• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Investigation of microdisks lasers with an InGaN/GaN quantum well in the active region at elevated temperatures
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
5 июня 2026 г.
Аспирантка НИУ ВШЭ открыла «невидимую» планировку античного Париона
Исследовательница из НИУ ВШЭ Идиль Малгиль изучила с помощью дрона с лазерным сканером сверхвысокого разрешения древнеримский город Парион, расположенный на территории современной Турции. Благодаря высокой плотности сканирования удалось зафиксировать крошечные неровности рельефа, скрытые под землей и растительностью. Обнаружены следы целых кварталов, террасных систем и стен, которые невозможно было различить ни при обычных раскопках, ни с помощью аэрофотосъемки. Результаты исследованияо публикованы в международном научном журнале Ancient Civilizations from Scythia to Siberia.
2 июня 2026 г.
От Волги до Янцзы: математики из Нижнего Новгорода и Шанхая изучают устойчивость систем
Математики НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде совместно с коллегами из шанхайского Университета Тунцзи исследуют фундаментальные причины структурной устойчивости систем и механизмы их нарушения. О развитии проекта Qualitative Theory of Systems of Ordinary and Partial Differential Equations в рамках программы НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество» «Вышке.Главное» рассказала его руководитель, профессор Ольга Починка, заведующая Международной лабораторией динамических систем и приложений НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде.

4 июня 2026 г.
«Я хочу, чтобы люди больше доверяли науке»
Выбирая специальность «фундаментальная и прикладная лингвистика», Татьяна Еремичева думала, что это про изучение языков, а оказалось — про помощь людям. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала о науке как инструменте приятия этого мира, бильярде как варианте тимбилдинга и о том, как иногда непросто научиться читать.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Investigation of microdisks lasers with an InGaN/GaN quantum well in the active region at elevated temperatures

St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.1. P. 125–128.
D.A. Masyutin, A.A. Rudnev, E.I. Moiseev, Vainilovich A. G., Lutsenko E. V., Tsatsulnikov A. F., Sakharov A. V., N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov

В работе представлены результаты исследования высокотемпературных характеристик микродисковых лазеров с активной средой на основе квантовых ям InGaN/GaN. Исследовались спектры фотолюминесценции микродисков диаметром 5 мкм в диапазоне температур от 25 °C до 100 °C. Продемонстрирована высокая температурная стабильность лазерной генерации.

Научное направление: Физика
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: WGMGaNInGaN/GaN quantum wellsmicrodisk resonatorмикродискиGaNМШГInGaN/GaN квантовые ямы
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов (2026)
Похожие публикации
Two-dimensional hexagonal boron nitride-ferrofluid hybrids enable efficient magnetic cooling
Карцев А. И., Nishant T., Saswata G. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Article -
Добавлено: 2 июня 2026 г.
The critical role of shear antiphase boundaries in τ-Mn(Al,Ga) rapidly quenched alloy
Карцев А. И., Fortuna A. S., Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Combined Experimental and Ab Initio Study of Sc Doping in MgB2: Decoupling Electronic and Microstructural Effects on Superconductivity
Dikhtievskaya K., Argunov E., Карцев А. И. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Численное моделирование полевой эмиссии из полупроводникового катода в вакуум
Борисов В. Д., Данилов В. Г., Электросвязь 2025 № 12 С. 73–84
Представлены результаты математического моделирования процесса полевой эмиссии из катода малых размеров – одного из основных физических процессов, обеспечивающих работы многих электронных устройств, в частности FED-дисплеев (устройства, работающие на принципе полевой эмиссии), кантилеверов и т.д. Дается краткий обзор текущих результатов в области исследования, обосновывается актуальность задачи, приводятся примеры наиболее вероятного использования результатов решения задачи. Обсуждаются физические ...
Добавлено: 29 мая 2026 г.
Электростатически управляемый контроль диссипации в двумерном наноэлектромеханическом резонаторе через напряжение-амплитудный антагонизм с рекордной 928% подстройкой добротности.
Арутюнов К. Ю., JIANG1 Q., FANG J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 P. 1–11
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Enhanced Terahertz Thermoelectricity Via Engineered Van Hove Singularities and Nernst Effect in Moiré Superlattices
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Non-linear in-band interference cancellation on base of conjugate gradients method
Degtyarev A., Bakhurin S., Юдин Н. Е., DSPA 2026 P. 1–6
Добавлено: 26 мая 2026 г.
Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices
Qian X., Deng Y., Lev N. Shchur и др., Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 2026 Vol. 696 Article 131679
Добавлено: 24 мая 2026 г.
Оптические методы детектирования единичных биомолекул: визуализация, сенсорика, секвенирование молекул ДНК
Мелентьев П. Н., Калмыков А. С., Гритченко А. С. и др., Успехи физических наук 2024 Т. 194 № 11 С. 1130–1145
Представлен краткий обзор достигнутого уровня оптических методов детектирования единичных молекул в биомедицинских приложениях. Показано, что регистрация флуоресценции единичных молекул красителей, ковалентно связанных с антителами (биомолекулами), совместно с использованием современных методов нанофотоники может быть применена для решения различных задач в биологии и медицине: визуализации биомолекул, токсинов, вирусных частиц, определения ультранизких концентраций аналитов напрямую во взятой пробе, ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
VACUUM DISCHARGE DRIVEN BY STRIPE LINE STORAGE AS A SOURCE OF EUV RADIATION
Antsiferov P.S., Stepanov L.V., Matiukhin N. D., Review of Scientific Instruments 2025 Vol. 96 No. 12 Article 123506
Добавлено: 20 мая 2026 г.
Регистрация спектров на 6.65 метровом ВУФ-УФ спектрометре с помощью многоканального детектора
Анциферов П. С., Степанов Л. В., Матюхин Н. Д., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 2 С. 214–218
Сообщено о разработке системы регистрации спектров на ПЗС-линейке для уникального ВУФ спектрометра, построенного на основе сферической дифракционной решетки с радиусом 6.65 m. Была использована линейка HAMAMATSU S11156-2048-02, которая устанавливалась по касательной к окружности Роуланда с возможностью механического перемещения для сканирования спектра. Были получены спектрограммы в диапазоне длин волн 2130-2270 Angstrem. Описана методика сшивки регистрируемых спектральных ...
Добавлено: 20 мая 2026 г.
ML-based Fast Simulation of FARICH Responses
Шипилов Ф. А., Barnyakov A., Ivanov A. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2026.
Добавлено: 19 мая 2026 г.
On a Possible Method for Separating CO Lines from the Spectrum of the Cosmic Microwave Background
Malinovsky A. M., S. V. Pilipenko, Mikhalchenko A. O. и др., Astronomy Reports 2026 Vol. 70 No. 1 P. 1–6
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Broadband photoluminescence of epitaxial bismuth nanowires and planar nanostructures
Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Разработка концепции СВЧ усилителя мощности на GaN HEMT транзисторе для российских 5G систем
Насыров Д. Д., В кн.: XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025.
В связи с бурным развитием областей, связанных с СВЧ-диапазоном, возрастают потребности и требования к усилителям мощности (УМ). Транзисторные устройства на основе GaN HEMT подходят для этих жестких условий благодаря ряду преимуществ. Чтобы способствовать росту производства и совершенствованию этих приборов, целью данной работы является разработка идеи усилителя на основе данного типа активного элемента (АЭ), который может ...
Добавлено: 15 декабря 2025 г.
Optical properties of disk microresonators based on wide-bandgap III-N materials
S.D. Komarov, Vainilovich A. G., G.A. Feigin и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 209–213
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Whispering gallery mode selection in quantum dot microdisk lasers under spatially inhomogeneous optical pumping
Anna Obraztsova, Ivan Makhov, Ivan Melnichenko и др., Journal of Lightwave Technology 2025 Vol. 43 No. 15 P. 7278–7284
Добавлено: 5 сентября 2025 г.
Output Power of III-V Injection Microdisk and Microring Lasers
Natalia V. Kryzhanovskaya, Eduard I. Moiseev, Alexey M. Nadtochiy и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2025 Vol. 31 No. 2 Article 1501312
Добавлено: 10 сентября 2024 г.
Optical loss and noise modelling in microdisk lasers with InGaAs quantum well-dots
A. E. Zhukov, E. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy и др., , in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO).: IEEE, 2022.
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Direct observation of spatial distribution of carrier localization sites in ultrathin GaN/AlN quantum wells by spreading resistance microscopy
Sviridov D. E., Jmerik V. N., Rouvimov S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Narrow Excitonic Lines in Core–Shell Nanorods With InGaN/GaN Quantum Wells Intersected by Basal Stacking Faults
Evropeitsev E. A., Robin Y., Shubina T. V. и др., Physica Status Solidi (B): Basic Research 2019 Vol. 256 No. 6 P. 1–6
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Localization and transient emission properties in InGaN/GaN quantum wells of different polarities within core–shell nanorods
Robin Y., Evropeitsev E. A., Shubina T. V. и др., Nanoscale 2019 No. 1 P. 193–199
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору