• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Self-Induced MBE-grown InAsP Nanowires on Si Wafers for SWIR Applications
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
4 сентября 2026 г.
Сотрудники НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург разработали ИИ-инструмент для анализа человеческого поведения
Сотрудники и студенты НИУ ВШЭ совместно с экспертами из Санкт-Петербургского Федерального исследовательского центра РАН и Центра практического ИИ Сбера разработали нейросеть, способную одновременно распознавать эмоции, оценивать видимые черты личности и выявлять амбивалентность (неуверенность или противоречивость поведения). Результаты исследования опубликованы в журнале IEEE Access.
3 сентября 2026 г.
«Археолог - это следователь, опоздавший к месту преступления на тысячи лет»
Виктория Герасимова занимается краснолаковой керамикой, копает в Казахстане и играет в шахматы на городских площадках. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала об уникальности Боспорского царства, понтийской сигиллате и коте Матроскине — бизнесмене.
3 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ научили нейросеть превращать 3D-модели в готовые технологические карты
Исследователи Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ разработали систему CAD2TechSpec, которая автоматически превращает 3D-модели деталей в готовые технологические карты — пошаговые инструкции для станков. Разработка направлена на сокращение времени подготовки технической документации в машиностроении, авиастроении и других высокотехнологичных отраслях. Результаты исследованияо публикованы в журнале PeerJ Computer Science.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Self-Induced MBE-grown InAsP Nanowires on Si Wafers for SWIR Applications

Journal of Materials Chemistry C. 2025. Vol. 13. No. 12. P. 6063–6072.
Kaveev A., Fedorov V., Pavlov A., Miniv D., Kirilenko D., Надточий А. М., Goltaev A., Malenin A., Ustimenko R., Karaulov D., Vinnichenko M., Моисеев Э. И., Mukhin I.
Научное направление: Нанотехнологии Физика
Язык: английский
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: nanowiresMid-infrared emitterssemiconductor nanoheterostructuresInAsP
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов (2025)
Похожие публикации
Элементы теории топологических изоляторов
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Single-spin Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry of Zeeman-split states with strong spin-orbit interaction in a double quantum dot
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Controllable single-spin evolution at subharmonics of electric dipole spin resonance enhanced by four-level Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interference
Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Управление спиновой динамикой в двойной квантовой точке в условиях электрического дипольного спинового резонанса через перестраиваемое спин-орбитальное взаимодействие
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Broadband photoluminescence of epitaxial bismuth nanowires and planar nanostructures
Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells
Shugabaev T., Gridchin V., Ivan A. Melnichenko и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2025 Vol. 19 No. 4 Article 2400296
Добавлено: 15 ноября 2024 г.
Синтез и оптические свойства гибридных наноструктур на основе плазмонных наночастиц серебра и нитевидных нанокристаллов InGaN
Шугабаев Т., Гридчин В. О., Мельниченко И. А. и др., Journal of Optical Technology 2024 Т. 91 № 1 С. 3–13
Предмет исследования. Интеграция нитевидных нанокристаллов нитрида индия-галлия InGaN c серебряными наночастицами и исследование фотолюминесцентных свойств полученных гибридных наноструктур. Цель работы. Улучшение люминесцентных характеристик нитевидных нанокристаллов InGaN с помощью декорирования их поверхности коллоидными наночастицами серебра. Метод. Синтез серебряных наночастиц различных размеров и наночастиц со структурой ядро/оболочка серебро/оксид кремния осуществлялся методом коллоидной химии. Нитевидные нанокристаллы InGaN получены технологией молекулярно-пучковой эпитаксии. Морфология и ...
Добавлено: 18 октября 2024 г.
On the Growth of InGaN Nanowires by Molecular-Beam Epitaxy: Influence of the III/V Flux Ratio on the Structural and Optical Properties
Gridchin V. O., Komarov S. D., Soshnikov I. P. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2024 Vol. 18 No. 2 P. 408–412
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Исследование спектров отражения и пропускания массивов гетерогенных ферромагнитных нанопроволок в терагерцовом и дальнем инфракрасном диапазонах
Фомин Л. А., Загорский Д. Л., Чигарев С. Г. и др., Журнал технической физики 2022 Т. 92 № 8 С. 1142–1150
В диапазоне частот от 16 до 50 THz исследованы спектры пропускания, отражения и поглощения массивов гетерогенных нанопроволок из Ni/Co, FeNi/Co и Ni/Fe, выращенных в трековых полимерных мембранах гальваническим методом. Спектры поглощения показали, что доля мощности излучения, поглощаемая нанопроволоками, и его спектр зависят от материалов нанопроволок. Особенности спектров можно объяснить накоплением неравновесного спина за счет диффузии электронов и его ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Нанопроволоки из двух- и трехкомпонентных сплавов: корреляция структурных и магнитных свойств
Хайретдинова Д. Р., Долуденко И. М., Панина Л. В. и др., Физика твердого тела 2022 Т. 64 № 9 С. 1144–1152
Изучено несколько типов нанопроволок (НП) из сплавов различного состава, полученных методом матричного синтеза на основе трековых мембран. Подобраны электролиты для получения НП нужного состава. Контроль электроосаждения по хроноамперограммам позволил систематически изменять геометрические параметры и морфологию. Топографии полученных массивов НП и их элементный состав были изучены с помощью электронной микроскопии с рентгеноспектральным анализатором. Магнитные свойства образцов были исследованы на вибрационном ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Electrical properties arrays of intersecting of nanowires obtained in the pores of track membranes
I. M. Doludenko, Volchkov I. S., Turenko B. A. и др., Materials Chemistry and Physics 2022 Vol. 287 Article 126285
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Investigations of the transmission and reflection spectra of THz radiation of magnetic metallic nanowires
Fomin L. A., Krishtop V. G., Zhukova E. S. и др., Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 2022 No. 12157 P. 1–9
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Слоевые нанопроволоки co/cu и ni/cu: связь структуры и магнитных свойств
Долуденко И. М., Загорский Д. Л., Мельникова П. Д. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2022 № 6 С. 9–16
Методом матричного синтеза (гальваническое заполнение пор трековой мембраны) получены нанопроволоки Co/Cu и Ni/Cu со слоями металлов различной толщины. Подобраны электролиты и определены режимы электроосаждения. В случае кобальтовых нанопроволок толщины слоев изменялись в пределах от 25 до 400 нм, в случае никелевых были получены образцы с тонкими слоями – от 7 до 15 нм. Проведены электронно-микроскопические исследования, выявившие ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Слоевые нанопроволоки: синтез, микроскопия и применение для генерации ТГц-излучения
Загорский Д. Л., Долуденко И. М., Чигарев С. Г. и др., Известия РАН. Серия физическая 2021 Т. 85 № 8 С. 1102–1108
Методом матричного синтеза получены массивы нанопроволок из чередующихся слоев различных ферромагнитных металлов для создания генератора электромагнитного излучения терагерцовой частоты. Предложен способ вывода излучения за счет формирования несплошных контактов в виде чередующихся полос, показана нетепловая природа сигнала. Изучено угловое распределение интенсивности сигнала. Показано, что излучение направлено во все стороны, однако имеется достаточно выраженный максимум интенсивности, направленный перпендикулярно плоскости пленки. Сделана ...
Добавлено: 1 декабря 2023 г.
Агломерация ансамблей серебряных нанопроволок, полученных методом шаблонного синтеза
Ковалец Н. П., Кожина Е. П., Долуденко И. М. и др., Известия РАН. Серия физическая 2021 Т. 85 № 8 С. 1097–1101
Методом шаблонного синтеза могут быть могут быть изготовлены массивы нанопроволок для использования в качестве активных подложек для спектроскопии гигантского комбинационного рассеяния. При высыхании подложек в процессе изготовления нанопроволоки на поверхности агломерируют. При определенной высоте нанопроволок происходит слипание только их концов, что необходимо для эффективного формирования горячих точек на подложках для спектроскопии гигантского комбинационного рассеяния. Слипание на ...
Добавлено: 1 декабря 2023 г.
Исследование локальных полей дендритных наноструктур в горячих точках на подложках для гигантского комбинационного рассеяния, изготовленных методом шаблонного синтеза
Кожина Е. П., Андреев С. Н., Тараканов В. П. и др., Известия РАН. Серия физическая 2020 Т. 84 № 12 С. 1723–1726
Метод шаблонного синтеза с использованием йодистого электролита на трековых мембранах адоптирован для изготовления подложек с дендритными наноструктурами, образующимися на вершинах серебряных нанопроволок. Ответвления дендритов представляют собой наночастицы в форме ромба, было Выполнено моделирование распределения электромагнитного поля вблизи ответвлений дендритов, представляющих собой наночастицы серебра в ромбовидной формы, при их лазерном облучении. Результаты расчетов показали значительное локальное усиление ...
Добавлено: 1 декабря 2023 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору