?
Red GaPAs/GaP Nanowire-Based Flexible Light-Emitting Diodes
Nanomaterials. 2021. Vol. 11. No. 10. Article 2549.
Neplokh V., Fedorov V., Mozharov A., Kochetkov F., Shugurov K., Моисеев Э. И., Amador-Mendez N., Statsenko T., Morozova S., Krasnikov D., Nasibulin A., Islamova R., Cirlin G., Tchernycheva M., Mukhin I.
Keywords: светодиодыnanowiresmolecular beam epitaxyуглеродные наноструктурыflexible LEDГибкий светодиод
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Dvoretckaia L. N., Gridchin V. O., Mozharov A. M. и др., Nanomaterials 2022 Vol. 12 No. 12 Article 1993
Прямая интеграция эпитаксиальных гетероструктур III-V и III-N на кремниевых подложках является перспективным направлением для разработки оптоэлектронных устройств. Нитевидные нанокристаллы(ННК), благодаря своей уникальной геометрии, позволяют осуществлять прямой синтез полупроводниковых светоизлучающих диодов (LED) на кремниевых подложках с несогласованной кристаллической решеткой. В данной работе, мы представляем молекулярно-пучковую эпитаксию регулярных массивов гетероструктурированных ННК n-GaN/i-InGaN/p-GaN и триподов на подложках Si/SiO2, предварительно нанесенных с использованием экономичной и быстрой ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Gridchin V., Kotlyar K., Reznik R. и др., Nanotechnology 2021 Vol. 32 No. 33 Article 335604
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Фомин Л. А., Загорский Д. Л., Чигарев С. Г. и др., Журнал технической физики 2022 Т. 92 № 8 С. 1142-1150
В диапазоне частот от 16 до 50 THz исследованы спектры пропускания, отражения и поглощения массивов
гетерогенных нанопроволок из Ni/Co, FeNi/Co и Ni/Fe, выращенных в трековых полимерных мембранах
гальваническим методом. Спектры поглощения показали, что доля мощности излучения, поглощаемая
нанопроволоками, и его спектр зависят от материалов нанопроволок. Особенности спектров можно объяснить накоплением неравновесного спина за счет диффузии электронов и его ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Sidorova M., Kozorezov A. G., Semenov A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 97 No. 184512 P. 1-13
Добавлено: 29 мая 2018 г.
Bolshakov A., Fedorov V., Sibirev N. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2019 Vol. 13 No. 11 P. 1900350
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Загорский Д. Л., Долуденко И. М., Чигарев С. Г. и др., Известия РАН. Серия физическая 2021 Т. 85 № 8 С. 1102-1108
Методом матричного синтеза получены массивы нанопроволок из чередующихся слоев различных
ферромагнитных металлов для создания генератора электромагнитного излучения терагерцовой
частоты. Предложен способ вывода излучения за счет формирования несплошных контактов в виде
чередующихся полос, показана нетепловая природа сигнала. Изучено угловое распределение интенсивности сигнала. Показано, что излучение направлено во все стороны, однако имеется достаточно выраженный максимум интенсивности, направленный перпендикулярно плоскости пленки.
Сделана ...
Добавлено: 1 декабря 2023 г.
Сибирев Н. В., Бердников Ю. С., Федоров В. В. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 11 С. 969-972
Предложена модель для расчета состава самокаталитических нитевидных нанокристаллов, не содержащая подгоночных параметров. Показано, что состав нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) не зависит от скорости роста при фиксированном отношении суммарных потоков атомов V и III групп. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментально наблюдаемой зависимостью состава нитевидных нанокристаллов от соотношения потоков атомов As и P ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Хайретдинова Д. Р., Долуденко И. М., Панина Л. В. и др., Физика твердого тела 2022 Т. 64 № 9 С. 1144-1152
Изучено несколько типов нанопроволок (НП) из сплавов различного состава, полученных методом
матричного синтеза на основе трековых мембран. Подобраны электролиты для получения НП нужного
состава. Контроль электроосаждения по хроноамперограммам позволил систематически изменять геометрические параметры и морфологию. Топографии полученных массивов НП и их элементный состав были
изучены с помощью электронной микроскопии с рентгеноспектральным анализатором. Магнитные свойства
образцов были исследованы на вибрационном ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
I. M. Doludenko, Volchkov I. S., Turenko B. A. и др., Materials Chemistry and Physics 2022 Vol. 287 Article 126285
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Долуденко И. М., Загорский Д. Л., Мельникова П. Д. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2022 № 6 С. 9-16
Методом матричного синтеза (гальваническое заполнение пор трековой мембраны) получены нанопроволоки Co/Cu и Ni/Cu со слоями металлов различной толщины. Подобраны электролиты и
определены режимы электроосаждения. В случае кобальтовых нанопроволок толщины слоев изменялись в пределах от 25 до 400 нм, в случае никелевых были получены образцы с тонкими слоями –
от 7 до 15 нм. Проведены электронно-микроскопические исследования, выявившие ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Малевская А. В., Калюжный Н. А., Малевский Д. А. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 8 С. 699-703
Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 31-35
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Gridchin V., Dvoretckaia L., Kotlyar K. и др., Nanomaterials 2022 Vol. 12 No. 14 Article 2341
Прямая интеграция эпитаксиальных гетероструктур III-V и III-N на кремниевых подложках является перспективным направлением для разработки оптоэлектронных устройств. Нитевидные нанокристаллы(ННК), благодаря своей уникальной геометрии, позволяют осуществлять прямой синтез полупроводниковых светоизлучающих диодов (LED) на кремниевых подложках с несогласованной кристаллической решеткой. В данной работе мы представляем молекулярно-пучковую эпитаксию регулярных массивов гетероструктурированных ННК n-GaN/i-InGaN/p-GaN и триподов на подложках Si/SiO2, предварительно нанесенных с использованием экономичной и ...
Добавлено: 4 октября 2022 г.
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Храпай В. С., Nagaev K., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 98 P. 121401-1-121401-5
Добавлено: 1 октября 2018 г.
Ковалец Н. П., Кожина Е. П., Долуденко И. М. и др., Известия РАН. Серия физическая 2021 Т. 85 № 8 С. 1097-1101
Методом шаблонного синтеза могут быть могут быть изготовлены массивы нанопроволок для использования в качестве активных подложек для спектроскопии гигантского комбинационного рассеяния. При высыхании подложек в процессе изготовления нанопроволоки на поверхности агломерируют. При определенной высоте нанопроволок происходит слипание только их концов, что необходимо для эффективного формирования горячих точек на подложках для спектроскопии
гигантского комбинационного рассеяния. Слипание на ...
Добавлено: 1 декабря 2023 г.
Chernenko N. E., Махов И. С., Balakirev S. V. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 3.1 P. 64-68
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Y. S. Berdnikov, Semiconductors 2020 Vol. 14
Добавлено: 30 ноября 2020 г.
Добавлено: 22 мая 2023 г.
Fomin L. A., Krishtop V. G., Zhukova E. S. и др., Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 2022 No. 12157 P. 1-9
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Balakirev S., Kirichenko D., Chernenko N. и др., Crystals 2023 Vol. 13 No. 9 Article 1358
Добавлено: 14 сентября 2023 г.
Reznik R., Ilkiv I., Kotlyar K. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2022 Vol. 16 No. 7 Article 2200056
Комбинации нитевыдных нанокристаллов (ННК) AIIIBV с квантовыми точками (КТ) являются многообещающими материалами для квантовых источников света. В настоящей работе впервые показаны результаты выращивания ННК AlGaAs с КТ InGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке. Определена оптимальная температура роста и исследованы физические свойства выращенных наноструктур. Показано, что выращенные наноструктуры проявляют сигнал фотолюминесценции (ФЛ) вплоть до комнатной температуры в широком ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Bograchev Daniil A., Volgin V. M., Davydov A. D., Electrochimica Acta 2013 Vol. 96 P. 1-7
A simple model of electrochemical growth of nanowires in the pores of anodic aluminum oxide (AAO) template is developed. The metal deposition is considered at various overpotentials. The model takes into consideration the ionic transfer both in the varying diffusion layer in the pores and in the diffusion layer above the template, which is determined ...
Добавлено: 14 марта 2015 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 13 С. 28-31
Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs
при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 μm
оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью
оптического сигнала. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.