• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Расширенный поиск
Меню
Высшая школа экономики
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
по году
Тематика
Новости
17 сентября 2021
Исследователи изучили публикационную активность на постсоветском пространстве
Российские ученые публикуют три четверти научных работ на постсоветском пространстве. Но в целом на страны бывшего СССР приходится около 3% от общемирового числа научных статей. При этом за последние 30 лет выросла роль университетов: сотрудники вузов участвуют в подготовке более половины публикуемых научных статей последних лет. Об этом говорится в исследовании публикационной активности ученых стран бывшего СССР.
16 сентября 2021
Ученые описали возможную причину зеленого свечения в небе
Группа российских ученых из НИУ ВШЭ, ИКИ РАН, ИЗМИРАН описала развитие в пылевой плазме ионосферы модуляционной неустойчивости электромагнитных волн, которая возникает при больших интенсивностях электромагнитного излучения. Исследователи учли неупругие столкновения частиц плазмы ионосферы, а также сформулировали новые задачи и приложения, которые необходимо рассмотреть в будущем. Результаты исследования  опубликованы  в журнале Physics of Plasmas.
14 сентября 2021
НИУ ВШЭ проанализирует ключевые направления развития космической отрасли
Высшая школа экономики и головная экономическая научно-исследовательская организация космической отрасли — АО «Организация «Агат» — заключили соглашение о сотрудничестве и наметили направления совместной работы. Документ подписали первый проректор НИУ ВШЭ Леонид Гохберг и генеральный директор АО «Организация «Агат» Никита Казинский.

Глава

Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology

P. 1-7.
Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina.
Язык: английский
Полный текст (PDF, 2.28 Мб)
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: high-temperature electronicsSOI CMOS technologyMOSFETsCompact transistor modelsSpice-like circuit simulatorscomponent characteristics measurement statistical analysiscorner simulation

В книге

2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT)
IEEE, 2020.
Похожие публикации
SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C)
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M. V. et al. IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722.
Добавлено: 1 октября 2020
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M. et al. In bk.: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). IEEE, 2016. P. 250-254.
Добавлено: 1 ноября 2016
Аналитическая экономика (методология и методика научного исследования)
Иванова Н., Клупт М., Малинин А. и др. СПб.: Издательство СПбГЭУ, 2017.

В учебном пособии, состоящем из 5-ти глав, рассматриваются ключевые вопросы методологии и методики научного исследования в экономике в целом, на региональном уровне и в ее важнейших секторах - государственном и корпоративном, в том числе - финансовом. 

Предназначено для аспирантов, обучающихся по направлению 38.06.01 "Экономика", преподавателей экономических вузов и всех тех, кто интересуется научными проблемами экономики.

Добавлено: 25 июня 2018
EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy
Bologna: IEEE, 2015.
Добавлено: 12 марта 2015
Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C)
Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin et al. In bk.: Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus). Prt. 2. M.: IEEE, 2017. P. 423-428.
Добавлено: 6 марта 2017
Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al. In bk.: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M.: HSE, 2016. P. 1-4.

The paper describes the features of an automated system for measurement and processing of electrical characteristics of BJTs and MOS transistors in the presence of thermal and radiation effects. Automation is made possible with employing of long measurement cables and a ramified scripting system. The system is based on a set of measuring instruments, methods of measurements and processing of results for transistors of various types. Shown are the examples of the system usage for studying BJTs and MOSFETs, determining the SPICE-model parameters.

Добавлено: 28 сентября 2016
Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Advanced Materials Research. 2013. Vol. 718–720. P. 750-755.
Добавлено: 23 января 2014