?
General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation
P. 1–3.
В книге
Jinshun B. Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Denis S. Silkin, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2025, Volume 3Vol. 3.: Springer Publishing Company, 2026. P. 171–184.
Добавлено: 7 апреля 2026 г.
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Хлынов П. А., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Учет разброса параметров SPICE-моделей полупроводниковых компонентов при схемотехническом моделировании электронных блоков необходим для более точной оценки пределов их работоспособности в процессе проектирования электронной аппаратуры. Это оказывается особенно важно для аппаратуры, предназначенной для работы в условиях, отличных от нормальных, или тех, к которым предъявляются строгие требования. В данной работе производятся сравнение и анализ различных подходов для ...
Добавлено: 16 сентября 2025 г.
Попов Д. А., Жаров Е. Е., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 707–709
В работе рассматривается возможность применения методов машинного обучения для моделирования вольт-амперных характеристик МОП-транзистора. Приведено обоснование замены приборно-технологического моделирования на модели полупроводниковых компонентов на базе нейронных сетей (ML-TCAD). Для иллюстрации подхода разработана модель для 130-нм МОП-транзистора и проведен расчет входных вольт-амперных характеристик (ВАХ). ...
Добавлено: 13 апреля 2025 г.
Максименко Ю. Н., Петросянц К. О., Силкин Д. С. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 6 С. 772–786
Физико-математическая модель транзистора со статической индукцией дает возможность проводить расчет основных ВАХ и анализ конструкции приборов для статического режима при биполярном режиме работы транзистора, а также позволяет понять возможности улучшения конструкции кристалла. Однако данная модель не обеспечивает анализ работы приборов со статической индукцией на высоких частотах, без которого нельзя создать конструкцию прибора с оптимальными параметрами. ...
Добавлено: 14 февраля 2025 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312
В статье представлена комбинированная TCAD-SPICE-модель для оценки стойкости ячеек памяти к удару одиночного ядра частицы (ОЯЧ), в которой учитываются физические параметры транзисторов, схемотехника ячейки памяти и параметры ударяющей частицы. Модель и программные средства откалиброваны для технологий КМОП с проектными нормами 90 нм, 65 нм. В работе приведены оценки стойкости ячеек памяти с разными проектными нормами ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Добавлено: 30 октября 2022 г.
K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 13 июля 2022 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
Исследовались возможности определения параметров SPICE-моделей в расширенном диапазоне температур с помощью трех наиболее распространенных коммерческих экстракторов IC-CAP, MBP и BSIMProPlus. Приведены сравнительные оценки эффективности экстракторов на примере расчета ВАХ МОПТ с учетом температуры до +300°C. ...
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Мошарев П. А., Ишханов Б. С., Исупов Е. Л. и др., М.: КДУ, Университетская книга, 2018.
Учебное пособие «Протон» написано на основе курса лекций проф. Б. С. Ишханова «Нуклеосинтез» для студентов 5 курса физического факультета МГУ. Рассматриваются актуальные вопросы образования протонов во Вселенной, характеристики протона, свойства антипротонов, связанные состояния протона, антипротона, возможные каналы распада протона.
Пособие будет полезно при проведении семинарских занятий и для самостоятельной работы студентов физических специальностей. ...
Добавлено: 30 сентября 2021 г.
Wang Y., Liu F., Li B. и др., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667
Добавлено: 26 сентября 2021 г.
Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020.
Тематика
Внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры
Радиационные и электромагнитные эффекты в изделиях радиоэлектроники, механизмы деградации параметров, отказы, одиночные сбои
Оценка и обеспечение радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения
Расчётные методы определения радиационной стойкости изделий
Испытательные установки, дозиметрическое и метрологическое сопровождение испытаний ...
Добавлено: 14 июля 2021 г.