?
Quasi – 3D Electro-Thermal Simulation of Integrated Transistor Structures, IC Chips and Packages
Ch. 7491801. P. 1–6.
Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov
New quasi – 3D numerical model for combined electrical and thermal analysis of integrated transistor structures,
IC chips and packages is presented. The general 3D heat transfer and electrical field problems are correctly transformed to the set of 2D equations for temperature and electrical potential distributions in different layers of the device. The complexity and CPU time of the electro-thermal analysis were many times reduced. The model details and results of electro-thermal simulation of different types of semiconductor devices and ICs are presented.
Keywords: semiconductor devicesBGA packageэлектрическое полеполупроводниковые приборыBGA корпусаElectro-thermal simulationэлектро-тепловое моделированиеИнтегральные схемытепловое полеElectrical fieldThermal fieldQuasi – 3D approachinegrated circuitsintegrated transistorинтегральные транзисторыквазитрехмерное приближение
Publication based on the results of:
In book
M.: HSE, 2016.
Kharitonov I. A., Kofanov Y. N., Тегин М. С., Наноиндустрия 2023 Т. 16 № S9-1(119) С. 189–196
The paper presents a set of developed software tools to provide joint electro-thermal modeling of power electronic circuits on PCBs using Comsol, SPICE, Asonika-TM software tools. Examples of joint electro-thermal modeling of power electronic circuit on printed circuits have also been presented. ...
Added: May 21, 2023
Базелян Э. М., Aleksandrov N., Физика плазмы 2022 Т. 48 № 7 С. 639–647
A numerical simulation of a positive streamer in long (up to 3 m) air gaps under normal conditions was performed within the 1.5D model taking into account the ionization expansion of the channel. It is shown that the average electric field in the channel and the field required to bridge the discharge gap are not ...
Added: October 26, 2022
Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov et al., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–5.
Added: July 26, 2022
Petrosyants K. O., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Conventional BJT, MOSFET, JFET, DMOST, IGBT structures fabricated on bulk silicon and SOI/SOS substrates are characterized as the object of modeling. Popular TCAD simulators and SPICE device models libraries are presented. The model parameters extraction strategies for TCAD device and SPICE circuit simulation based on data proceeding of physical and electrical measurements are described. The ...
Added: December 5, 2020
Grishchenko M. Y., Калитка Л. С., В кн.: Материалы Международной конференции «ИнтерКарто. ИнтерГИС»: Геоинформационное обеспечение устойчивого развития территорийЧ. 2. Т. 25.: Издательство Московского университета, 2019. С. 101–111.
Среди всех крупных городов России Краснодар находится в наиболее мягких и тёплых климатических условиях. В связи с этим интересно изучить особенности сезонной изменчивости теплового поля Краснодара, а также внутреннюю структуру поверхностного
острова тепла, выявляемую по тепловым космическим снимкам. Для этого использованы
разносезонные тепловые космические снимки со спутника Landsat 8 (съёмочная система
TIRS), характеризующиеся пространственным разрешением 100 м. Выполнена ...
Added: October 29, 2020
Kechiev L., М.: Грифон, 2019.
На основе обобщения отечественного и мирового опыта рассматривается комплекс вопросов, связанных с разработкой эффективных экранов для радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), работающей в широком частотном диапазоне. Защита РЭА от воздействия электромагнитных полей представлена комплексно: от концепции экранирования до методики расчета неоднородных экранов; от металлических материалов до перспективных композитных и наноматериалов, применяемых при экранировании. В пособии рассматривается концепция ...
Added: October 21, 2019
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. et al., , in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2017. P. 1–5.
Although it has been demonstrated that the SiGe HBTs can achieve faster unloaded circuit speed at cryogenic temperature than at room temperature, modelling of the SiGe HBTs at low temperature has been limited. It is known that the standard SPICE models of bipolar transistor are effective and guarantee the valid results only up to a ...
Added: July 16, 2018
Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И. et al., М.: Солон-Пресс, 2017.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Added: February 28, 2017
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Nikita I. Ryabov et al., , in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: M.: HSE, 2016. P. 1–6.
A hardware-software subsystem for multilevel investigation and analysis of thermal behavior and thermal faults in electronic components and systems is presented. IR thermography and thermal simulation software tools were interconnected and used together to detect and analyze hot spots, overheated elements, to optimize component constructions and cooling conditions to prevent radio-electronic components faults, improve thermal ...
Added: December 27, 2016
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M. et al., , in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016).: IEEE, 2016. P. 250–254.
In this work, results of electrical measurements and their analysis are demonstrated for a small-scale 180-nm SOI CMOS
technology in the extended temperature range (up to 300°C). Comparison with high temperature electrical characteristics
of 0.5 um technology is drawn. Modified model for SOI MOSFETs, based on BSIMSOI model is developed and model
parameters are extracted for SPICE simulation ...
Added: November 1, 2016
Petrosyants K. O., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 18–19.
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС ...
Added: October 10, 2016
М.: Техносфера, 2016.
В сборник включены тезисы докладов конференции, освещающие актуалные вопросы разаработки, производства и применения отечественных интегральных схем и высокоинтегрированных микроэлектронных модулей. ...
Added: April 13, 2016
Petrosyants K. O., Rjabov N., , in: International Conference on Simulation, Modeling and Mathematical Statistics (SMMS-2015).: Lancaster: DEStech Publications,Inc., 2015. P. 252–257.
New quasi – 3D numerical model for electrical and thermal analysis of microelectronic semiconductor devices is presented. The general 3D heat transfer and electrical field problems are correctly transformed to the set of 2D equations for temperature and electrical potential distributions in different layers of the device. The complexity and CPU time of the electro-thermal ...
Added: April 12, 2016
Petrosyants K. O., Rjabov N., Kharitonov I. A. et al., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 231–232.
Описаны разработанные автоматизированные подсистемы, встроенные в коммерческую САПР Mentor Graphics: электротеплового моделирования аналоговых ИС, логико-теплового анализа цифровых ИС и БИС, электротеплового расчета систем на печатных платах. За счет автоматизации процесса электро-теплового и логико-теплового моделирования существенно расширены возможности системы Mentor Graphics. Описаны разработанные электро-тепловые модели компонентов ИС, БИС, проводников печатных плат, используемые в разработанных подсистемах. Приведены ...
Added: February 16, 2016
Artyukhova M. A., В кн.: Тезисы докладов IX международной отраслевой научной конференции “Технологии информационного общества”.: М.: ИД Медиа Паблишер, 2015. С. 76–76.
A study evaluating the durability of the model of microwave power transistors ...
Added: December 10, 2015