Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1,5 мкм на основе бесфосфорных гетероструктур

Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 20–23.

Максимов М. В., Жуков А. Е.

Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности тока и снижении дифференциальной эффективности. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовая яма, характеристическая температура, модулированное легирование.

Ключевые слова: квантовые ямы, quantum wells, полупроводниковые лазеры, Diode lasers