?
Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения
С. 18–19.
In book
М.: Техносфера, 2016.
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
The operational amplifiers (Op-Amps) are widely used in electronic systems operating under conditions of exposure to ionizing radiation; hence the IC designer has a need to carry out circuit modeling considering radiation factors. The main problem of this method of the Op-Amps simulation is that in SPICE-like programs there are no adequate models of bipolar ...
Added: November 6, 2025
Stepanyants V., , in: 2025 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2025. P. 982–986.
Transportation systems are complicated and deal with significant problems. With the pool of possible solutions being wide, extensive transportation planning has to be involved. However, planning based on expert opinions is significantly limited in terms of rapidity, accuracy, and confidence. Computer-aided design and automated decision-making systems are the next step to ensure transportation system development ...
Added: October 3, 2025
Khlynov P., Sambursky L. M., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Taking into account the variation in the parameters of SPICE models of semiconductor components in the circuit modeling of electronic components is necessary for a more accurate assessment of the limits of their operability during the design of electronic equipment. This is especially important for equipment designed to operate in conditions other than normal or ...
Added: September 16, 2025
Издательство ПетрГУ, 2024.
В сборник включены доклады, представленные на Всероссийской научно-технической конференции «Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии». Доклады охватывают широкий круг вопросов в области информационно-коммуникационных технологий и программно-технических комплексов, автоматизации технологических процессов и производств на базе современных технологий и оборудования, САПР, электромагнитной совместимости, релейной защиты и автоматики, передачи, распределения и потребления электроэнергии, электрического и электронного оборудования, математического моделирования в электроэнергетике, нейросетевых ...
Added: December 9, 2024
Tsvetkov V., Lander L., Kononova N. et al., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022. С. 200–203.
В работе рассмотрены различные виды теплопередачи в электронике, изучены методы теплоотвода в радиоэлектронных средствах (РЭС), а также проведено тепловое моделирование некоторых систем охлаждения в программном комплексе САПР SolidWorks. Данное исследование проводится в рамках разработки электронного учебного пособия по компьютерному моделированию РЭС с различными видами охлаждения. ...
Added: August 27, 2024
Amerikanov A., Таржанов Т. В., Romanova I. et al., Труды Института системного программирования РАН 2023 Т. 35 № 5 С. 67–80
The paper analyzes the existing methods to optimize the time costs and increase the accuracy of calculations in the high-level simulation of networks-on-chip. The description of parameters and characteristics of networks-on-chip calculated by different models is given, and their influence on the speed of high-level simulation is analyzed. Adaptation of existing methods of modeling optimization ...
Added: March 8, 2024
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
Using the enhanced capabilities of SPICE modeling of CMOS circuits and extended SPICE models of MOSFET with account for aging effects, the paper deals with quantitative estimates of the increased effects of hot carriers and dielectric breakdown on the characteristics of CMOS operational amplifiers, when the minimum size of transistors is reduced from 180 nm ...
Added: July 7, 2022
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Kozhukhov M. et al., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
The paper highlights RAD-THERM-AGING versions of TCAD and SPICE models developed for BiCMOS VLSI components with submicron and nanometer sizes, taking into account various types of radiation effects, temperatures in the wide range of -260...+300°C and aging during long-term operation. ...
Added: July 7, 2022
Petrosyants K. O., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Added: November 30, 2021
Kozhukhov M., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
A SPICE macromodel of the SiGe HBTs taking into account aging effects is presented. It consists of the standard core model selected by the designer and an additional subcircuit taking into account the hot-carrier effects. The macromodel was included on SPICE-like simulators. The advantages of SPICE-model version of SiGe HBT are high accuracy of description for device ...
Added: November 15, 2021
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X
Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки
перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.).
Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами
российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными
сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций
и вузов, работающих ...
Added: November 12, 2021
Ismail-zade M. R., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Added: November 5, 2021
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
The possibilities of determining the SPICE model parameters in an extended temperature range were investigated using the three most common commercial extractors IC-CAP, MBP and BSIMProPlus. Comparative estimates of the efficiency of extractors are given on the example of calculating MOSFETs I–V characteristic taking into account the temperatures up to +300°C. ...
Added: November 5, 2021