?
SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
С. 284-292.
Доработаны компактные SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне температуры от сверхнизких до сверхвысоких (–200…+300°С). Разработана процедура экстракции параметров SPICE-моделей на основе результатов измерений или приборно-технологического моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в широком диапазоне температуры.
В книге
М. : ООО "Спектр", 2019
Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40-47
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...
Добавлено: 30 октября 2019 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн. : Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. : М. : МАКС Пресс, 2021. С. 117-120.
Исследовались возможности определения параметров SPICE-моделей в расширенном диапазоне температур с помощью трех наиболее распространенных коммерческих экстракторов IC-CAP, MBP и BSIMProPlus. Приведены сравнительные оценки эффективности экстракторов на примере расчета ВАХ МОПТ с учетом температуры до +300°C. ...
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. : М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
. ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Известия высших учебных заведений. Электроника 2019 Т. 24 № 2 С. 174-184
Компактные модели JFET-транзисторов, используемые в коммерческих версиях SPICE-подобных программ, ориентированы только на стандартный диапазон температур от –60 до +150 °С и не пригодны для расчета электронных схем в диапазоне криогенных температур (ниже –120 °С). В работе представлена Low-T SPICE-модель JFET для расчета схем в расширенном диапазоне температур, в том числе криогенных (от –200 до +110 °С). Модель учитывает ...
Добавлено: 5 июня 2019 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн. : Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов. Т. 14. Вып. 7s.: М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912-913.
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018). Вып. 3.: М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117.
Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 53-54.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. : М. : МАКС Пресс, 2020. С. 229-232.
В работе представлены SPICE Low-T модели субмикронных КМОП транзисторов, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне криогенной температуры (до 4 К). Разработана процедура экстракции SPICE-параметров Low-T моделей на основе результатов измерений или TCAD-моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в криогенном диапазоне температуры. ...
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю. и др., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 55-56.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov и др., Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA) 2017 Vol. 33 No. 1 P. 37-51
Добавлено: 16 февраля 2017 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Marfenin N., Vitaly S. Dementyev, Nikolaev E., Hydrobiology (ISSN 2673-9917) Hydrobiology Editorial Office hydrobiology@mdpi.com MDPI, St. Alban-Anlage 66 4052 Basel, Switzerland Tel: +41 61 683 77 34 www.mdpi.com mdpi.com/journal/hydrobiolog 2023 Vol. 2 No. 4 P. 583-601
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Петросянц К. О., В кн. : Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. : М. : МАКС Пресс, 2021. С. 112-116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. : Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
С помощью разработанного автоматизированного аппаратно-программного комплекса в диапазоне температуры от комнатной до 300°С исследованы характеристики КНИ МОП-транзисторов с размерами 0.6, 0.35, 0.18 мкм, изготовленные ОАО ПИИМЭ и Микрон. Показана работоспособность транзисторов в диапазоне температуры до 300°С. Разработана методика определения параметров SPICE моделей КНИ МОП-транзисторов с учетом их размеров и расширенного диапазона температуры. С использованием методики определены ...
Добавлено: 20 ноября 2018 г.
Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. и др., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 66-67.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Петросянц К. О., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 281-283.
Для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС разработаны универсальные компактные SPICE-макромодели биполярных и МОП-транзисторов, учитывающие радиационные воздействия гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц. ...
Добавлено: 10 октября 2016 г.
Петросянц К. О., В кн. : XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 65-66.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Описан набор разработанных программных и информационных средств для обеспечения сквозного электротеплового моделирования мощных электронных схем на печатных платах с помощью программных средств Comsol, SPICE, «Асоника-ТМ». Представлены примеры сквозного электротеплового моделирования и тепловизионного анализа мощной электронной схемы на печатной плате с использованием вышеупомянутых программных средств. ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
И. Р. Муллахметов, В. С. Саенко, А. П. Тютнев и др., Журнал технической физики, Российская Федерация 2023 Т. 93 № 1 С. 130-134
Разработана методика и впервые получены достаточно полные данные по радиационной электропроводности полистирола при температуре 79K при импульсном и непрерывном воздействии электронов с энергией
50 keV. Показано, что радиационная электропроводность полистирола при температуре 79K, как и при
комнатной температуре определяется суммой двух компонент: мгновенной и задержанной. Обе компоненты
при 79K имеют значительно меньшие величины, чем при 298K. Полный сигнал ...
Добавлено: 2 января 2023 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183-194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Экспериментально установлено, что выращенные в лаборатории более крупные колонии Dynamena pumila (Hydrozoa, Cnidaria), включающие 10–11 молодых побегов, менее устойчивы к повышению температуры воды до верхнего температурного предела данного вида (25 °С), чем такие же колонии меньшего размера с одним-двумя побегами. При повышении температуры часть гидрантов временно деградирует, а дефицит пищи в большей степени испытывают колонии ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, ...
Добавлено: 9 сентября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., В кн. : Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. : М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
В данной работе описаны особенности процедуры измерения электрических характеристик и определения параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов различного типа в диапазоне изменения температуры от минус 60 °C до +125 °C, что проиллюстрировано на примере отечественного дискретного биполярного транзистора из состава транзисторной матрицы 1НТ251А. Подробная пошаговая полуавтоматизированная процедура экстракции параметров была реализована с использованием автоматизированного комплекса IC‑CAP. ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.