• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
May 25, 2026
HSE Scientists Train Neural Network to 'Hear' Faults in Electric Motors
Researchers at the AI and Digital Science Institute of the HSE Faculty of Computer Science have developed a new method—the Signature-Guided Data Augmentation (SGDA) framework—that achieves 99% accuracy in motor fault detection and 86% accuracy in fault classification. The application of this approach can reduce industrial equipment repair costs, minimise downtime, and improve production safety. The study results have been published in Engineering Applications of Artificial Intelligence.
May 25, 2026
'The Humanities Serve as a Conscience'
Maria Mizernaia studies Soviet literature and the history of book publishing. In this interview for the HSE Young Scientists project, she discusses plans to publish a novel about besieged Leningrad, AI-provoked reflections on what it means to be human, and how novels can help satisfy our dopamine hunger.
May 25, 2026
Is It Possible to Predict a Citys Life Based on the Shape of Its Neighbourhoods?
Is it possible to predict, based on the configuration of streets and buildings, where a café will open or where traffic congestion will occur? Participants in the Spatial Analysis and Modelling of Urban Processes research and study group use open data and machine learning to identify universal patterns. Alexander Sheludkov and Eduard Somov discuss the purpose of comparing cities, the need for new forms of urban statistics, and how open data is transforming approaches to urban studies.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР

С. 231–232.
Petrosyants K. O., Rjabov N., Kharitonov I. A., Kozynko P.
Language: Russian
Full text
Keywords: печатные платыэлектро-тепловое моделированиеSPICE-моделикоммерческая САПРаналого-цифровые БИС
Publication based on the results of:
Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты (2015)

In book

Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.
Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.
М.: Техносфера, 2015.
Similar publications
Анализ влияния радиационных эффектов на характеристики операционного усилителя с использованием универсальной SPICE-RAD-модели биполярных транзисторов
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
The operational amplifiers (Op-Amps) are widely used in electronic systems operating under conditions of exposure to ionizing radiation; hence the IC designer has a need to carry out circuit modeling considering radiation factors. The main problem of this method of the Op-Amps simulation is that in SPICE-like programs there are no adequate models of bipolar ...
Added: November 6, 2025
Сравнительный анализ подходов к определению разброса температурно-зависимых параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов
Khlynov P., Sambursky L. M., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Taking into account the variation in the parameters of SPICE models of semiconductor components in the circuit modeling of electronic components is necessary for a more accurate assessment of the limits of their operability during the design of electronic equipment. This is especially important for equipment designed to operate in conditions other than normal or ...
Added: September 16, 2025
Использование портретов n-норм для массового исследования цепей с модальным резервированием
Gazizov R., Медведев А. В., Газизов Т. Р., Динамика систем, механизмов и машин 2021 Т. 9 № 3 С. 104–109
В работе предложено усовершенствовать процесс массового исследования цепей с модальным резервированием. Это показано на примере двухсторонней печатной платы с полигонами. В качестве среды моделирования использовалась компьютерная система TALGAT. Получено по 5 различных портретов (значений вдоль проводника) N-норм для каждого из трех сигналов: трапециевидного сверхкороткого импульса, реального сверхкороткого импульса и электростатического разряда. Приведены максимальные и минимальные ...
Added: November 24, 2023
Влияние эффектов старения на электрические характеристики интегральных КМОП ОУ при уменьшении минимальных размеров транзисторов
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
Using the enhanced capabilities of SPICE modeling of CMOS circuits and extended SPICE models of MOSFET with account for aging effects, the paper deals with quantitative estimates of the increased effects of hot carriers and dielectric breakdown on the characteristics of CMOS operational amplifiers, when the minimum size of transistors is reduced from 180 nm ...
Added: July 7, 2022
SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах
Kozhukhov M., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
A SPICE macromodel of the SiGe HBTs taking into account aging effects is presented. It consists of the standard core model selected by the designer and an additional subcircuit taking into account the hot-carrier effects. The macromodel was included on SPICE-like simulators. The advantages of SPICE-model version of SiGe HBT are high accuracy of description for device ...
Added: November 15, 2021
Методика определения параметров SPICE-моделей для анализа влияния ОЯЧ на КМОП-схемы при уменьшении размеров транзисторов
Kharitonov I. A., Popov D., Рахматуллин Б. А., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 379–385
The paper deals with SPICE models of varying complexity for analyzing the heavy (nuclear) particles impact on CMOS circuits. For the version of the model that takes into account the influence of the electric bias on the parameters of the current pulse, expressions have been given for evaluating the main model parameters, depending on the ...
Added: April 16, 2021
SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. et al., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
Using a universal approach, SPICE models were developed for sub-100 nm MOSFET structures taking into account radiation and low-temperature effects, as well as a procedure for identifying model parameters based on the results of a full-scale/machine experiment. The approach consists of a combination of macromodeling based on the standard model from the SPICE simulator and ...
Added: April 11, 2021
Quasi – 3D Electro-Thermal Simulation of Integrated Transistor Structures, IC Chips and Packages
Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov, , in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: M.: HSE, 2016. Ch. 7491801 P. 1–6.
New quasi – 3D numerical model for combined electrical and thermal analysis of integrated transistor structures, IC chips and packages is presented. The general 3D heat transfer and electrical field problems are correctly transformed to the set of 2D equations for temperature and electrical potential distributions in different layers of the device. The complexity and CPU ...
Added: March 5, 2019
Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях
Petrosyants K. O., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 402–403
The paper presents a library of radiation and electrothermal BJT and MOSFET VLSI SPICE models. The library contains models for MOSFET, SOI/SOS MOSFET, Si BJT, SeGe HBT taking into account self-heating, high (up to +300°C) and low (up to –200°C) temperatures, the influence of radiation (neutrons, electrons, γ- and X-ray, protons, pulsed radiation, single particles). ...
Added: January 30, 2019
Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов.: Н. Новгород: ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76–79.
С помощью разработанного автоматизированного аппаратно-программного комплекса в диапазоне температуры от комнатной до 300°С исследованы характеристики КНИ МОП-транзисторов с размерами 0.6, 0.35, 0.18 мкм, изготовленные ОАО ПИИМЭ и Микрон. Показана работоспособность транзисторов в диапазоне температуры до 300°С. Разработана методика определения параметров SPICE моделей КНИ МОП-транзисторов с учетом их размеров и расширенного диапазона температуры. С использованием методики определены ...
Added: November 20, 2018
Учёт эффектов отжига радиационных эффектов в SPICE моделях МОП-транзисторов для расчётов радиационно стойких КМОП БИС
Kharitonov I. A., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 82–83.
. ...
Added: November 7, 2018
Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г.: М.: Техносфера, 2018. С. 308–312.
. ...
Added: October 21, 2018
Extension of Standard SPICE SiGe HBT Models in the Cryogenic Temperature Range
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. et al., , in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2017. P. 1–5.
Although it has been demonstrated that the SiGe HBTs can achieve faster unloaded circuit speed at cryogenic temperature than at room temperature, modelling of the SiGe HBTs at low temperature has been limited. It is known that the standard SPICE models of bipolar transistor are effective and guarantee the valid results only up to a ...
Added: July 16, 2018
Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Lebedev S. et al., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425
I-V characteristics and reliability parameters for the set of hardened SOIMOSFET'swith special layouts and tungsten metallization to provide additional thermal tolerance for high-temperature SOI CMOS IC's are investigated in the temperature range up to 300 °C. The reliability aspects under test for MOSFET's are threshold voltage shift, subthreshold slope and mobility degradation, gate leakage current ...
Added: February 28, 2018
Установка экспонирования фоторезиста на основе УФ светодиодной матрицы .
Володин П. Н., Бекниязов Н. А., Танатов М. К., В кн.: Надежность и качество: Труды международного симпозиума.Т. 2.: Пенза: ПГУ, 2015. С. 104–106.
. ...
Added: January 26, 2018
Лабораторный стенд экспонирования фоторезиста на печатных платах.
Володин П. Н., Наумова И. Ю., Баннов В. Я., В кн.: Новые информационные технологии в автоматизированных системах: Материалы семинара.Вып. 18.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 389–392.
. ...
Added: January 26, 2018
Экспонирования фоторезиста на печатных платах в условиях учебной лаборатории.
Володин П. Н., Затылкин А. В., В кн.: Актуальные вопросы образования и науки: Сборник научных трудов.: [б.и.], 2013. С. 61–63.
. ...
Added: January 26, 2018
Установка экспонирования фоторезиста
Володин П. Н., Затылкин А. В., Юрков Н. К., В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции.: М.: НИУ ВШЭ, 2014. С. 384–386.
. ...
Added: January 26, 2018
Установка для экспонирования фоторезиста на печатных платах в условиях учебной лаборатории
Володин П. Н., Затылкин А. В., В кн.: Современные наукоемкие технологии. – 2014Кн. 1. Вып. 5.: [б.и.], 2014. С. 34–35.
. ...
Added: January 26, 2018
Библиотека SPICE-моделей МОП и биполярных транзисторов для расчёта КМОП и БиКМОП СБИС космического назначения
Petrosyants K. O., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 49–50.
. ...
Added: September 13, 2017
Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов
Kharitonov I. A., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Added: September 13, 2017
Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие
Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И. et al., М.: Солон-Пресс, 2017.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Added: February 28, 2017
Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Измерительная техника 2016 № 10 С. 55–60
In this paper we analyze details of bipolar transistors and MOSFETs electrical characteristics measurement in the presence of neutron, electron and gamma irradiation. An automated measurement subsystem is developed with its core being a measurement kernel comprising a set of measurement instrumentation as well as methods of measurement and data processing for irradiated transistors of ...
Added: December 5, 2016
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit