Статья
Study of Wurtzite Crystal Phase Stabilization in Heterostructured Ga(As,P) Nanowires
В работе показана возможность создания на основе облученных тяжелыми ионами ядерных мембран методом матричного синтеза массива нанопроволок, состоящих из двух слоёв с различными магнитными свойствами. Отработана методика нанесения полупрозрачного (для терагерцового излучения) слоя на одной из сторон такого металло-полимерного композита. Показано, что при пропускании тока через такую структуру возможно возникновение нетеплового излучения, попадающего в терагерцовый диапазон. Изучены некоторые особенности генерации этого излучения.
A simple model of electrochemical growth of nanowires in the pores of anodic aluminum oxide (AAO) template is developed. The metal deposition is considered at various overpotentials. The model takes into consideration the ionic transfer both in the varying diffusion layer in the pores and in the diffusion layer above the template, which is determined by the external hydrodynamic conditions. The model takes into account the kinetics of electrochemical reaction by means of the Tafel equation and the diffusion transfer of metal cations both in the pores and in the outer diffusion layer. The analytical solution of the problem with several simplifications yields the equations for calculating the time dependence of current, the pore filling time, and other parameters of the process. An example of the application of the model for the analysis of nanowire growth in the template pores is compared with the experimental data showing good agreement.
The effects of varying the ammonia flux on the concentrations of background Si and free carriers and on deep traps for majority and minority carriers in n-GaP layers grown by vapour epitaxy have been studied by secondary ion mass spectrometry and deep level transient spectroscopy. The contribution from the background silicon to the free carrier concentration in samples variously doped with nitrogen is discussed. It is shown that the deep centre at Ec - 0.24 eV may be attributed to silicon. The model of this centre, in the form SiGa-Vp accounts for experimental results obtained in the present work and those already reported. The concentration of the dominant nonradiative recombination centre at EV + 0.75 eV is studied, depending on growth conditions, and its model is proposed in the form of a complex consisting of intrinsic defects.The effects of varying the ammonia flux on the concentrations of background Si and free carriers and on deep traps for majority and minority carriers in n-GaP layers grown by vapour epitaxy have been studied by secondary ion mass spectrometry and deep level transient spectroscopy. The contribution from the background silicon to the free carrier concentration in samples variously doped with nitrogen is discussed. It is shown that the deep centre at Ec - 0.24 eV may be attributed to silicon. The model of this centre, in the form SiGa-Vp accounts for experimental results obtained in the present work and those already reported. The concentration of the dominant nonradiative recombination centre at EV + 0.75 eV is studied, depending on growth conditions, and its model is proposed in the form of a complex consisting of intrinsic defects.
Пособие представляет собой лекции по вариационному исчислению. Предлагаемому курсу лекций соответствует сборник задач, который содержится в учебном пособии.
Конференции ИТНТ-2018 проводится с целью предоставления возможности научных дискуссий и обсуждения результатов фундаментальных и прикладных исследований в области информационных технологий и нанотехнологий, привлечения молодежи в сферу передовых научных исследований, обмена опытом научнообразовательной деятельности при подготовке ИТНТ-специалистов. Тематика Конференции ИТНТ-2018 охватывает широкий круг областей применения информационных технологий в науке и высокотехнологичных отраслях промышленности. Основными направлениями работы Конференции ИТНТ-2018 являются: • Компьютерная оптика и нанофотоника о дифракционная оптика; о планарные оптические структуры; о оптические системы формирования изображений; о гиперспектральные изображающие системы; о нанофотоника; о волоконная оптика; • Обработка изображений и дистанционное зондирование Земли о обработка и анализ данных дистанционного зондирования Земли; о цифровая обработка изображений; о анализ движения; о реконструкция сцены о обработка и анализ данных дистанционного зондирования Земли; о защита мультимедиа и встраивание информации; о геоинформатика; • Математическое моделирование физико-технических процессов и систем о математическое моделирование информационных процессов; о математическое моделирование физических процессов и явлений; о математическое моделирование технических систем • Наука о данных о анализ данных; о машинное обучение; о безопасность, криптография; о высокопроизводительные вычисления. Одним из приоритетных направлений работы Конференции ИТНТ-2018 является образовательный аспект, заключающийся в предоставлении студентам и молодым ученым возможности ознакомиться с новейшими научными достижениями по тематике Конференции, а также с уникальным научным оборудованием и лабораторной базой Самарского университета, используемой для реализации современных научных проектов. В рамках Конференции проводится Молодежная школа, где молодые ученые и студенты получат возможность повысить свой профессиональный уровень и опубликовать свои научные результаты, в том числе в изданиях CEUR Workshop Proceedings (индексируется в Scopus) и Journal of Physics: Conference Series (индексируется в Web of Science).
The conferences “Fundamental Problems of High Temperature Superconductivity” (FPS) have become traditional since the first one in 2004. The problem of high-temperature superconductivity remains highly topical: quite regularly, novel HTS materials come on stage (copper oxide high-Tc superconductors in 1986, magnesium diboride in 2001, iron pnictide and iron chalcogenide compounds in 2008, FeSe monolayers in 2012, and sulfur hydrides in 2014–2015). Achieving progressively higher superconducting transition temperatures remains an encouraging motivation for researchers in the field. Up to now, the highest Tc, 203 K, is achieved for H2S(H3S) pressurized at ∼ 2 Mbar. Nevertheless, a commonly accepted approach to the problem of high-temperature superconductivity is still missing.