Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения

Петросянц Константин Орестович; Попов Дмитрий Александрович

Глава

Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения

С. 424-431.

В работе рассмотрены физические модели Synopsys TCAD для моделирования МОП-транзисторов с high-k диэлектриком. В описание модели туннелирования и радиационной модели внесены изменения, позволившие достичь хорошей сходимости с экспериментальными данными.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 499 Кб)

Ключевые слова: TCAD МОП-транзистор гамма-излучение high-k диэлектрик

Публикация подготовлена по результатам проекта: Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты(2015)

В книге

Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения

Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.)

Под науч. редакцией: Г. Г. Бондаренко М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015.

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.

В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки.

Добавлено: 12 апреля 2012

Моделирование тепловых процессов в структуре КМОП КНИ инвертора

Попов Д. А. В кн.: Микроэлектроника и информатика – 2013. Тезисы докладов. Зеленоград: МИЭТ, 2013. С. 108-108.

В настоящее время КМОП КНИ технология широко используется. По сравнению со стандартной структурой на объемном кремнии, рабочая область МОП-транзистора окружена оксидом, который имеет меньшую тепловую проводимость по сравнению с кремнием. Это способствует нагреву транзистора, что может оказать заметное влияние на его характеристики.

Добавлено: 31 мая 2013

Воздействие ЭСР на полупроводниковые компоненты: моделирование схем защиты, методов средств защиты

Кечиев Л. Н., Абрамешин А. Е., Галухин И. А. и др. Технологии электромагнитной совместимости. 2012. № 3. С. 44-58.

Рассматривается моделирование одного из базовых встроенных элементов защиты на МОП-транзисторе: n-МОП транзистор с заземлённым затвором (Grounded Gate NMOS Transistor, GGNMOST). Модель этого элемента защиты, включенная в модели некоторых микросхем, позволит проводить виртуальные эксперименты по воздействию ЭСР на элементную базу и на аппаратуру, в которой она применяется. Рассматривается моделирование работы микросхем в условиях воздействия ЭСР. Даются методы измерения электростатических зарядов, потенциалов, напряжённости электростатического поля для использования в промышленности. Такие измерения важны для обеспечения защиты радиоэлектронной аппаратуры от электростатического разряда. Рассмотрены зондовый метод, метод динамического конденсатора и оптические методы. Сравниваются достоинства и недостатки данных методов.

Добавлено: 17 октября 2012

Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др. Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82.

В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных поглощённых доз гамма- излучения; 2) фактор повреждений от интегрального потока нейтронов для гетеропереходного биполярного транзистора, выполненного по 0,13 мкм технологии кремний-германий.

Добавлено: 28 ноября 2012

SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов

Петросянц К. О., Кожухов М. В. В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26. Т. 3. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 320-326.

В работе исследуется воздействие нейтронного и γ-излучения на характеристики Si БТ и SiGe ГБТ. Представлены SPICE-макромодели, учитывающие влияние нейтронного и γ-излучения на характеристики Si БТ и SiGe ГБТ. Показано что результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментом.

Добавлено: 29 апреля 2013

Исследование стойкости печатных узлов к воздействию электростатического разряда

Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В. Технологии электромагнитной совместимости. 2013. № 1(44). С. 29-38.

Проведено моделирование воздействия электростатического разряда на МОП-транзисторы, установленные на печатной плате. Результаты моделирования сравниваются с результатами испытаний тестовой печатной платы на воздействия ЭСР и проводится исследование воздействия печатной платы на порог отказа МОП-транзисторов при воздействии ЭСР по сравнению с их собственным порогом отказа. Обнаружено снижение порога отказа при ЭСР для транзисторов, установленных на печатной плате.

Добавлено: 3 мая 2013