Глава
Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения
С. 424-431.
В работе рассмотрены физические модели Synopsys TCAD для моделирования МОП-транзисторов с high-k диэлектриком. В описание модели туннелирования и радиационной модели внесены изменения, позволившие достичь хорошей сходимости с экспериментальными данными.
Язык:
русский
Полный текст (PDF, 499 Кб)
Публикация подготовлена по результатам проекта:
Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты(2015)