• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Снижение переходного сопротивления омических контактов к высокоомным полупроводникам с помощью оптического излучения

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Белов А. Г.

Предпринята попытка снизить переходное сопротивление омических контактов к высокоомным полупроводникам (таким, как теллурид кадмия и полуизолирующий арсенид галлия) путем создания в зоне контакта повышенной концентрации свободных носителей заряда за счет оптической стимуляции. В работе предложены и опробованы различные варианты конструкции таких контактов. Показано, что с помощью освещения удается снизить общее сопротивление двухполюсника на порядки, что однозначно указывают на снижение переходного сопротивления контактов при освещении.