Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

Petrosyants Konstantin O.; Kozhukhov Maxim Vladimirovich; Popov Dmitriy

doi:10.1109/DDECS.2019.8724651

АБB
АБB
АБB

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

Новости

4 марта 2021

Кто следит за порядком в живой клетке – взгляд физиков

Итальянские и российские исследователи подтвердили гипотезу о том, что самоподдерживающийся порядок в ядерной (эукариотической) клетке – результат совместного действия двух спонтанных механизмов. Одинаковые молекулы собираются в «капли» на мембране, а затем отрываются от нее в форме крошечных пузырьков, обогащенных собравшимися вместе молекулами. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Physical Review Letters.

3 марта 2021

Большой адронный коллайдер – фабрика открытий новых адронов

Коллаборация одного из экспериментов Большого адронного коллайдера, LHCb, в которую входит также и группа ученых Высшей школы экономики, опубликовала сообщение об открытии новых тетракварков – экзотических адронов, состоящих из четырех кварков. Эти открытия стали возможны благодаря массивным выборкам данных, собранным экспериментом LHCb при помощи алгоритмов, разработанных в ВШЭ.

2 марта 2021

Как канцерофобия и отсутствие культуры общения врача с пациентами мешает борьбе с раком в России

Онкологические заболевания окутаны множеством мифов. Последствия заблуждений и слабой информированности плачевные — запущенные стадии заболевания, ранние смерти. Профилактика и ранняя диагностика рака должны стать рутинными практиками, считают участники круглого стола «От канцерофобии к онконастроженности», организованного в НИУ ВШЭ проектной группой «Онкология и дефициты агентности: автономные практики заботы россиян о себе в условиях кризиса биомедицины».

Публикации

Глава

Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

P. 1-4.

Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D.

Язык: английский

Полный текст (PDF, 532 Кб)

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: BJT MOSFET radiation degradation temperature degradation Single Event Effects TCAD

Публикация подготовлена по результатам проекта: Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения(2019)

В книге

2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS)

Cluj: IEEE, 2019.

Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD

Петросянц К. О., Попов Д. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.

Добавлено: 6 октября 2013

Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al. In bk.: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3. Prt. 3. M.: HSE, 2014. P. 244-253.

The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented and examined with emphasis on application for radiation hardened electronics systems.

Добавлено: 16 мая 2014

Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. Advanced Materials Research. 2014. Vol. 918. P. 191-194.

Добавлено: 17 октября 2014

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.

Добавлено: 12 апреля 2012

Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц

Попов Д. А., Харитонов И. А. В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III. Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

Добавлено: 5 июня 2014