?
Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
P. 267–270.
В книге
Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.
The structure of experimentally designed solar cells was optimized in terms of the photoactive layer thickness for both organic bulk heterojunction and hybrid perovskite solar cells. The photoactive layer thickness had a totally different behavior on the performance of the organic and hybrid solar cells. Analysis of the optical parameters using transfer matrix modeling within ...
Добавлено: 4 марта 2021 г.
Электрические характеристики облученного транзистора в ряде случаев приходиться измерять внутри радиационной камеры с использованием длинных кабелей, что приводит к существенной погрешности измерения. В этой статье сравниваются электрические характеристики биполярного транзистора после воздейсвтия радиации и измеренные по 4-х проводной и 2-х проводной схеме, а также приведены результаты прямых (без кабелей) измерений. Показано значительное увеличение погрешности измерений ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3* 3.: M.: HSE, 2014. P. 244–253.
The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented ...
Добавлено: 16 мая 2014 г.
Орехов Е. В., Пугачёв А. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции.: М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 253–255.
Данная работа посвящена учёту эффекта релаксации упругих напряжений в структуре SiGe ГМОПТ методом приборно-технологического моделирования. ...
Добавлено: 24 марта 2014 г.
К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 6 С. 85–87
В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов. ...
Добавлено: 29 января 2014 г.
, Торговников Р. А., Вологдин Э. Н. и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.
С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.