• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Books
  • Приборы сверхвысоких частот и оптического диапазона в вопросах и ответах
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
September 7, 2026
Biologists Discover 'Molecular Fingerprint' of Preeclampsia
Researchers at HSE University employed a new method to model hypoxia in placental cells during pregnancies complicated by preeclampsia and identified molecular markers of tissue hypoxia. Since hypoxia is one of the key mechanisms underlying preeclampsia, these findings are important for a more accurate and timely diagnosis of the disease and for the development of effective treatment methods. The paper has been published in Placenta.
September 7, 2026
‘Speech, Facial Expressions, and Gestures Cannot Lie
Would you like to know whether a speaker’s trembling voice or an accidental gesture can give them away? At HSE University in Nizhny Novgorod, researchers are developing an algorithm that analyses speech, facial expressions, and gestures, and determines whether information is truthful with 92% accuracy. The project has applications ranging from forensic examination and bank recruitment to fundamental research. Anna Khomenko, head of the research group and Senior Research Fellow at the Centre for Language and Brain at the HSE Faculty of Humanities in Nizhny Novgorod, explains how students and researchers are working together to create a corpus of video recordings, train a classifier, and prepare to introduce computer vision technology.
September 4, 2026
Time to Showcase Your Research: Applications Are Now Open for Student Research Paper Competition 2026
Taking part in the Student Research Paper Competition (SRPC) gives you an opportunity to present your research to experts, receive an independent assessment, and determine the future direction of your work. The competition is open to students graduating in 2026 not only from HSE University but from universities in Russia and abroad. Papers may be submitted in Russian and English, and in some fields also in French, German, and Spanish.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Приборы сверхвысоких частот и оптического диапазона в вопросах и ответах

Ч. 2: Полупроводниковые приборы СВЧ. M. : -, 2012.
Аристархов Г. М., Yelizarov (Elizarov) A. A., Николотов В. И.
Language: Russian
Full text
Keywords: биполярные транзисторыдетекторные диодыварикапыp-i-n диодыдиоды с барьером Шоткидиоды Ганналавинно-пролетные диодыполевые транзисторытранзисторы на гетеропереходах
Приборы сверхвысоких частот и оптического диапазона в вопросах и ответах
Similar publications
Анализ влияния радиационных эффектов на характеристики операционного усилителя с использованием универсальной SPICE-RAD-модели биполярных транзисторов
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
The operational amplifiers (Op-Amps) are widely used in electronic systems operating under conditions of exposure to ionizing radiation; hence the IC designer has a need to carry out circuit modeling considering radiation factors. The main problem of this method of the Op-Amps simulation is that in SPICE-like programs there are no adequate models of bipolar ...
Added: November 6, 2025
Влияние защитного покрытия на характеристики RIS для частоты 5,3 ГГц
Tyarin A., Kureev A., Тронин С. С., В кн.: ИТиС 2023: Сборник трудов 47-й междисциплинарной школы-конференции ИППИ РАН "Информационные технологии и системы 2023"Т. 47.: М.: ИППИ РАН, 2023. С. 324–326.
Реконфигурируемые интеллектуальные поверхности (англ.: Reconfigurable Intelligent Surfaces, RISs) — перспективные устройства, способные увеличить пропускную способность и область покрытия новых и уже существующих беспроводных сетей. Однако, на сегодняшний день большая часть таких устройств представлена в виде прототипов. При внедрении RIS в реальные системы связи необходимо обеспечить ее защиту от воздействия внешней среды. Одним из решений является ...
Added: January 17, 2024
Влияние защитного покрытия реконфигурируемой интеллектуальной поверхности на ее характеристики
Tyarin A., Тронин С. С., Kureev A. et al., Информационные процессы 2023 Т. 23 № 4 С. 497–506
Reconfigurable Intelligent Surfaces (RISs) are promising devices capable of increasing the bandwidth and coverage area of new and existing wireless networks. Nowadays, most of these devices are presented in the form of prototypes that have no environmental protection and are not adapted for implementation in existing communication systems. However, protective coating may significantly affect the ...
Added: January 17, 2024
TCAD и SPICE моделирование элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Petrosyants K. O., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Added: November 30, 2021
Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
The unified Si BT/SiGe HBT SPICE-model is presented, which allows performing SPICE simulation of integrated circuits that considering the radiation effect. The results of measurements and modeling of electrical characteristics of bipolar transistors before and after exposure to various radiation types are presented. ...
Added: December 5, 2020
Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 404–405
The paper considers a new TCAD Rad model for BJTs and MOSFETs for proton radiation. The equations for radiation-dependent parameters (life time, mobility, surface velocity, traps concentration) have been added in Sentaurus TCAD. The simulation results are in good agreement with experimental data. ...
Added: January 30, 2019
Compact Device Models for BiCMOS VLSIs Simulation in the Extended Temperature Range (from -200°C to +300°C)
Petrosyants K. O., , in: 24th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (2018).: IEEE, 2018. P. 1–6.
The temperature range of SPICE models of bipolar and MOS transistors is extended from –60°C to +150°C (standard commercial level) to –200°C…+300°C for low/high temperature ICs design. This is done by including additional equations for temperature-dependent parameters, and by connecting additional elements to the device equivalent circuit to take into account the thermal effects. The ...
Added: November 22, 2018
Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., Sensors and Transducers 2018 Vol. 227 No. 11 P. 42–50
The special library of radiation damage models for physical parameters and electrical characteristics of bipolar and MOS transistor and sensor structures taking into account neutron, gamma and proton irradiation is developed and built-into Sentaurus Synopsys software tool. For different BJTs/HBTs, MOSFETs and radiation sensors the good agreement to simulated and experimental electrical characteristics is achieved. ...
Added: October 22, 2018
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. et al., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 111–117.
A set of modified compact spice models of field effect transistors is presented: with isolated gate (MOSFET) and with pn junction control (JFET) for circuit simulation in a temperature range of -200°C, which is important for space applications. All models are constructed using the approach combining macromodeling based on the standard models available in the ...
Added: October 21, 2018
Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г.: М.: Техносфера, 2018. С. 308–312.
. ...
Added: October 21, 2018
Радиационные изменения параметров биполярных транзисторов
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
The main content of the training manual is: consideration of the issues of the effect of radiation creating structural defects on the main parameters of bipolar transistors, Consider issues related to the influence of ionization factors on the operation of transistors (radiation transients), the effect of nuclear reactions and fast annealing on the parameters of transistors is considered; Classification ...
Added: March 16, 2018
Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280–281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-програм­много комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Added: September 8, 2017
Схемотехнические SPICE модели элементов БИС, учитывающие радиационные эффекты
Petrosyants K. O., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 281–283.
Для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС разработаны универсальные компактные SPICE-макромодели биполярных и МОП-транзисторов, учитывающие радиационные воздействия гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц. ...
Added: October 10, 2016
Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения
Petrosyants K. O., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 18–19.
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС ...
Added: October 10, 2016
Origin of Electric Field Dependence of the Charge Mobility and Spatial Energy Correlations in C60-Based Field Effect Transistors
Fishchuk I. I., Kadasnchuk A., Novikov S. V. et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals 2014 Vol. 589 P. 18–28
We report on the influence of the lateral electric field on the charge mobility in organic field-effect transistors (OFET) based on C 60 films with multigrain morphology. The experimental data were quantitatively described using a recent analytical model by accounting for the strong local electric fields in a multigrain transistor channel and for the energy ...
Added: March 4, 2015
Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации
К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 6 С. 85–87
В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов. ...
Added: January 29, 2014
Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.
The effects of neutron irradiation on both Si bipolar junction transistor (BJT) and SiGe heterojunction transistor (HBT) are investigated using Synopsys TCAD tool. The carrier lifetime degradation under irradiation models are included in the program. For SiGe HBT at fluences as high as 10**15 cm-2 the degradation of peak current gain is less than 40%, ...
Added: April 12, 2012
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit