Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells

K.O. Petrosyants; D.S. Silkin; D.A. Popov; M.R. Ismail-Zade

doi:10.1109/MWENT55238.2022.9802398

Публикации

?

Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells

P. 1–4.

K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov, M.R. Ismail-Zade

Язык: английский

Полный текст

DOI

Ключевые слова: TCAD FinFET single-event upset (SEU)

В книге

Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT)

M.: IEEE, 2022.

TCAD Electrothermal Analysis of 3D GAAFET Structures for Future VLSI Circuits

Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.

Добавлено: 6 ноября 2025 г.

Высокочастотная модель транзистора со статической индукцией

Максименко Ю. Н., Петросянц К. О., Силкин Д. С. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 6 С. 772–786

Физико-математическая модель транзистора со статической индукцией дает возможность проводить расчет основных ВАХ и анализ конструкции приборов для статического режима при биполярном режиме работы транзистора, а также позволяет понять возможности улучшения конструкции кристалла. Однако данная модель не обеспечивает анализ работы приборов со статической индукцией на высоких частотах, без которого нельзя создать конструкцию прибора с оптимальными параметрами. ...

Добавлено: 14 февраля 2025 г.

Оценка средствами TCAD стойкости ячеек памяти СОЗУ к воздействию ОЯЧ при уменьшении проектных норм до 28 нм

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312

В статье представлена комбинированная TCAD-SPICE-модель для оценки стойкости ячеек памяти к удару одиночного ядра частицы (ОЯЧ), в которой учитываются физические параметры транзисторов, схемотехника ячейки памяти и параметры ударяющей частицы. Модель и программные средства откалиброваны для технологий КМОП с проектными нормами 90 нм, 65 нм. В работе приведены оценки стойкости ячеек памяти с разными проектными нормами ...

Добавлено: 3 сентября 2024 г.

Особенности TCAD-SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837

С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...

Добавлено: 11 января 2024 г.

Evaluation of the Effect of FinFET Structure Parameters on Electrical Characteristics Using TCAD Modeling Tools

K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov, Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 8 P. 644–648

Добавлено: 13 мая 2023 г.

TCAD Modeling of Nanoscale FinFET Structures on Bulk Silicon, Taking into Account the Effects of Radiation

K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov и др., Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 7 P. 545–551

Добавлено: 30 января 2023 г.

Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C)

Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 15 декабря 2022 г.

Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling

Петросянц К. О., Denis S. Silkin, Попов Д. А., Micromachines 2022 Vol. 13 No. 8 Article 1293

Добавлено: 30 октября 2022 г.

Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 120–123.

С помощью TCAD-моделирования исследовано влияние изменения параметров структуры FinFET, таких как размеры слоёв затворного стека, форма ребра или уровни легирования, на электрические характеристики прибора. ...

Добавлено: 31 октября 2021 г.

Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.

Добавлено: 31 октября 2021 г.

Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 286–288.

Добавлено: 31 октября 2021 г.

TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2021 Т. 26 № 5 С. 374–386

При переходе от планарных структур MOSFET к трехмерным структурам FinFET обеспечивается стойкость к разным видам облучения. Однако характеристики облученных приборов, созданных на разных предприятиях-изготовителях, существенно различаются, и объяснить зависимость радиационной стойкости структур FinFET от вариаций их физико-топологических параметров и электрических режимов достаточно сложно. В работе разработана радиационная версия TCAD-модели МОП-транзистора со структурой FinFET на объемном ...

Добавлено: 31 октября 2021 г.

TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures

K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.

Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide

Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469

Добавлено: 24 марта 2020 г.

I-V- Characteristics Analysis of Betavoltaic Microbatteries Using TCAD Model

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Pugachev A. и др., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1353 No. 1 P. 1–7

The complete analysis of I-V characteristics and set of basical parameters (Voc, Jsc, Idark, Pmax, η) for betavoltaic silicon batteries under Nickel-63 irradiation in temperature range 213-330 K is carried out using universal physical TCAD model. The standard TCAD optical generation model was adopted for simulation of electron-hole generation for beta particles irradiation. The pn-junction ...

Добавлено: 10 июня 2019 г.

Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide

Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.

Добавлено: 4 июня 2019 г.

Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.

Добавлено: 31 мая 2019 г.

Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 404–405

Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...

Добавлено: 30 января 2019 г.

Quasi-3D TCAD modeling of STI radiation-induced leakage currents in SOI MOSFET structure

Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1–6

Добавлено: 22 октября 2018 г.

Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Sensors and Transducers 2018 Vol. 227 No. 11 P. 42–50

Добавлено: 22 октября 2018 г.

Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида

Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521–525

КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...

Добавлено: 22 октября 2018 г.

TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures

, Попов Д. А., Быков Д. В., Russian Microelectronics 2018 Vol. 47 No. 7 P. 487–493

Добавлено: 30 января 2018 г.