Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel

P. 60–65.

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., БОгатырев В. Н., Поварницына З. М., Дрозденко Е.

Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при использовании EKV-RAD на моделирование аналоговой схемы затрачивается до 15-30% меньше процессорного времени, а на моделирование цифровой на 40-50% меньше в сравнении с моделью BSIMSOI-RAD.

Ключевые слова: радиационная стойкость, radiation hardness, parameter extraction, экстракция параметров, макромодельный подход, радиационные эффекты, radiation effects, определение параметров, схемотехнические модели, compact model, EKV, BSIMSOI, subcircuit approach, SOI/SOS MOSFETs, floating-body effects, kink-effect, simulation time, компактные модели, КНИ/КНС МОП-транзисторы, эффекты плавающей подложки, кинк-эффект, время моделирования

В книге

Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12)

Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012.