?
Localization and transient emission properties in InGaN/GaN quantum wells of different polarities within core–shell nanorods
Nanoscale. 2019. No. 1. P. 193–199.
Robin Y., Evropeitsev E. A., Shubina T. V., Kirilenko D. A., Davydov V. Y., Smirnov A. N., Toropov A. A., Eliseyev I. A., Bae S. Y., Kushimoto M., Nitta S., Иванов С. В., Amano H.
D.A. Masyutin, A.A. Rudnev, E.I. Moiseev и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 125–128
В работе представлены результаты исследования высокотемпературных характеристик микродисковых лазеров с активной средой на основе квантовых ям InGaN/GaN. Исследовались спектры фотолюминесценции микродисков диаметром 5 мкм в диапазоне температур от 25 °C до 100 °C. Продемонстрирована высокая температурная стабильность лазерной генерации. ...
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Mantsevich V. N., Рожанский И. В., Maslova N. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 No. 99 Article 115307
Добавлено: 21 октября 2021 г.
Добавлено: 15 октября 2021 г.
Makhov I. S., Panevin V. Y., Firsov D. A. и др., Journal of Applied Physics 2019 Vol. 126 No. 17 Article 175702
Добавлено: 15 октября 2021 г.
Малевская А. В., Калюжный Н. А., Малевский Д. А. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 8 С. 699–703
Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y. и др., , in: 21st Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2019Vol. 1482.: Bristol: IOP Publishing, 2020.
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2020 Vol. 124 Article 114301
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Иванов С. В., Chernov M. Y., Solov'ev V. A. и др., Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 2019 Vol. 65 No. 1 P. 20–35
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 11 С. 20–23
Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Sviridov D. E., Jmerik V. N., Rouvimov S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Firsov D. D., Komkov O. S., Solov’ev V. A. и др., Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics 2019 Vol. 36 No. 4 P. 910–916
Добавлено: 25 февраля 2021 г.
Wang Y., Rong X., Иванов С. В. и др., Advanced Optical Materials 2019 Vol. 7 No. 10 P. 1–7
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Vinnichenko M. Y., Fedorov A. D., Kharin N. Y. и др., Journal of Physics: Conference Series 2020 Vol. 1482 P. 1–4
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Mozharov A. M., Komissarenko F. E., Vasiliev A. A. и др., Journal of Physics: Conference Series 2016 Vol. 741 P. 1–5
Добавлено: 18 февраля 2021 г.
Bolshakov A. D., Fedorov V. V., Sapunov G. A. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 1092 No. 1 P. 1–4
Добавлено: 18 февраля 2021 г.
Bolshakov A. D., Fedorov V. V., Shugurov K. Y. и др., Nanotechnology 2019 Vol. 30 No. 39 P. 1–12
Добавлено: 18 февраля 2021 г.
Minkov G. M., Rut О. Е., Sherstobitov A. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 P. 1–7
Добавлено: 13 ноября 2020 г.
Sorokin S. V., Avdienko P. S., Sedova I. V. и др., Materials 2020 No. 13 P. 1–29
Добавлено: 13 ноября 2020 г.