?
Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 10. С. 1002–1010.
Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С., Денисов Д. В., Fominykh N., Баранов А. И., Гудовских А. С., Мельниченко И. А., Юнин П. А., Неведомский В. Н., Токарев М. В., Бер Б. Я., Гладышев А. Г., Карачинский Л. Я., Новиков И. И., Егоров А. Ю.
The results of a study of nitrogen-containing active regions based on superlattices grown on GaAs substrates are presented. Active regions based on alternating InAs and GaAsN layers were fabricated by molecular-beam epitaxy using a nitrogen plasma source. Based on the XRD analysis, the thicknesses and average composition of superlattice layers are estimated. The study of dark-field images obtained by transmission electron microscopy showed the presence of interdiffusion of InAs into GaAsN. The results of a study of the photoluminescence and electroluminescence spectra at different pump levels are presented. Efficient electroluminescence is demonstrated near 1150 nm with a full width at half-maximum of about ~90 meV. Keywords: Superlattices, molecular beam epitaxy, gallium arsenide, dilute nitride, GaAsN, InAs.
Pilé I., Shchur L., Deng Y., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 014101
We investigate the spatial overlap of successive spin configurations in Markov chain Monte Carlo simulations using the local Metropolis algorithm and the Swendsen-Wang and Wolff cluster algorithms. We examine the dynamics of these algorithms for models in different universality classes: Ising model, Potts model with three components, and four-state Potts model. The overlap of two ...
Added: July 6, 2026
МФТИ, 2025.
абота редакции научного журнала «Труды Московского физико-технического института» (кратко «Труды МФТИ»), редакционной коллегии и редакционного совета осуществляется в соответствии с Положением, утвержденным ректором института. В состав редакционной коллегии входят руководители института, факультетов, институтских и факультетских кафедр. Главный редактор журнала —президент МФТИ, член-корр. РАН Кудрявцев Н.Н.
Журнал «Труды МФТИ» входит в базу данных РИНЦ (Российский Индекс Научного Цитирования) и доступен в электронной ...
Added: July 4, 2026
Bobkov G. A., Bobkov G. A., Bobkova I. V. et al., Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 2025 Vol. 38 Article 239
In recent years, a number of studies have predicted the emergence of a nontrivial proximity effect in superconductor/antiferromagnet (S/AF) heterostructures. This effect is of considerable interest for the efficient integration of antiferromagnetic materials into the fields of superconducting spintronics and electronics. A key element of this proximity effect is the Néel triplet correlations, initially predicted ...
Added: July 2, 2026
Bakurskiy S. V., Skryabina O. V., Ruzhickiy V. I. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 P. 134509-1–134509-10
The miniaturization of superconducting electronics demands precise control over quasiparticle dynamics at the nanoscale. Understanding and controlling quasiparticle dynamics is essential for advancing superconducting electronics, particularly as device dimensions approach the nanoscale. Here we present direct experimental evidence for the quasiparticle-to-supercurrent conversion in planar SN-N-NS Josephson nanobridges with submicron electrodes. By employing a versatile measurement ...
Added: July 2, 2026
Polevoy K. B., Bakurskiy S. V., Ruzhickiy V. I. et al., Physical Review Applied 2026 Vol. 25 P. 024030-1–024030-12
We present a comprehensive study of planar Nb-Al-Nb Josephson junctions with submicrometer dimen sions (L ≈ 100 nm, active area of approximately 5 × 104 nm2), where the intrinsic superconductivity of the aluminum weak link plays a crucial role in enhancing device performance. Through a combi nation of theoretical modeling and experimental characterization, we demonstrate ...
Added: July 2, 2026
Никонов В. Д., Никитин С. С., Патракеев М. В., Ionics 2025 Vol. 31 No. 1 P. 675–687
Modification of perovskite-type oxides is an effective way to develop functional materials with advanced properties. The effects of cerium introduction into the A sublattice of La0.5Sr0.5FeO3−δ and variation of La:Sr ratio on the defect structure and charge transfer characteristics were studied in this work. The LaxSr0.85−xCe0.15FeO3−δ oxides were found to be single-phase with cubic (x = 0.1) and orthorhombic ...
Added: June 26, 2026
Polkin A., Skvortsov M., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 Article 174516
We develop a full microscopic theory for the optical conductivity 𝜎(𝜔) of a dirty current-carrying superconductor. Within the Keldysh sigma model formalism, we obtain the general analytical expression for 𝜎(𝜔), applicable for arbitrary frequency 𝜔, temperature 𝑇, and dc supercurrent 𝐼. In addition to altering the usual Mattis-Bardeen conductivity 𝜎1(𝜔), a finite supercurrent introduces two new contributions: 𝜎qp2(𝜔) from quasiparticle redistribution and 𝜎SH2(𝜔) from the amplitude ...
Added: June 25, 2026
Skvortsov M., Artem Polkin, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 10 Article 100502
A dissipationless supercurrent state in superconductors can be destroyed by thermal fluctuations. Thermally activated phase slips provide a finite resistance of the sample and are responsible for dark counts in superconducting single-photon detectors. The activation barrier for a phase slip is determined by a space-dependent saddle-point (instanton) configuration of the order parameter. In the one-dimensional ...
Added: June 25, 2026
Деменев А. А., Терешко С. Н., Гиппиус Н А et al., Известия РАН. Серия физическая Россия 2025 Т. 89 № 2 С. 265–273
The authors study the temporal evolution of polarized spectra of emissions from spinor exciton‒
polariton condensates in double tunnel-coupled potential traps inside a high-Q GaAs/AlAs microcavity
at 2 K upon resonance laser pumping with picosecond pulses at times of up to 1.5 ns. The period of the condensates’
spin relaxation in a double trap is estimated as τs ...
Added: June 23, 2026
Абрамов-Максимов В. Е., И.А. Бакунина, Геомагнетизм и аэрономия 2026 Т. 66 № 3 С. 515–529
Проанализировано 8 вспышечных событий по данным многочастотных наблюдений сети радиотелескопов Radio Solar Telescope Network. Целью анализа было выявление предвестников солнечных вспышек. В семи рассмотренных случаях выявлены предвспышечные квазипериодические флуктуации радиоизлучения. Сделанная по вейвлет-спектрам оценка квазипериодов дает в большинстве случаев значения 40–50 сек. В одном событии с большой вспышкой класса M8.0 квазипериодические флуктуации не проявились. В ...
Added: June 22, 2026
И.А. Бакунина, В.Ф. М., А.В. Ш. et al., Геомагнетизм и аэрономия 2025 Т. 65 № 9 С. 1363–1373
Рассмотрена связь особенностей положения и ориентации магнитных жгутов в активной области (АО) с источниками микроволнового (17 ГГц) излучения и излучения в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV) при возникновении эруптивных вспышек, сопровождающихся корональными выбросами массы, и вспышек с "запертой" эрупцией. Приведены примеры эруптивных событий, демонстрирующие пространственное совпадение микроволновых источников с расположением магнитных жгутов в АО, восстановленных при ...
Added: June 22, 2026
Г. Г. Бондаренко, Кристя В. И., Савичкин Д. О. et al., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2026 № 4 С. 29–36
Сформулирована модель тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути при наличии
на поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Рассчитаны зависимости характеристик
разряда от температуры в интервале ее изменения, в котором заметный вклад в ионизацию
рабочей газовой смеси дает ионизация атомов ртути метастабильными возбужденными атомами
аргона (реакция Пеннинга). Показано, что в случае катода без диэлектрической пленки при
повышении температуры до ...
Added: June 20, 2026
Chertenkov V. I., Shchur L., Lobachevskii Journal of Mathematics 2026 Vol. 47 No. 2 P. 720–727
Supervised machine learning is successfully applied to the study of critical phenomena and allows us to obtain a numerical estimate of the phase transition temperature and the correlation length exponent. We discuss the influence of possible systematic errors, as well as statistical errors, on the accuracy of such numerical estimates. Errors in the training and ...
Added: June 16, 2026
Батурин А. С., Гаврилов В. Р., Иванов А. В. et al., Измерительная техника 2026 Т. 75 № 2 С. 14–28
28 декабря 2025 года Всероссийскому научно-исследовательскому институту оптико-физических измерений (ВНИИОФИ) исполнилось 60 лет. За прошедшие десятилетия институт выполнил значительное количество научных исследований, разработал и поставил потребителям тысячи высокоточных средств оптико-физических измерений (включая эталонное оборудование). В статье представлены наиболее значимые для метрологического обеспечения оптико-физических измерений результаты научно-исследовательских работ, выполненных ВНИИОФИ за период 2016–2025 гг. ...
Added: June 15, 2026
Вишняков Г. Н., Левина Э. Ю., Minaev V., Измерительная техника 2025 Т. 74 № 2 С. 20–27
Качество формируемого оптической системой изображения определяется её частотно-контрастной характеристикой или коэффициентами передачи модуляции на различных пространственных частотах. Для обеспечения единства измерений коэффициентов передачи модуляции и создания эталонной базы по воспроизведению, хранению и передаче единицы коэффициента передачи модуляции усовершенствован Государственный первичный эталон единиц оптической силы очковой оптики ГЭТ 205-2013 в части воспроизведения единицы коэффициентов передачи модуляции ...
Added: June 15, 2026
Filippova A. V., Yurchenko N. Y., Smirnov S. A. et al., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1074 Article 189162
This study investigates the effects of post-processing heat treatment at 300–500 °C on the microstructure, hardness, and tensile properties of laser powder bed fusion (PBF-LB) processed Al-bronze processed with energy densities (ED) in the range of 125–938 J/mm3. In the as-printed state, sharp needle-like α + β′ laths form at lower ED whereas with increasing ED, the β′ ...
Added: June 12, 2026
Спонтанное образование скин-слоя в воде с деформацией ОН-полосы КР вкладом компоненты льда 3200 см-1
Першин С. М., Степанов Е. В., Артемова Д. Г. et al., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 6 С. 383–390
Открыто спонтанное образование в течение 4 ч скин-слоя дистиллированной воды толщиной до 3 мм при комнатной температуре с новыми свойствами. Обнаружены деформация ОН-полосы комбинационного рассеяния вкладом компоненты льда ( 3200 см-1), снижение коэффициента упругого рассеяния и его флуктуаций, а также увеличение на 20 капиллярах. Восстановление слоя после обогащения воздухом в результате перемешивания указывает на стабильность ...
Added: June 8, 2026
Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov et al., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237
The planar microcavity structure based on non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors was fully fabricated by molecular-beam epitaxy. Usage of In0.63Ga0.37As quantum dots reveals room temperature emission near 1110 nm with emission bandwidth of about 80 meV. The determined spectral mismatch between peak position of gain region and reflectivity spectrum dip was about 115 meV at 290 K. ...
Added: May 14, 2025
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov et al., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Despite the rapid growth in the number of studies devoted to quantum dot (QD) formation on patterned substrates,
segregation effects that have a significant impact on the properties of QD-based heterostructures remain
largely unexplored. In this paper, we focus on the influence of segregation under different capping regimes on the
optical properties of various InAs/GaAs nanostructures: QDs and ...
Added: April 17, 2025
Balakirev S. V., Makhov I., Kirichenko D. V. et al., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used
during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence
spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the
longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Added: April 17, 2025
Solodovnik M. S., Kirichenko D., Dukhan D. et al., Applied Surface Science 2025 Vol. 688 Article 162373
This paper proposes a new approach to nanoscale patterning of GaAs substrates that allows formation of subcritical (below the Stranski-Krastanov critical thickness) low-density quantum dots. We demonstrate that the removal of the GaAs native oxide under molecular arsenic flux stimulates the formation of nanosized holes on the substrate surface. Geometric characteristics of these holes (diameter, ...
Added: January 21, 2025
Никитина Е. В., Соболев М. С., Пирогов Е. В. et al., Конденсированные среды и межфазные границы 2024 Т. 26 № 3 С. 490–495
Добавление нескольких процентов азота в GaP или GaPAs позволяют получить твердые растворы GaPNAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с кремниевой подложкой в большом диапазоне значений ширины запрещенной зоны, что дает возможность получения оптоэлектронных кремниевых интегральных схем. Однако материалы с небольшой долей азота являются мало изученными из-за сложности в эпитаксиальном выращивании четверных твердых растворов с тремя ...
Added: November 24, 2024
Shugabaev T., Gridchin V., Ivan A. Melnichenko et al., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2025 Vol. 19 No. 4 Article 2400296
A significant (up to 4 times) photoluminescence enhancement of single InP/InAsP/InP nanowires transferred onto a silicon oxide-covered silver layer on silicon substrate with a metal surface roughness level of less than 1 nm and a dielectric thickness of 5 nm has been demonstrated. This phenomenon is explained by the interaction of electron–hole pairs in the semiconductor with ...
Added: November 15, 2024
Бабичев А. В., Nadtochiy A., Blokhin S. et al., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 318–325
The growth parameters of InxGa1−xAs quantum dots grown by molecular-beam epitaxy were tested. It has been shown that a decrease in the indium content in quantum dots structures yields to a decrease in the ground state emission wavelength, with subsequent saturation of the behavior. The use of In0.5Ga0.5As quantum dots makes it possible to realize ...
Added: October 23, 2024