?
Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР
С. 231–232.
Описаны разработанные автоматизированные подсистемы, встроенные в коммерческую САПР Mentor Graphics: электротеплового моделирования аналоговых ИС, логико-теплового анализа цифровых ИС и БИС, электротеплового расчета систем на печатных платах. За счет автоматизации процесса электро-теплового и логико-теплового моделирования существенно расширены возможности системы Mentor Graphics. Описаны разработанные электро-тепловые модели компонентов ИС, БИС, проводников печатных плат, используемые в разработанных подсистемах. Приведены результаты электро-теплового моделирования
Язык:
русский
Ключевые слова: печатные платыэлектро-тепловое моделированиеSPICE-моделикоммерческая САПРаналого-цифровые БИС
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
М.: Техносфера, 2015.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
Операционные усилители широко используются в электронных системах, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений. В связи с этим у разработчика ИС возникает необходимость проводить схемотехническое моделирование с учетом радиационных факторов. Основной проблемой этого метода моделирования операционных усилителей является отсутствие в SPICE-подобных программах адекватных моделей биполярных транзисторов, учитывающих влияние разных видов излучения. Существующие ...
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Хлынов П. А., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Учет разброса параметров SPICE-моделей полупроводниковых компонентов при схемотехническом моделировании электронных блоков необходим для более точной оценки пределов их работоспособности в процессе проектирования электронной аппаратуры. Это оказывается особенно важно для аппаратуры, предназначенной для работы в условиях, отличных от нормальных, или тех, к которым предъявляются строгие требования. В данной работе производятся сравнение и анализ различных подходов для ...
Добавлено: 16 сентября 2025 г.
Газизов Р. Р., Медведев А. В., Газизов Т. Р., Динамика систем, механизмов и машин 2021 Т. 9 № 3 С. 104–109
В работе предложено усовершенствовать процесс массового исследования цепей с модальным резервированием. Это показано на примере двухсторонней печатной платы с полигонами. В качестве среды моделирования использовалась компьютерная система TALGAT. Получено по 5 различных портретов (значений вдоль проводника) N-норм для каждого из трех сигналов: трапециевидного сверхкороткого импульса, реального сверхкороткого импульса и электростатического разряда. Приведены максимальные и минимальные ...
Добавлено: 24 ноября 2023 г.
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Nikita I. Ryabov, , in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: M.: HSE, 2016. Ch. 7491801 P. 1–6.
Добавлено: 5 марта 2019 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 402–403
Приведена библиотека радиационных и электротепловых SPICE-моделей биполярных и МОП транзисторов СБИС различных типов. Библиотека содержит SPICE-модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, учитывающие влияние эффекта саморазогрева, высоких (до +300°C) и низких (до –200°C) температур, радиационных эффектов (нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц). ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов.: Н. Новгород: ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76–79.
С помощью разработанного автоматизированного аппаратно-программного комплекса в диапазоне температуры от комнатной до 300°С исследованы характеристики КНИ МОП-транзисторов с размерами 0.6, 0.35, 0.18 мкм, изготовленные ОАО ПИИМЭ и Микрон. Показана работоспособность транзисторов в диапазоне температуры до 300°С. Разработана методика определения параметров SPICE моделей КНИ МОП-транзисторов с учетом их размеров и расширенного диапазона температуры. С использованием методики определены ...
Добавлено: 20 ноября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 82–83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г.: М.: Техносфера, 2018. С. 308–312.
. ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Dvornikov O. и др., , in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2017. P. 1–5.
Добавлено: 16 июля 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
Володин П. Н., Бекниязов Н. А., Танатов М. К., В кн.: Надежность и качество: Труды международного симпозиума.Т. 2.: Пенза: ПГУ, 2015. С. 104–106.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Володин П. Н., Наумова И. Ю., Баннов В. Я., В кн.: Новые информационные технологии в автоматизированных системах: Материалы семинара.Вып. 18.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 389–392.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Володин П. Н., Затылкин А. В., В кн.: Актуальные вопросы образования и науки: Сборник научных трудов.: [б.и.], 2013. С. 61–63.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Володин П. Н., Затылкин А. В., Юрков Н. К., В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции.: М.: НИУ ВШЭ, 2014. С. 384–386.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Володин П. Н., Затылкин А. В., В кн.: Современные наукоемкие технологии. – 2014Кн. 1. Вып. 5.: [б.и.], 2014. С. 34–35.
. ...
Добавлено: 26 января 2018 г.
Петросянц К. О., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 49–50.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Рассмотрена специфика измерений электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов, подвергнутых воздействию нейтронного, электронного и γ-излучений. Разработана автоматизированная система измерений. Приведены примеры использования этой системы для исследования радиационной стойкости транзисторов и определения параметров SPICE-моделей для расчёта схем.Рассмотрена специфика измерений электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов, подвергнутых воздействию нейтронного, электронного и γ-излучений. Разработана автоматизированная система измерений. Приведены примеры использования ...
Добавлено: 5 декабря 2016 г.