?
Модификация МДП-структур сильнополевой инжекцией электронов и электронным облучением
С. 242–252.
В работе рассмотрена возможность модификации МДП-структур c пленкой SiO2, легированной фосфором путём сильнополевой туннельной инжекции электронов в подзатворный диэлектрик и облучения кристаллов низкоэнергетичными электронами, а также проведено исследование режимов легирования пленки SiO2 фосфором на характеристики МДП-структур.Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в плёнке ФСС в структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС как в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, так и при электронном облучении может использоваться для модификации МДП-приборов.
Язык:
русский
В книге
М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015.