?
СЕНСОРЫ РАДИАЦИОННЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ МДП-СТРУКТУР С МОДИФИЦИРОВАННЫМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ
С. 412-419.
В данной работе разработан сенсор на основе МДП-структуры с инжекционно-модифицированным подзатворным диэлектриком для контроля интенсивности радиационного излучения и определения интегральной поглощенной дозы. Проведено исследование воздействия альфа-частиц и гамма-излучения на МДП-структуры, находящиеся в специальных электрических режимах.
Язык:
русский
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Тихонов А. Н. и др., В кн. : Труды XXVI Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 4-9 июля 2016г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2016. С. 490-497.
В работе проведено исследование воздействия альфа-частиц на МДП-структуры, находящиеся в режиме протекания через диэлектрик постоянного туннельного тока, обусловленного сильнополевой по Фаулеру-Нордгейму инжекцией электронов в диэлектрик, а также в режиме заряда и разряда емкости постоянным током. ...
Добавлено: 30 августа 2016 г.
Шаталов А. С., Дюжиков И. Н., Чигарев С. Г. и др., В кн. : Труды XXIX Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 08 июля – 13 июля 2019г.). : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2019. С. 80-83.
В работе показана возможность создания на основе облученных тяжелыми ионами ядерных мембран методом матричного синтеза массива нанопроволок, состоящих из двух слоёв с различными магнитными свойствами. Отработана методика нанесения полупрозрачного (для терагерцового излучения) слоя на одной из сторон такого металло-полимерного композита. Показано, что при пропускании тока через такую структуру возможно возникновение нетеплового излучения, попадающего в терагерцовый ...
Добавлено: 16 августа 2019 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А. и др., В кн. : Труды XXIV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 7 июля - 12 июля 2014г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2014. С. 381-386.
В данной работе для исследования процессов радиационной деградации и модификации тонких и сверхтонких диэлектрических пленок МДП-структур предложен новый метод многоуровневой токовой нагрузки. Этот метод позволяет исследовать процессы деградации и модификации МДП-структур при воздействии радиационных облучений, сильных электрических полей, плазменных обработок, инжекции горячих носителей и других стрессовых воздействий. Метод также дает возможность контролировать дефектность тонких пленок ...
Добавлено: 23 января 2015 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., В кн. : Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 242-252.
В работе рассмотрена возможность модификации МДП-структур c пленкой SiO2, легированной фосфором путём сильнополевой туннельной инжекции электронов в подзатворный диэлектрик и облучения кристаллов низкоэнергетичными электронами, а также проведено исследование режимов легирования пленки SiO2 фосфором на характеристики МДП-структур.Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в плёнке ФСС в структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС как в процессе сильнополевой туннельной ...
Добавлено: 16 июля 2015 г.
Балыкин В. И., Калмыков А. С., Гритченко А. С. и др., Applied Physics Letters 2017 Vol. 111 No. 21 P. 213104-1-213104-5
Добавлено: 4 февраля 2019 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., , in : 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. : M. : IEEE, 2018. Ch. 8337209. P. 1-3.
Добавлено: 15 октября 2019 г.
Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком на основе термической пленки SiO2, легированной фосфором, при воздействии сильнополевой инжекцией электронов. Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в тонкой плёнке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для корректировки пороговых напряжений, повышения зарядовой ...
Добавлено: 19 ноября 2015 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., В кн. : Тезисы докладов XLVII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, МГУ, 30 мая – 1 июня 2017). М. МГУ, 2017. : КДУ, 2017. С. 65.
В работе проведено исследование изменения зарядового состояния МДП-структур, находящихся в режиме сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик, при радиационных воздействиях. ...
Добавлено: 14 июня 2017 г.
Добавлено: 25 июня 2020 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2017 Vol. 132 No. 2 P. 245-248
Добавлено: 9 октября 2017 г.
Скуридин А. А., В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016.
Проведено моделирование малогабаритного развязывающего фильтра на метаматериале. Проанализированы S-параметры устройства. ...
Добавлено: 4 сентября 2018 г.
Предложена модель модификации и деградации МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной слоем фосфорно-силикатного стекла, в условиях управляемой сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик. Исследованы процессы зарядовой деградации и модификации МДП-структур Si - SiO2-Аl, Si- SiO 2-ФСС-Аl и Si-SiO2- поликремний при сильнополевой туннельной инжекции электронов. Моделирование процессов зарядовой деградации с учетом распределения локальных электрических полей в ...
Добавлено: 25 ноября 2013 г.
Арутюнян В. В., Алексанян А. М., Бадалян А. О. и др., В кн. : Proceedings of International Conference on Nuclear and Radiation Physics and Materials NRPM 2019 (Yerevan, Armenia, June 17-20, 2019). Yerevan, Armenia, ANSL, 2019. : Ер. : Yerevan Physics Institute, 2019. С. 92-96.
В работе исследованы особенности влияния различных видов облучения на радиационно-индуцированные процессы деструкции поверхностного состояния монокристаллов корунда.Облучения образцов
проводились различными частицами - электронами с энергией 50 МэВ, реакторными нейтронами с энергией 2 МэВ и ионами свинца с энергией 3.5 МэВ/а.е.м. После облучения ионами свинца образцы подвергались термообработке при 1720 К (t=2 часа). Во избежание нагревания при облучении ...
Добавлено: 28 июня 2019 г.
Недосекин П. Г., В кн. : Инновационные, информационные и коммуникационные технологии: сборник трудов XV Международной научно-практической конференции. : М. : Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2018. С. 343-347.
Моделируется одна из основных характеристик монокристаллического алмазного детектора для регистрации гамма излучения. Приведены результаты расчетов и графики зависимостей изменения абсолютной эффективности от толщины и энергии излучения. Ключевые слова: алмазный детектор; излучение; радиация; линейная передача энергии. ...
Добавлено: 26 ноября 2018 г.
Ахмедов Э. Т., Долгопрудный : МФТИ, 2012
Пособие предлагается в помощь студентам, желающим изучить более глубоко некоторые дополнительные вопросы классической электродинамики. Обсуждается, как из принципа наименьшего действия следуют уравнения движения для полей и частиц, как, руководствуясь простыми симметрийными соображениями, можно выписать простейшее действие, из которого следуют фундаментальные уравнения движения для полей и частиц, затем, как из простых соображений инвариантности действия вывести законы ...
Добавлено: 17 февраля 2013 г.
Добавлено: 1 апреля 2014 г.
Ershov I., Стукач О. В., Myasnikova N., , in : 2021 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). : IEEE, 2021. P. 1-5.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2016 № 4 С. 94-99
Исследовано изменение зарядового состояния МДП-структур с двухслойным подзатворным диэлектриком диоксид кремния–фосфорно-силикатное стекло при их модификации в процессе электронного облучения и инжекции электронов в сильных электрических полях. Тонкая пленка стекла образовывалась в результате легирования фосфором термической пленки SiO2, сформированной на поверхности кремниевой пластины. Установлено, что отрицательный заряд, накаплива
ющийся в тонкой пленке фосфорно-силикатного стекла в процессе туннельной ...
Добавлено: 1 августа 2016 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., High Temperature Material Processes 2017 Vol. 21 No. 4 P. 299-307
Добавлено: 24 июня 2018 г.
Abolmasov P., Бирюков А. В., Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 2020 Vol. 496 No. 1 P. 13-18
Добавлено: 31 октября 2022 г.
Используя метод неразрушающего контроля адгезии границы контакта плёнка – подложка по величине тепловой проводимости α12, проведено исследование изменения α12 для системы вольфрамовая плёнка (0,8 мкм) – кремниевая подложка (0,7 мм) после облучения высокоэнергетическими электронами. Показано, что облучение приводит к увеличению тепловой проводимости границы раздела и улучшению адгезионных характеристик. ...
Добавлено: 4 января 2013 г.
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Масляев С. А. и др., Металлы 2022 № 1 С. 55-64
В работе исследовано изменение механических свойств и текстуры поверхностных слоев сплавов Cu-10Ga и Cu-10Ga-4Ni в условиях воздействия мощных импульсных радиационно-термических и ударно-волновых нагрузок, характерных для импульсных установок термоядерного синтеза. Облучение образцов импульсной высокотемпературной плазмой и ионами осуществлялось в установке Плазменный фокус (ПФ) PF-1000 (Польша) с энергетическим запасом 600 кДж; в качестве рабочего газа использовался дейтерий. ...
Добавлено: 25 марта 2022 г.
Minsk : ., 2017
Добавлено: 28 сентября 2017 г.