Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследована структура кристаллов кремния, имплантированных протонами. Проанализировано распределение деформации в нарушенных слоях.
В докладе приведены результаты изучения процессов релаксации радиационных дефектов, возникающих при ионной имплантации Si ионами H+, в ходе термической обработки. Измерения проведены методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии (ТРД).
Изучено влияние протонного облучения и температуры последующего отжига на толщину, среднюю относительную деформацию кристаллической решетки, профили распределения удельного сопротивления вблизи поверхности тестовых кристаллов, а также на обратную ветвь вольт-амперной характеристики p-i-n-фотодиодов на основе высокоомного кремния. Обнаружено формирование компенсированного дефектного слоя в области пробега протонов непосредственно после облучения и после отжига при температурах до 200 С.
В учебнике рассмотрены характеристики металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, являющиеся базовыми для разработки систем управления качеством промышленной продукции. Приведены сведения о строении, свойствах и методах получения материалов. Подробно рассмотрены аспекты, связанные с влиянием на рабочие характеристики материалов режимов их производства, хранения и эксплуатации (температура, механические, радиационные и иные виды воздействий).
Соответствует Федеральному государственному образовательному стандарту ВПО третьего поколения.
В выпуске представлены тезисы докладов XIII Международной конференции «Кремний – 2020» и XII Школы молодых ученых по актуальным проблемам физики и технологии кремниевой электроники и нанометровых приборов, освещающие актуальные темы разработки процессов создания перспективной элементной базы и новых путей её использования. Кроме традиционных тем исследования процессов в объёме кремния, на поверхности и на границах раздела, их влияния на элементы кремниевой электроники, представлены и новые перспективные направления, такие как создание и исследование нейроморфных сетей, как ключевого элемента систем искусственного интеллекта, а также исследования в области создания и моделирования квантовых объектов построения элементной базы фотоники и оптоэлектроники. Представлены также доклады, затрагивающие практические вопросы построения моделей и развития систем автоматизированного проектирования.
В настоящее время особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования – in-situ методы. Применение этих методов способствует получению пленок с заданными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса. В статье описываются возможности метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процессе их формирования.Приведены результаты экспериментов по магнетронному напылению наноразмерных пленок Si и других материалов на кремниевые подложки.
