• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Двусторонняя печатная плата
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
May 25, 2026
HSE Scientists Train Neural Network to 'Hear' Faults in Electric Motors
Researchers at the AI and Digital Science Institute of the HSE Faculty of Computer Science have developed a new method—the Signature-Guided Data Augmentation (SGDA) framework—that achieves 99% accuracy in motor fault detection and 86% accuracy in fault classification. The application of this approach can reduce industrial equipment repair costs, minimise downtime, and improve production safety. The study results have been published in Engineering Applications of Artificial Intelligence.
May 25, 2026
'The Humanities Serve as a Conscience'
Maria Mizernaia studies Soviet literature and the history of book publishing. In this interview for the HSE Young Scientists project, she discusses plans to publish a novel about besieged Leningrad, AI-provoked reflections on what it means to be human, and how novels can help satisfy our dopamine hunger.
May 25, 2026
Is It Possible to Predict a Citys Life Based on the Shape of Its Neighbourhoods?
Is it possible to predict, based on the configuration of streets and buildings, where a café will open or where traffic congestion will occur? Participants in the Spatial Analysis and Modelling of Urban Processes research and study group use open data and machine learning to identify universal patterns. Alexander Sheludkov and Eduard Somov discuss the purpose of comparing cities, the need for new forms of urban statistics, and how open data is transforming approaches to urban studies.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Двусторонняя печатная плата

.
Zhadnov V. V.
Language: Russian
Full text
Keywords: радиационная стойкостьпечатная платазащитный экран

In book

Изобретения. Полезные модели: Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ)
Вып. 33. , М.: Отделение подготовки и выпуска официальной информации Федерального государственного бюджетного учреждения «Федеральный институт промышленной собственности» (ФИПС), 2013.
Similar publications
Моделирование электротепловых переходных процессов в мощных электронных схемах на печатных платах с использованием программного обеспечения Comsol, Spice, «Асоника-ТМ»
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Тегин М. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 1 С. 65–78
Большие скачки температуры в структурах мощных полупроводниковых приборов при их включении и выключении существенно снижают надежность работы силовых схем. Широко используемые маршруты электротеплового моделирования тепловых схем имеют ряд недостатков: использование взаимосвязанных Spice-симуляторов электрических цепей и пакета 3D численного моделирования тепловых полей требует детального описания 3D-конструкций и больших затрат компьютерного времени; использование только Spice-подобных симуляторов электрических ...
Added: May 7, 2024
Engineering Methodology for the Selection of a Composite Polymer Dielectric that Ensures the Absence of Electrostatic Discharges in the Design of the Onboard Electronic Equipment of the Spacecraft
D. Abrameshin, S. Tumkovskiy, V. Saenko et al., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Added: July 5, 2022
Modification of MIS Devices by Radio-Frequency Plasma Treatment
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. et al., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
The paper considers an influence of different kinds of radio-frequency plasma treatments onto modification of MIS structures with a thermal SiO2 film which is aimed at improvement of electro-physical parameters of the film. It was found that for the modification of MIS structures it is more preferable to utilize the oxygen plasma radio-frequency plasma treatment performed by a ...
Added: November 5, 2019
Computer Simulations and Experimental Investigation of the Heterodyne Employing Printed Circuit Board With an Increased Resistance to Electrostatic Discharges
D. A. Abrameshin,, E. D. Pozhidaev,, V. S. Saenko et al., IEEE Transactions on Plasma Science 2019 Vol. 47 No. 8 P. 3653–3657
Abstract—We have  performed computer simulations and experimental studies of characteristics of a standard analog device—the heterodyne employing a printed circuit board (PCB)  made from a composite dielectric with a controlled dark conductivity. Simulation results show that an increased conductivity of the PCB smaller than 2 × 10^−7 Ohm^−1 · m^−1 has almost no effect  on the ...
Added: May 27, 2019
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020). Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Added: November 7, 2018
Компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов на мощные МОП транзисторы с учетом влияния емкости печатной платы
Konstantinov Y., Горланов Е. С., Pozhidaev E. et al., Системный администратор 2018 № 9 С. 84–89
Computer simulation for the impact of electrostatic discharges (ESD) on the power IRF series MOS transistors have been carried out. The influence of the printed circuit board (PCB) capacitance values on the transistor gate-source voltage is investigated. This influence is significant for transistors with low gate – source capacitance was found. The relation between the ESD ...
Added: October 10, 2018
Радиационные изменения параметров биполярных транзисторов
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
The main content of the training manual is: consideration of the issues of the effect of radiation creating structural defects on the main parameters of bipolar transistors, Consider issues related to the influence of ionization factors on the operation of transistors (radiation transients), the effect of nuclear reactions and fast annealing on the parameters of transistors is considered; Classification ...
Added: March 16, 2018
Радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов. Учебное пособие по дисциплине: “Физика электронных приборов и средств связи”
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М.: НИУ ВШЭ, 2018.
The main content of the training manual is: consideration of issues of interaction of the main types of radiation with a solid, structures of specific point and group radiation defects in silicon, germanium and gallium arsenide are considered, Theoretical prerequisites for the calculation of the change in the basic electro-physical parameters of semiconductors are considered; a summary of the ...
Added: March 15, 2018
Печатные платы и узлы гигабитной электроники
Kechiev L., М.: Грифон, 2017.
Questions of designing of printed-circuit boards for systems of high speed are considered. The basic attention is given maintenance of signal integrity in standard lines TTL/CMOS and in differential pairs. Physical aspects of decrease in level of hindrances in details understand chains of ultrafast devices. Base data on materials for printed-circuit boards, their properties and influence ...
Added: October 26, 2017
Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 53–54.
. ...
Added: September 13, 2017
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Added: September 13, 2017
Simulation Of Reliability For Electronic Means With Regard To Temperature Fields
Artyukhova M. A., Polesskiy S., Linetskiy B. et al., Reliability: Theory & Applications 2016 No. 4 P. 84–95
The paper considers the technique of modeling of electronic reliability based on modeling electrical components environment temperature. As experience of the simulation and exploitation of electronic shows, one of the main factors that significantly affect the reliability characteristics is the thermal effect. This is confirmed by the statistics of a number of companies. In the ...
Added: February 28, 2017
Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью
Petrosyants K. O., Popov D., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Added: October 11, 2016
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Bondarenko G., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718–723
The effect of fast electrons with energy of 0.5–6.2 MeV at a fluence of 1018 electrons/cm2 and γ sources of 60Со (Е = 1.25 МeV) at the absorbed dose of 0.1–25 MGy on the radiation-protective composites based on a magnetite matrix used for biological protection of nuclear reactors is calculated and studied experimentally. The depth ...
Added: September 21, 2016
Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 97–98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, ...
Added: June 20, 2016
Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. et al., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 56–57.
Представлены результаты совместного приборно-технологического (TCAD)-схемотехнического (SPICE) моделирования устойчивости ячейки памяти, изготовленной по высокотемпературной КНИ КМОП технологии (0.35 мкм) к воздействию тяжелых частиц при повышенной температуре. Показано, что устойчивость ячейки памяти заметно снижается при увеличении температуры от комнатной до 300°С. ...
Added: June 20, 2016
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016»
ФГУП "НИИП", 2016.
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Added: June 20, 2016
Радиационная стойкость конструкционного радиационно-защитного композиционного материала на основе магнетитовой матрицы
Ястребинский Р. Н., Bondarenko G., Павленко В. И., Перспективные материалы 2016 № 6 С. 23–29
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие быстрых электронов с энергией 0,5 – 6,2 МэВ при флюенсе 1018 электронов/см2 и γ-источников 60Со (Е = 1,25 МэВ) при поглощенной дозе 0,1 – 25 МГр на радиационно-защитные композиты на основе магнетитовой матрицы, используемые для биологической защиты атомного реактора. Исследована глубина проникновения электронного пучка и характер распределения поглощенной дозы быстрых электронов по толщине защитного композита. ...
Added: May 18, 2016
КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»
Adonin A., Petrosyants K. O., М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022.
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., Информационные технологии 2015 Т. 21 № 12 С. 916–922
Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости. ...
Added: February 25, 2016
Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов
Petrosyants K. O., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 215–216.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Added: February 16, 2016
Charged Board Model ESD Simulation for PCB Mounted MOS Transistors
Kechiev L., Kuznetzov V. V., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947–954
In this paper, power MOS transistor behavior under charged board model (CBM) ESD impact is considered. The anal­ysis of the MOSFET failure condition at the CBM ESD event is performed. The CBM equivalent circuit is proposed. The physi­cal parameters of the PCB and device under test are replaced by the lumped RCL circuit. The MOSFET ...
Added: January 15, 2016
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit