Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide – Главы в книгах – Публикации ВШЭ – Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

A
A
A

АБB
АБB
АБB

А
А
А
А
А

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

4 марта 2021

Кто следит за порядком в живой клетке – взгляд физиков

Итальянские и российские исследователи подтвердили гипотезу о том, что самоподдерживающийся порядок в ядерной (эукариотической) клетке – результат совместного действия двух спонтанных механизмов. Одинаковые молекулы собираются в «капли» на мембране, а затем отрываются от нее в форме крошечных пузырьков, обогащенных собравшимися вместе молекулами. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Physical Review Letters.

3 марта 2021

Большой адронный коллайдер – фабрика открытий новых адронов

Коллаборация одного из экспериментов Большого адронного коллайдера, LHCb, в которую входит также и группа ученых Высшей школы экономики, опубликовала сообщение об открытии новых тетракварков – экзотических адронов, состоящих из четырех кварков. Эти открытия стали возможны благодаря массивным выборкам данных, собранным экспериментом LHCb при помощи алгоритмов, разработанных в ВШЭ.

2 марта 2021

Как канцерофобия и отсутствие культуры общения врача с пациентами мешает борьбе с раком в России

Онкологические заболевания окутаны множеством мифов. Последствия заблуждений и слабой информированности плачевные — запущенные стадии заболевания, ранние смерти. Профилактика и ранняя диагностика рака должны стать рутинными практиками, считают участники круглого стола «От канцерофобии к онконастроженности», организованного в НИУ ВШЭ проектной группой «Онкология и дефициты агентности: автономные практики заботы россиян о себе в условиях кризиса биомедицины».

Публикации

Глава

Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide

P. 24-28.

Petrosyants K. O., Popov D.

Язык: английский

Полный текст (PDF, 483 Кб)

Ключевые слова: MOSFET buried oxide temperature degradation device modeling TCAD

Публикация подготовлена по результатам проекта: Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения(2019)

В книге

Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019)

Под науч. редакцией: S. Y. Yurish. Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019.