?
Acceptor-related terahertz and infrared photoconductivity in p-type GaAs/AlGaAs quantum wells
.
Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y., Kharin N. Y., Vorobjev L. E., Sorokin S. V., Sedova I. V., Firsov D. A.
В книге
Vol. 1482. , Bristol: IOP Publishing, 2020.
Saitov S. R., Saidzhonov B. M., Vasiliev R. B. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 No. 18 Article 185702
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Аникеева В. Е., Болдырев Н. Ю., Семенова О. И. и др., Оптика и спектроскопия 2024 Т. 132 № 8 С. 793–799
Представлены результаты исследования температурных зависимостей спектров люминесценции (3.6−120 K) при возбуждении светом с длиной волны 405 nm и бесконтактно измеренной фотопроводимости (3.6−300 K) монокристалла CsPbBr3. В низкотемпературном спектре фотолюминесценции (ФЛ), кроме линии автолокализованного экситона (2.318 eV при 10 K), наблюдаются богатая структура, возможно, относящаяся к экситонно-примесным комплексам, и широкая полоса с максимумом около 2.24 eV, ...
Добавлено: 29 октября 2024 г.
Saitov S., Amasev D., Aleksandrov A. и др., Organic Electronics: physics, materials, applications 2023 Vol. 112 Article 106693
Добавлено: 1 февраля 2024 г.
Адамов Р. Б., Петрук А. Д., Мелентьев Г. А. и др., Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки 2022 Т. 15 № 4 С. 32–43
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенного исследования позволяют утверждать, что с ...
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Nikolaev I., Kazakov A., Drozdov K. и др., Journal of Applied Physics 2022 Vol. 132 No. 23 Article 234301
Добавлено: 7 июня 2023 г.
Firsov D., Махов И. С., Panevin V. и др., , in: Proceedings of the 9th International Symposium OPTICS-2022.: Springer, 2022. Ch. 2 P. 21–38.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Добавлено: 14 марта 2022 г.
Mantsevich V. N., Рожанский И. В., Maslova N. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 No. 99 Article 115307
Добавлено: 21 октября 2021 г.
Добавлено: 15 октября 2021 г.
Makhov I. S., Panevin V. Y., Firsov D. A. и др., Journal of Applied Physics 2019 Vol. 126 No. 17 Article 175702
Добавлено: 15 октября 2021 г.
Малевская А. В., Калюжный Н. А., Малевский Д. А. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 8 С. 699–703
Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2020 Vol. 124 Article 114301
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Иванов С. В., Chernov M. Y., Solov'ev V. A. и др., Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 2019 Vol. 65 No. 1 P. 20–35
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 11 С. 20–23
Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Sviridov D. E., Jmerik V. N., Rouvimov S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Firsov D. D., Komkov O. S., Solov’ev V. A. и др., Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics 2019 Vol. 36 No. 4 P. 910–916
Добавлено: 25 февраля 2021 г.
Wang Y., Rong X., Иванов С. В. и др., Advanced Optical Materials 2019 Vol. 7 No. 10 P. 1–7
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Robin Y., Evropeitsev E. A., Shubina T. V. и др., Nanoscale 2019 No. 1 P. 193–199
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Vinnichenko M. Y., Fedorov A. D., Kharin N. Y. и др., Journal of Physics: Conference Series 2020 Vol. 1482 P. 1–4
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Minkov G. M., Rut О. Е., Sherstobitov A. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 P. 1–7
Добавлено: 13 ноября 2020 г.
Sorokin S. V., Avdienko P. S., Sedova I. V. и др., Materials 2020 No. 13 P. 1–29
Добавлено: 13 ноября 2020 г.