?
Modification of dielectric films in MIS structures using the injection-thermal treatment
Inorganic Materials: Applied Research. 2015. Vol. 6. No. 2. P. 128-132.
Ключевые слова: МДП-структурадиэлектрические пленкиdielectric filmsMIS structurestrong electric fields,сильные электрические поля
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2016 Vol. 10 No. 2 P. 450-454
Добавлено: 28 мая 2016 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 2 P. 187-191
Добавлено: 28 мая 2016 г.
Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком на основе термической пленки SiO2, легированной фосфором, при воздействии сильнополевой инжекцией электронов. Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в тонкой плёнке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для корректировки пороговых напряжений, повышения зарядовой ...
Добавлено: 19 ноября 2015 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2017 Vol. 132 No. 2 P. 245-248
Добавлено: 9 октября 2017 г.
Разработан инжекционный метод исследования диэлектрических пленок МДП-структур при стрессовых и измерительных режимах в условиях сильнополевой инжекции электронов, учитывающий процессы заряда емкости структуры и захвата заряда в подзатворном диэлектрике МДП‑структур в инжекционном режиме. Показано, что при высоких плотностях инжекционного тока контроль характеристик накапливаемого в подзатворном диэлектрике заряда разработанным методом необходимо проводить по изменению напряжения на МДП‑структуре ...
Добавлено: 8 октября 2017 г.
Andreev V. V., Baryshev V. G., Bondarenko G.G. и др., Journal of Advanced Materials 2000 Vol. 5 No. 2 P. 27-33
Добавлено: 2 декабря 2013 г.
Бондаренко Г.Г., Андреев В. В., Барышев В. Г. и др., Известия высших учебных заведений. Физика 1999 № 5 С. 59-63
Добавлено: 27 января 2014 г.
Добавлено: 10 января 2020 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2020 № 3 С. 53-57
На основе полученных экспериментальных данных разработана модель процессов изменения зарядового состояния МДП-структур при одновременном воздействии сильнополевой туннельной инжекции электронов и радиационных излучений. Модель учитывает взаимодействие инжектированных электронов с зарядами, возникающими в диэлектрической пленке вследствие радиационной и
сильнополевой ионизации. Показано, что при взаимодействии инжектируемых электронов с дырками, захваченными в пленке SiO2, часть дырок может аннигилировать, приводя к ...
Добавлено: 17 февраля 2020 г.
Процессы радиационной ионизации в диэлектрических пленках МДП-структур в сильных электрических полях
Проведено исследование воздействия a-частиц и протонов на МДП-структуры, находящихся в условиях сильнополевой туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекцией электронов в диэлектрик. Инжекция электронов осуществлялась в режиме протекания постоянного тока через подзатворный диэлектрик при положительной полярности напряжения на затворе. Установлено, что ионизационный ток, возникающий в процессе облучения МДП-структуры при поддержании режима протекания постоянного тока, может существенно уменьшать электрическое ...
Добавлено: 23 декабря 2015 г.
Andreev V. V., Bondarenko G.G., Maslovsky V. M. и др., Physica status solidi C 2015 Vol. 12 No. 3 P. 299-303
In this study, a modified technique of control current stress to investigation thin gate dielectric of MIS structures is proposed. This technique allows to monitor charge trapping in gate dielectric of MIS structures under high-field and another stress situations (irradiation, plasma, hot carriers, etc.). The technique also may be used for testing thin gate dielectric ...
Добавлено: 19 апреля 2015 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г.Г., Столяров А. А. и др., Физика и химия обработки материалов 2001 № 2 С. 53-58
Добавлено: 28 января 2014 г.
Andreev D., Gennady G. Bondarenko, Andreev V. и др., High Temperature Material Processes 2019 Vol. 23 No. 4 P. 303-312
Добавлено: 30 января 2020 г.
Предложена модель модификации и деградации МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной слоем фосфорно-силикатного стекла, в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик. Исследованы процессы зарядовой деградации и модификации МДП-структур Si - SiO2-Аl, Si- SiO 2-ФСС-Аl и Si-SiO2- поликремний при сильнополевой туннельной инжекции электронов. Моделирование процессов зарядовой деградации с учетом распределения локальных электрических полей в ...
Добавлено: 25 ноября 2013 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., High Temperature Material Processes 2017 Vol. 21 No. 4 P. 299-307
Добавлено: 24 июня 2018 г.
Andreev V. V., Bondarenko G.G., Maslovsky V. M. и др., Physica status solidi C 2015 Vol. 12 No. 1-2 P. 126-130
The effect of high-field injection–thermal and irradiation treatments on the MIS structures reliability and defect reduction in the nanoscale gate dielectric has been investigated. Injection-thermal treatment (ITT) of MIS structures consisted of high-field electron injection into gate dielectric with the charge of defined value and subsequent parameter stabilization of MIS structures by means of thermal ...
Добавлено: 20 января 2015 г.
Добавлено: 25 июня 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 1740 Article 012034
Добавлено: 26 января 2021 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2016 № 4 С. 94-99
Исследовано изменение зарядового состояния МДП-структур с двухслойным подзатворным диэлектриком диоксид кремния–фосфорно-силикатное стекло при их модификации в процессе электронного облучения и инжекции электронов в сильных электрических полях. Тонкая пленка стекла образовывалась в результате легирования фосфором термической пленки SiO2, сформированной на поверхности кремниевой пластины. Установлено, что отрицательный заряд, накаплива
ющийся в тонкой пленке фосфорно-силикатного стекла в процессе туннельной ...
Добавлено: 1 августа 2016 г.
Добавлено: 28 января 2014 г.
Antipov A., Seleznev V., Vakhtomin Y. и др., IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE) 2020 Vol. 781 No. 1 P. 012011-1-012011-5
Spectral characteristics of WSi and NbN superconducting single-photon detectors with different surface resistance and width of nanowire strips have been investigated in the wavelength range of 1.3-2.5 µm. WSi structures with narrower strips demonstrated better performance for detection of single photons in longer wavelength range. The difference in normalized photon count rate for such structures ...
Добавлено: 10 декабря 2020 г.
Будков Ю. А., Kolesnikov A. L., Polymer Science - Series C 2018 Vol. 60 No. Supplement 1 P. 148-159
Представлен критический анализ теоретических моделей конформационного поведения гибких
полимерных цепей в смешанных растворителях, сформулированных в мировой литературе за последние десять лет. Освещены модели, описывающие различные механизмы переходов клубок–
глобула в хорошем растворителе, индуцированных добавкой сорастворителя. Особое внимание уделено анализу теоретических подходов к описанию коллапса полимерных цепей в бинарных смесях
хороших растворителей. Обзор адресован исследователям, работающим в области физики ...
Добавлено: 30 ноября 2018 г.
В этой статье мы представляем измерения и сравнение длины распространения SPP на практически важной длине волны излучения, широко используемой в телекоммуникациях (1560 нм), а также в ближнем инфракрасном и видимом спектральных диапазонах. Измерения проводились для плоских плазмонных волн, возбуждаемых на поверхности пленки Ag, с помощью оптической микроскопии плазмонных волн в дальнем поле. Мы также демонстрируем возможность визуализации распространения SPP-волн ...
Добавлено: 15 января 2021 г.
M. : Faculty of Physics, MSU, 2017
The Low Temperature Physics Conference is an international event held every three years, under the auspices of the IUPAP through its Commission C5 on Low Temperature Physics. The aim of these conferences is to exchange information and views among the members of the international scientific community in the general field of Low Temperature Physics. It ...
Добавлено: 1 октября 2017 г.