• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
23 сентября 2026 г.
<a>В НИУ ВШЭ испытали робота с ИИ для распознавания окружающей среды
Инженеры и исследователи Института робототехнических систем НИУ ВШЭ провели первые испытания нейросетевой модели для распознавания среды непосредственно на роботе-собаке. Робот передвигался по зданию НИУ ВШЭ на Покровке, а также по Покровскому бульвару, анализируя окружающую обстановку и определяя, в какой сцене и локации он находится.
21 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ показали, что врожденные нарушения моторики влияют на развитие мозга
Исследователи из Института когнитивных нейронаук НИУ ВШЭ обобщили результаты своих предыдущих исследований, посвященных особенностям развития мозга у детей с акушерским параличом плечевого сплетения и артрогрипозом. Анализ показал, что нарушение моторики в раннем возрасте не только ведет к недостатку двигательного опыта, но и влияет на память, категориальное мышление и обработку информации. Работа опубликована в журнале Frontiers in Psychology.
22 сентября 2026 г.
Как россияне взаимодействуют с ИИ при поиске информации в интернете
Школа коммуникаций НИУ ВШЭ и Online Market Intelligence провели исследование пользовательского поискового опыта в российском сегменте интернета. Как показали результаты, пользователи в России уже воспринимают ИИ-ответ в выдаче как естественную часть поиска и используют его наравне с привычным списком ссылок. При этом на рынке самостоятельных нейросетей (отдельных чат‑ботов) уверенно лидирует Алиса AI от Яндекса  —  ее регулярно используют 40 % опрошенных.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе

Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81–83.
Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П.
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.
Приоритетные направления: инженерные науки
Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: радиационная стойкостьприборно-технологическое моделированиеКНИ КМОП-технологиярадиационные эффектырадиационная модель3D-моделирование
Похожие публикации
Моделирование биполярно-полевого технологического процесса с полной диэлектрической изоляцией
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования биполярных транзисторов на структуре «кремний - оксид кремния - кремний». Сравнение выходных характеристик моделей и образцов транзисторов показало высокую точность разработанной модели. Для улучшения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом рассмотрены варианты коррекции конструкции. На основе рассчитанного технологического маршрута проведено моделирование топологии двухзатворного полевого транзистора. ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena
Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Древнейшие петроглифы Рашаан-Хада (Монголия): новые наблюдения
Свойский Ю. М., Леванова Е. С., Романенко Е. В. и др., Археология, этнография и антропология Евразии 2025 Т. 53 № 3 С. 45–52
В статье представлены предварительные результаты изучения петроглифов местонахождения Рашаан-Хад (Аршан-Хад, Монголия) российско-монгольской экспедицией, посетившей памятник в 2016 и 2023 гг. Наиболее детально рассматриваются «петроглифы архаического облика» (по определению А.П. Окладникова) и те, которые с различной степенью достоверности могут быть интерпретированы как изображения позднеплейстоценовых животных (шерстистых носорогов или мамонтов). А.П. Окладников писал, что на памятнике имеются шесть рисунков, ...
Добавлено: 30 ноября 2025 г.
Петроглифы Пегтымельской пещеры: история изучения и результаты современного исследования
Павлов Д. М., Леванова Е. С., Свойский Ю. М., Проблемы истории, филологии, культуры 2025 № 3(89) С. 147–164
В 2025 г. исполняется 60 лет открытию петроглифов на р. Пегтымель (Северо-Западная Чукотка), впервые исследованных советским археологом Н.Н. Диковым в 1967– 1968 гг. С 2021 г. сотрудники ИА РАН ведут работы по цифровому картографированию и  документированию петроглифов Пегтымеля для создания его точного и полного цифрового  образа. Одна из фокусных точек памятника, наиболее важных для понимания истории его  формирования и ...
Добавлено: 30 ноября 2025 г.
Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates
Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Интеграция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в биполярный технологический процесс. Объемный кремний
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Успехи прикладной физики 2024 Т. 12 № 4 С. 334–342
Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки ...
Добавлено: 12 сентября 2024 г.
Анализ конструкции р-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 672–678
В работе приведены результаты приборно-технологического моделирования электрофизических параметров р-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Рассмотрены три варианта конструкции выполнения, возможных при интеграции в составе высоковольтного комплементарного биполярного технологического процесса. На основе полученных данных выбран оптимальный вариант исполнения полевого транзистора по соотношению статических и динамических параметров. ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm
Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)
Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics
Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Владельческие надписи на рукоятях ножей, найденные на берегу залива Симса: чтение, интерпретация, датировка
Авдеев А. Г., Окладникова Е. А., Свойский Ю. М. и др., В кн.: Археология Подмосковья: Материалы научного семинара. Выпуск 18Вып. 18.: М.: ИА РАН, 2022. С. 280–295.
В статье представлено новое прочтение надписей на двух именных ножах, найденных на побережье залива Симс в море Лаптевых. Оно отличается от прочтений палеографов и историков, опубликованных ранее, в связи с тем, что удалось дать правильное прочтение этих надписей благодаря использованию метода бесконтактного 3D-моделирования эпиграфических памятников, разработанного лабораторией RSSDA и используемого в Corpus Inscriptionum Rossicarum (CIR). ...
Добавлено: 25 июня 2023 г.
Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer
Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function
Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.
Добавлено: 1 ноября 2022 г.
Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Создание 3D-моделей с помощью технологии фотограмметрии на примере реализации проекта «Они из Дымково»
Абдуллина У. В., Яркова В. В., В кн.: Апрельские тезисы: материалы междисциплинарной научно-исследовательской конференции (г. Пермь, 2–3 апреля 2021 г.).: Пермь: Пермский государственный национальный исследовательский университет, 2021. С. 375–382.
Дымковская игрушка, как и многие другие виды русской глиняной игрушки, является неотъемлемой частью наследия русского народного творчества. Несмотря на её культурноисторическую значимость, современное поколение россиян уделяет мало внимания проблеме сохранения облика данной игрушки и канонов народного промысла мастеров Вятского края. В данной статье рассмотрен процесс создания 3D-моделей с помощью технологий фотограмметрии на примере реализации учебного ...
Добавлено: 4 апреля 2022 г.
Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
Preliminary modeling as the first stage of targeted organic synthesis
Титов И. Ю., Стройлов В. С., Русина П. В. и др., Russian Chemical Reviews 2021 Vol. 90 No. 7 P. 831–867
В обзоре представлены классификация и анализ применимости методов предварительного молекулярного моделирования для направленного органического, каталитического и биокаталитического синтеза. В качестве классификатора методов рассматриваются три основных подхода: моделирование координации лиганд–мишень при отсутствии информации как о мишени, так и о структуре полученного комплекса; вычисления на основе экспериментально полученной структурной информации о мишени; динамическое моделирование комплекса лиганд–мишень, а ...
Добавлено: 24 декабря 2021 г.
TCAD и SPICE моделирование элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Theory of Ionic Liquids with Polarizable Ions on a Charged Electrode
Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Synthesis, structure, and PDE inhibiting activity of the anionic DNIC with 5-(3-pyridyl)-4H-1,2,4-triazole-3-thiolyl, the nitric oxide donor.
Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру
Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020.
Тематика Внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры Радиационные и электромагнитные эффекты в изделиях радиоэлектроники, механизмы деградации параметров, отказы, одиночные сбои Оценка и обеспечение радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения Расчётные методы определения радиационной стойкости изделий Испытательные установки, дозиметрическое и метрологическое сопровождение испытаний ...
Добавлено: 14 июля 2021 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору