Глава
Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов
В настоящей работе сделана попытка сравнить влияние электронов и гамма-квантов с эквивалентными дозами на статические характеристики кремниевых СВЧ БТ с граничной частотой fT порядка нескольких ГГц.
В книге
В сборнике приведены доклады, представленные на 10-й Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (24-27 сентября 2013 г., Минск) и охватывающие следующие тематики: процессы взаимодействия излучений с твердым телом, радиационные эффекты в твердом теле, взаимодействие плазмы с поверхностью, модификация свойств материалов, структура и свойства покрытий, оборудование для радиационных технологий.
Адресуется научным сотрудникам и студентам естественнонаучных факультетов вузов.
Исследованы эффекты воздействия протонного излучения на кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe ГБТ) с использованием САПР Synopsys/ISE TCAD. В программу включена модель деградации времени жизни носителей под действием потока протонов. Представлены результаты воздействия протонов различной энергии. Показано, что для SiGe ГБТ увеличение базового тока оказывается больше при воздействии низкоэнергетических протонов, чем при воздействии высокоэнергетических протонов. Представлены результаты моделирования статических и частотных характерстик SiGe ГБТ после воздействия протонов. Результаты моделирования хорошо согласуются с результатами измерений.
Представлены доклады по электронным приборам СВЧ и их элементам. Рассмотрены вопросы исследования и проектирования вакуумных и твердотельных приборов СВЧ. Особое внимание уделено приборам миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов, вопросам исследования и применения в приборах метасред.
Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при использовании EKV-RAD на моделирование аналоговой схемы затрачивается до 15-30% меньше процессорного времени, а на моделирование цифровой на 40-50% меньше в сравнении с моделью BSIMSOI-RAD.
The regularities and featuresThe regularities and features of physical processes (blistering, sputtering, radiation-induced segregation and radiation-intensified sublimation), occurring in surface-adjacent layers of aluminium alloys and austenitic steels under the action of the fluxes of accelerated charged ions and electrons are considered.
Проведено сравнение SPICE-моделей BSIMSOI‑RAD и EKV‑RAD, предназначенных для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов, по существенным критериям: набору учитываемых эффектов, количеству параметров, способу учёта эффектов плавающей подложки, процедуре экстракции параметров, времени моделирования. Показано, что при совпадающем наборе учитываемых эффектов макромодель EKV‑RAD является предпочтительной.
В сборнике приведены доклады, представленные на 11-й Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (23-25 сентября 2015 г., Минск) и охватывающие следующие тематики: процессы взаимодействия излучений с твердым телом, радиационные эффекты в твердом теле, пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур, модификация свойств материалов, структура и свойства покрытий, оборудование для радиационных технологий.
Адресуется научным сотрудникам и студентам естественнонаучных факультетов вузов.
Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.