• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Книги
  • Радиационные эффекты в космосе. Часть 3: Влияние ионизирующего излучения на изделия электронной техники.
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
11 сентября 2026 г.
Научная экспедиция на Хайнань: ученые ВШЭ организовали конференцию по статистическому ИИ в Китае
С 24 по 28 августа 2026 года в городе Санья на острове Хайнань (Китай) прошла международная конференция Statistical AI («Статистический искусственный интеллект»). Мероприятие собрало ведущих специалистов в области статистики, машинного обучения и прикладного ИИ. Среди организаторов конференции — Алексей Наумов, директор Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ, и Сергей Самсонов, заведующий Международной лабораторией стохастических алгоритмов и анализа многомерных данных.
10 сентября 2026 г.
<a>В НИУ ВШЭ выяснили, что личный интерес к теме диссертации сильнее всего связан с уверенностью в защите
Исследователь из НИУ ВШЭ проанализировал данные 1539 аспирантов из 161 российского университета и выяснил, какие особенности диссертационной темы связаны с успешностью и вовлеченностью в обучение. Самым важным фактором оказался личный интерес к исследованию: он был связан практически со всеми ключевыми сторонами аспирантской жизни — от взаимодействия с научным руководителем до исследовательской активности и уверенности в будущей защите. Результаты опубликованы в журнале Higher Education.
11 сентября 2026 г.
Интересы России и Африки совпадают: в НИУ ВШЭ стартовала конференция по вопросам развития континента
В Центре культур НИУ ВШЭ на Покровском бульваре 10 сентября начала работу двухдневная научно-практическая конференция, посвященная развитию Африки и сотрудничеству стран континента с Россией. Эксперты обсуждают вопросы образования, инвестиций, цифровизации. Одним из ключевых событий конференции стала презентация доклада «Африка 2027. Возможности и риски».

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Радиационные эффекты в космосе. Часть 3: Влияние ионизирующего излучения на изделия электронной техники.

АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2017.
И.П. Безродных (. И., А.П. Тютнев, В.Т. Семёнов (. В.

В третьей части книги представлены результаты экспериментальных исследований влияния ионизирующего излучения на изделия электронной техники. Книга предназначена для конструкторов и разработчиков электронной аппаратуры космических аппаратов, она также может быть полезна для научных работников и инженеров, специализирующихся в области электроники и радиационной физики.

Введение. Обеспечение надежной эксплуатации космических аппаратов в космосе сопряжено с решением целого комплекса научно-технических вопросов, связанных с особенностями внешней обстановки в открытом космосе. Основные факторы этой обстановки хорошо известны. Это глубокий вакуум, невесомость, мощные потоки теплового, ультрафиолетового и рентгеновского излучения Солнца, высокоэнергичные электроны и ядра химических элементов галактических космических лучей, частицы солнечных космических лучей и радиационных поясов Земли, частицы микрометеоритов и космического мусора. Каждый из этих факторов требует специального подхода и по каждому из них существует обширная литература. В данной книге мы коснемся вопросов: динамики ионизирующих излучений в околоземном космическом пространстве; радиационной стойкости электронных радиоизделий и материалов, использующихся в космической индустрии; природы электростатических разрядов, возникающих на внешней поверхности космических аппаратов. При рассмотрении всех этих вопросов основное внимание уделено научному анализу физических процессов, лежащих в основе подобных явлений. Книга состоит из трех отдельных частей. В первой части книги рассмотрены физические процессы, определяющие динамику и распределение потоков ионизирующих излучений в околоземном космическом пространстве. Представлены экспериментальные данные, подтверждающие наличие периодических магнитогидродинамических структур в солнечном ветре перед фронтами межпланетных ударных волн, и обсуждается их влияние на эффективность ускорения заряженных частиц в межпланетной среде. Представлены обобщенные экспериментальные данные, под-тверждающие тесную связь с состоянием межпланетной среды: геомагнитной активности, потоков высокоэнергичных частиц, захваченных в геомагнитном поле, и потоков частиц, высыпающихся из радиационного пояса Земли. Рассматривается особая роль рекуррентных (повторяющихся) высокоскоростных потоков солнечного ветра в динамике энергичных частиц в межпланетной среде и в магнитосфере Земли. Подчеркивается важный экспериментальный факт, состоящий в том, что в отсутствии солнечных вспышек всем существенным возрастаниям потока релятивистских электронов в магнитосфере Земли предшествует возрастание скорости солнечного ветра. При этом не отрицается, что некоторое влияние на радиационные условия внутри магнитосферы оказывают множество других факторов, например, величина и знак Bz компоненты вектора межпланетного магнитного поля. Кроме данных, характеризующих степень зависимости динамики ионизирующих излучений в магнитосфере Земли от динамики параметров солнечного ветра, приводятся данные потерь энергии частиц при прохождении через вещество и данные об эффективности снижения интенсивности потоков ионизирующих излучений и поглощенной дозы радиации за защитными экранами. Вторая часть книги состоит из трех глав. В первой главе второй части книги дается всесторонний теоретический анализ радиационной электропроводности полимеров, излагаются новейшие экспериментальные данные по радиационной электропроводности полимеров и прыжковому транспорту носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Воздействие ионизирующих излучений (быстрых электронов, гамма-квантов, протонов, быстрых и медленных нейтронов и др.) на полимерные диэлектрики (в дальнейшем – полимеры) приводит к образованию заряженных частиц в объеме материала. В результате концентрация носителей заряда в облучаемом полимере резко возрастает, что приводит к появлению радиационной электропроводности. За время, прошедшее с момента выхода монографии А. П. Тютнева, В. С. Саенко, Е. Д. Пожидаева, Н. С. Костюкова «Диэлектрические свойства полимеров в полях ионизирующих излучений», появились новые результаты. Они рассеяны в периодической научной литературе и трудах конференций и явно недостаточно отражены и систематизированы в монографиях. Мы предполагаем восполнить этот пробел. Большое внимание будет уделено дальнейшему развитию модели Роуза – Фаулера – Вайсберга с целью охвата дозовых эффектов и прыжкового транспорта, но при условии сохранения формализма модели квазизонного транспорта. Субъективизм авторов состоит в том, что, стараясь сохранить идейное единство глав, они отдают предпочтение модели многократного захвата, используя ее в качестве универсального инструмента при обсуждении и сравнительном анализе экспериментальных и теоретических результатов, полученных исследователями, принадлежащими к различным научным школам. Дело в том, что указанная модель, в зависимости от выбранного энергетического распределения локализованных состояний (ловушек), может достаточно точно моделировать кинетику переходных процессов в самых различных неупорядоченных материалах. Этот подход позволяет обеспечить удивительную физическую прозрачность при описании широкого круга явлений переноса, отсутствующую в большинстве других теорий. Трудности исследования неупорядоченных материалов обусловлены сложностью самого объекта исследования. На данном этапе изучения не представляется возможным строго контролировать состав и структуру некристаллических материалов. Существует значительная сложность и математического описания систем без трансляционной инвариантности. В частности, для учета дефектной структуры материала (пространственного и энергетического беспорядка, наличия пустот свободного флуктуационного объема при возможном влиянии различного рода технологических примесей) необходимо использовать модельные аппроксимации. Формирование новых представлений в области электронного транспорта неупорядоченных систем не завершено. Появившиеся в последнее время результаты позволили углубить наши представления о природе локализации, зоне переноса и кинетических свойствах полимерных матриц. Особого упоминания заслуживает изменение наших взглядов на природу и величину эффективного частотного фактора, фигурирующего в модели многократного захвата. В связи с бурным развитием электрографии были проведены обширные исследования, направленные на изучение переноса носителей заряда в фотопроводящих неупорядоченных системах (полимерах и халькогенидных стеклах). В этой связи привлечение данных, полученных при изучении радиационной электропроводности полимерных диэлектриков, а также фундаментальных результатов из области радиационной химии, представляет несомненный интерес. Более того, на базе этих исследований предложена универсальная методика для изучения подвижности носителей заряда в полимерных системах, позволяющая судить о правильности той или иной теоретической концепции. Общий объем информации по подвижности носителей заряда в полимерах, как и вообще в неупорядоченных твердых телах, чрезвычайно велик, но достаточно противоречив. По нашему мнению, сложившаяся неудовлетворительная ситуация в обсуждаемой области связана с упорным нежеланием ряда ведущих специалистов расширить методическую базу экспериментальных исследований и наряду с приповерхностным способом генерации носителей заряда использовать однородную по объему фотогенерацию, на что уже неоднократно указывалось в литературе, начиная с 1970 г. Таким образом, назрела необходимость критического пересмотра экспериментальных и теоретических результатов по транспорту носителей заряда во всей их совокупности. В течение последних 30 лет нами проводятся систематические исследования как самой радиационной электропроводности, так и подвижности носителей заряда в полимерах, в том числе и методом времени пролета. Объекты изучения включают поливинилкарбазол и молекулярно допированные полимеры. Все это позволяет надеяться на то, что предлагаемый в настоящей монографии анализ окажется в меру объективным и достаточно продуктивным в том смысле, что укажет подходы к разрешению сложившейся кризисной ситуации путем постановки специально поставленных экспериментов. Вторая глава второй части книги посвящена непосредственно радиационной стойкости полимеров. Показано принципиальное отличие этой характеристики для полимеров и керамических материалов. Так как основная доля (90–98 %) поглощенной энергии расходуется на ионизацию и возбуждение атомов и молекул среды и только незначительная часть на смещение атомов и создание структурных дефектов, то ионизационные потери энергии (поглощенная доза) полностью определяет повреждающий эффект в органических материалах. В неорганических материалах деградация свойств вызыва-ется структурными дефектами решетки, т. е. энергией излучения, расходуемой на смещение атомов облучаемого вещества. Показано влияние условий облучения на радиационную стойкость полимеров. Поскольку по-прежнему остаются нерешенными многие вопросы постановки и проведения ускоренных испытаний полимеров по определе-нию надежности их эксплуатации в полях ионизирующих излучений в аппаратуре атомных электростанций и космических аппаратов, то в мо-нографии проведен критический анализ возможности использования для этой цели существующих справочных данных, полученных, как правило, в нормальных условиях в ходе проведения сильно ускоренных испыта-ний по фактору мощности дозы, интегральной дозе и условиям облуче-ния (газовая среда, влажность, агрессивные компоненты и др.), имити-рующим аварийные ситуации на АЭС. Третья глава второй части книги посвящена проблеме электризации материалов внешней поверхности космических аппаратов в открытом космосе, лабораторному моделированию и научному исследованию этих вопросов, а также природе и методам борьбы с электростатическими разрядами на борту космических аппаратов. С середины 1970-х годов начинается интенсивное изучение электризации диэлектрических слоев под воздействием пучков моноэнергетических электронов с энергией в несколько десятков килоэлектронвольт. Этот интерес был обусловлен запросами космической техники, в первую очередь, необходимостью борьбы с электризацией космических аппаратов, эксплуатируемых на геостационарной или высокоэллиптических орбитах. В этом явлении ра-диационная электропроводность служит основным каналом сброса объ-емного заряда на «заземленный» электрод (корпус космического аппара-та), ограничивая внутренние электрические поля. В третьей части книги рассмотрены основные механизмы воздействия ионизирующих излучений на электронные компоненты приборов космических аппаратов, приводящие к нарушению их нормальной работы. Дается краткий обзор результатов исследования влияния радиации на характеристики кремния, основного материала, из которого изготавливаются электронные компоненты для приборов различного назначения. В большинстве своем материалы обобщены из ранее опубликованных научных изданий, которые сейчас трудно найти, а частично взяты из неопубликованных источников. Особое внимание уделяется вопросам, связанным с изменением под воздействием радиа-ции таких параметров полупроводников, как время жизни неосновных носителей заряда, удельное электрическое сопротивление, подвижность носителей заряда. Отмечается, что влияние ионизирующих излучений на свойства полупроводниковых приборов существенно зависит от плотности потока и спектрального состава ионизирующих излучений, температурного режима, как во время облучения, так и после облучения, а также электрического режима работы полупроводников. Большая часть материалов одной из глав посвящена вопросам радиационной стойкости комплектующих электронных компонент иностранного производства различного назначения. Приведенные в данной главе результаты анализа радиационной стойкости электронной компонентной базы иностранного производства, выполненные ведущими специалистами Национального исследовательского центра «Курчатовский институт», показывают уровень достижений современных технологий при создании электронной элементной базы класса Military и Space. Этот материал, безусловно, будет интересен широкому кругу разработчиков аппаратуры космических аппаратов. Книга рассчитана не только на теоретиков – в ней отсутствуют сложные расчеты, и основное место занимает изложение основных физических идей и результатов. В предлагаемой книге возможны упущения, и поэтому авторы с благодарностью примут все критические замечания и советы. Авторы выражают свою искреннюю признательность целому ряду коллег, без помощи которых появление данной книги оказалось бы не-возможным. Авторы благодарны А. П. Галееву, Н. А. Ухину, А. И. Чума-кову, часть материалов научных исследований которых была использо-вана при написании данной книги. Авторы также выражают благодар-ность за помощь в редактировании и критическом обсуждении изложен-ного материала книги канд. техн. наук М. В. Кожухову.

Научное направление: Физика
Приоритетные направления: инженерные науки
Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: космосspaceрадиационные эффектыradiation effectselectronic productsизделия электронной техники
Радиационные эффекты в космосе. Часть 3: Влияние ионизирующего излучения на изделия электронной техники.
Похожие публикации
Bridging experiment and molecular dynamics: Mefenamic acid confinement in nanocrystalline cellulose aerogels under scCO2 conditions
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Configuration-dependent edge and corner superconductivity in 𝑠-wave kagome superconductors
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Interband effects in the intertype regime of dirty two-band superconductors
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Элементы теории топологических изоляторов
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Single-spin Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry of Zeeman-split states with strong spin-orbit interaction in a double quantum dot
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Controllable single-spin evolution at subharmonics of electric dipole spin resonance enhanced by four-level Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interference
Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Управление спиновой динамикой в двойной квантовой точке в условиях электрического дипольного спинового резонанса через перестраиваемое спин-орбитальное взаимодействие
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg0.3Cd0.7Te
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342
Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Spin flip locking by the tunneling and relaxation in a driven double quantum dot with spin-orbit coupling
Khomitsky D.V., Bastrakova M. V., Pashin D. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 08 Article 085427
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Управление динамикой спина в двойной полупроводниковой квантовой точке с помощью бигармонического электрического поля
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика твердого тела 2026 Т. 68 № 4 С. 639–648
Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
ЛЗШМ- и ЭДСР-интерферометрии и одноэлектронная динамика в двойной квантовой точке на краю топологического изолятора с магнитными барьерами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687
Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn
Хомицкий Д. В., Дорохин М. В., Ведь М. В. и др., Физика твердого тела 2026 Т. 68 № 8 С. 1325–1332
Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Языковая концептуализация пространства в художественном тексте (по данным НКРЯ)
Белова П. Е., Когнитивные исследования языка 2025 № 1 (62) С. 56–60
Данная статья представляет результаты изучения содержания концепта ПРОСТРАНСТВО в русском языковом сознании на материале художественных прозаических текстов разных жанров, созданных во второй половине XX и в XXI в. и представленных в НКРЯ. Анализ проведен с учетом таких культурно-языковых фильтров, как пропозициональные установки, предметно-понятийные корреляции и метафорические преобразования. ...
Добавлено: 16 августа 2026 г.
Анализ субъективных дефиниций как способ реконструкции обыденных представлений о пространстве в русском языковом сознании
Каногина П. Е., Когнитивные исследования языка 2026 Т. 3 № 68 С. 196–200
В статье на материале субъективных дефиниций рассматриваются гендерные и возрастные особенности концептуализации пространства носителями русского языка. Гендерные различия проявляются в разной степени внимания к физическим, функциональным и эмоциональным характеристикам пространства, тогда как возраст влияет на уровень абстракции определений. ...
Добавлено: 16 августа 2026 г.
Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору