данной статье исследуется влияние различных метрик на QoE и приводятся модели оценки с коэффициентом корреляции ...
Добавлено: 27 июня 2026 г.
Generalized Hurst Hypothesis: Description of Time-Series in Communication Systems
Ивченко А. В., Nigmatullin R. R., Dorokhin S. V., Mathematics 2021 Vol. 9 No. 4 Article 381
В данной работе мы сосредоточимся на обобщении эмпирического закона Херста и предложим набор редуцированных параметров для количественного описания длительных временных рядов. Эти ряды обычно рассматриваются как специфический отклик сложной системы (экономической, геофизической, электромагнитной и других), где последовательная фиксация внешних факторов становится невозможной. Мы рассматриваем применение обобщенных законов Херста для получения нового набора редуцированных параметров в ...
Добавлено: 27 июня 2026 г.
Моделирование влияния температуры на взаимодействие катода с тонкой диэлектрической пленкой и плазмы тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути
Г. Г. Бондаренко, Кристя В. И., Савичкин Д. О. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2026 № 4 С. 29–36
Сформулирована модель тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути при наличии на поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Рассчитаны зависимости характеристик разряда от температуры в интервале ее изменения, в котором заметный вклад в ионизацию рабочей газовой смеси дает ионизация атомов ртути метастабильными возбужденными атомами аргона (реакция Пеннинга). Показано, что в случае катода без диэлектрической пленки при повышении температуры до ...
Добавлено: 20 июня 2026 г.
Innovations in Information and Decision Sciences. Proceedings of the 13th International Conference on Frontiers in Intelligent Computing: Theory and Applications (FICTA 2025), Volume 4
Springer, 2026.
Добавлено: 8 июня 2026 г.
Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Facile and Green Approach to Synthesize Biomass-Derived Zero-/Two-Dimensional Carbon Dots/g-C3N4 Heterojunction for Efficient Photocatalytic and Photoelectrocatalytic Applications
Дас А., Saikia J., Maji N. и др., ChemNanoMat 2026 Vol. 12 No. 5 Article e202500733
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Optimal Design of Copper-Doped ZnO Heterostructures for Photocatalytic and Photoeletrochemical Performance: A Combined Experimental and DFT Study
Wary R. R., Mahato B., Sharma N. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 5099–5107
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Electrostatically gated dissipation control in two-dimensional nanoelectromechanical resonators via strain-amplitude antagonism for record 928% Q tunability
Jiang Q., Fang J., Chen J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 Article 162402
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Reproducible Benchmark of Wavelet-Enhanced Intrabody Communication Biometric Identification
Джин С., Комаров М. М., Scientific Reports 2026
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Влияние материала затвора МДП-структур на процессы сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика
Андреев Д. В., Корнев С. А., Бондаренко Г. Г. и др., Перспективные материалы 2026 № 6 С. 5–11
Выполнено сравнительное исследование процессов сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) с алюминиевым и поликремниевым затвором. Зарядовые явления в МДП-структурах изучали методом сильнополевой инжекции электронов в диэлектрик в режиме возрастания плотности стрессового инжекционного тока с кратковременными переключениями в измерительный режим при постоянной низкой плотности инжекционного тока. Использование данного метода позволило получить новые данные о процессах зарядовой деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур с ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Plasmonic Au-Assisted g-C3N4/CeO2 Heterojunction for Enhanced Photocatalytic Breakdown of Organic Pollutants
Rathish S., Andrey S. Vasenko, Thazhathenair A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Использование инжекционно-термической обработки для уменьшения дефектности диэлектрических пленок МДП-структур
Андреев Д. В., Корнев С. А., Бондаренко Г. Г. и др., Перспективные материалы 2025 № 5 С. 17–23
Рассмотрена инжекционно-термическая обработка (ИТО) МДП-структур в режиме ступенчато-возрастающей плотности сильнополевого инжекционного тока, ограниченной значением Jb, при которой не происходит заметных процессов необратимой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика и его границы раздела с полупроводником. Плотность заряда, инжектированного в подзатворный диэлектрик при проведении ИТО, должна обеспечивать выявление образцов с внешними дефектами. Установлено, что проведение инжекционно-термической обработки позволяет существенно снизить плотность внешних дефектов в диэлектрической пленке ...
Добавлено: 17 мая 2025 г.
Increasing the Charge Stability of Gate Dielectric Films of MIS Structure by Doping Them with Phosphorus
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2021 Vol. 12 No. 2 P. 517–520
Добавлено: 2 апреля 2021 г.
Повышение зарядовой стабильности пленок подзатворного диэлектрика МДП-структур методом их легирования фосфором
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., Перспективные материалы 2020 № 7 С. 68–74
Добавлено: 25 июня 2020 г.
Influence of Temperature on High-Field Injection Modification of MIS Structures with Thermal SiO2 Films Doped with Phosphorus
Andreev D., Gennady G. Bondarenko, Andreev V. и др., High Temperature Material Processes 2019 Vol. 23 No. 4 P. 303–312
Добавлено: 30 января 2020 г.
Simulation of charge processes in dielectric films of MIS structures at simultaneous influence by ionization and high-field injection of electrons
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Procedia Manufacturing 2019 Vol. 37 P. 279–285
Добавлено: 10 января 2020 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору