• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Расширенный поиск
«Высшая школа экономики»
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
по году
Тематика
Новости
24 января 2020
Легкие финансы: как живет российский финтех
По прогнозам, к 2035 году 96% всех платежей и переводов в России будут проводить с помощью инновационных сервисов. Обращение человека с деньгами старается максимально упростить индустрия финансовых технологий. О том, что в ней происходит, IQ.HSE рассказывает по материалам доклада Института «Центр развития» ВШЭ.
23 января 2020
Без отрыва от производства знания: какая работа помогает аспирантам защититься
Не всякая внеучебная занятость затрудняет подготовку диссертации. Совмещение учебы с научной работой в университете может способствовать защите, выяснила младший научный сотрудник Центра социологии высшего образования Института образования НИУ ВШЭ Сауле Бекова. И наоборот, занятость вне академии снижает шансы успешного завершения аспирантуры.
22 января 2020
Родительский потолок: как социальное положение семьи программирует образование ребенка
В семьях с высоким профессиональным и образовательным статусом шансы детей поступить престижный вуз вдвое выше, чем для их сверстников из малоресурсных семей, подсчитали исследователи ВШЭ. «Привилегированные» подростки выигрывают за счет сильных семейных установок на хорошее образование, родительских вложений в их учебу и связанной с этим высокой успеваемости. А учащиеся из малообразованных семей даже при неплохих оценках не рискуют поступать в престижный вуз.

Глава

Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

P. 1-4.
Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D.
Язык: английский
Полный текст (PDF, 532 Кб)
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: BJTMOSFETradiation degradationtemperature degradationSingle Event EffectsTCAD
Публикация подготовлена по результатам проекта: Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения(2019)

В книге

2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS)
Cluj: IEEE, 2019.
Похожие публикации
Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD
Петросянц К. О., Попов Д. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.

Добавлено: 6 октября 2013
Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al. In bk.: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3. Prt. 3. M.: HSE, 2014. P. 244-253.

The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented and examined with emphasis on application for radiation hardened electronics systems.

Добавлено: 16 мая 2014
Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. Advanced Materials Research. 2014. Vol. 918. P. 191-194.
Добавлено: 17 октября 2014
Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.

Добавлено: 12 апреля 2012
Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц
Попов Д. А., Харитонов И. А. В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III. Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

Добавлено: 5 июня 2014