Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения

Исмаил-Заде Мамед Рашидович; Самбурский Лев Михайлович

Глава

Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения

С. 262-263.

Представлена структура и состав частей программно-аппаратного комплекса для экстракции параметров SPICE‑моделей МОП‑транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения. Приведены результаты использования разработанного комплекса при формировании SPICE-модели реального МОП-транзистора. Приведена оценка погрешности моделирования статических вольт-амперных характеристик с использованием сформированной модели.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 5.72 Мб)

Ключевые слова: SPICE-модель радиационное излучение МОП-транзисторы программно-аппаратный комплекс экстракция параметров

В книге

Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения

Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции

М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015.

Повышение инжекционной и радиационной стойкости наноразмерных диэлектрических пленок МДП-приборов

Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Михальков А. М. и др. Перспективные материалы. 2011. № 3. С. 29-32.

Исследованы режимы инжекционно-термической обработки структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Показано, что инжекционно-термическая обработка (ИТО) позволяет выявить и исключить структуры с грубыми дефектами изоляции и зарядовыми дефектами, при этом практически не снижается ресурс работы приборов на основе МДП-структур. Установлено, что проведение ИТО позволяет повысить инжекционную и радиационную стойкость наноразмерных диэлектрических пленок МДП-приборов за счет их модификации.

Добавлено: 12 апреля 2012

SOI/SOS MOSFET Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects

Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al. Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462.

Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование.

Добавлено: 12 апреля 2012

Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.

Добавлено: 19 апреля 2012

Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

Добавлено: 12 апреля 2012

Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.

Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при использовании EKV-RAD на моделирование аналоговой схемы затрачивается до 15-30% меньше процессорного времени, а на моделирование цифровой на 40-50% меньше в сравнении с моделью BSIMSOI-RAD.

Добавлено: 22 января 2013

Построение распределенных гетерогенных вычислительных систем на базе объектно-атрибутной архитектуры

Салибекян С. М., Панфилов П. Б. В кн.: Объектные системы – 2011 (Зимняя сессия): материалы V Международной научно-практической конференции (Ростов-на-Дону, 10-12 декабря 2011 г.). Ростов н/Д: Южно-Российский государственный технический университет, 2011. С. 83-88.

В статье описывается способ реализации гетерогенных вычислительных комплексов на основе разработанной в Московском институте электроники и математики объектно-атрибутной архитектуры вычислительной системы. Также приводится способ автономного (без подключения периферийного оборудования) моделирования распределенных аппаратно-программных комплексов на основе объектно-атрибутной архитектуры: программная модель может быть один в один перенесена на аппаратно-программный комплекс, так что силы, потраченные разработчиками на создание модели комплекса, не пропадают зря (обычно модель системы после ее анализа становится ненужной для макетирования и производства изделия). В статье затрагиваются и вопросы практического применения разработанной архитектуры: приводится описание реализации аппаратно-программного комплекса «Шестиногий шагающий аппарат» (аппаратная реализация комплекса, построение распределенной программы управления роботом, моделирование комплекса).

Добавлено: 13 сентября 2012