Room temperature microlasers based on quasi-planar geometry

Babichev A. V.; Kovach Y. N.; A. Dragunova; I. Makhov; N. Kryzhanovskaya

doi:10.18721/JPM.191.116

Публикации

?

Room temperature microlasers based on quasi-planar geometry

St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2026. Vol. 19. No. 1.1. P. 98–104.

Babichev A. V., Kovach Y. N., Драгунова А. С., Махов И. С., Крыжановская Н. В.

Научное направление: Физика

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: InGaAs gallium arsenide Keywords: molecular-beam epitaxy Stransky-Krastanow growth mode micropillar cavity

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов (2025)

Molecular dynamics and machine learning insights into oil-brine interfacial tension: Uncovering roles of dissolved gases and salinity

Nikitiuk B., Lenev D., Писарев В. В. и др., Journal of Colloid and Interface Science 2026 Vol. 718 Article 140444

Добавлено: 28 октября 2026 г.

Predicting multi-component oil viscosity using machine learning methods

Deshchenya V., Nikolay D. Kondratyuk, Sivakova A. и др., Chemical Engineering Sciences 2027 Vol. 337 Article 124616

Добавлено: 28 октября 2026 г.

PARSE: Physical attribute representativity and stationarity evaluator open-source library for 3D images using scalar and vector metrics

Zubov A., Zubov A., Малявко, Я. и др., Computer Physics Communications 2025 Vol. 317 Article 109860

Добавлено: 28 октября 2026 г.

From frozen Coulomb decoherence to thermalization: Classical and quantum density-matrix routes to Balescu–Lenard and Landau kinetics

Будков Ю. А., Annals of Physics 2026 Vol. 495 No. 3 Article 170796

Добавлено: 26 октября 2026 г.

On non-Abelian waves repeatedly changing sign at constant phases

Alexander S. Rabinowitch, International Journal of Modern Physics A 2026 Vol. 41 No. 30 Article 2650168

Добавлено: 26 октября 2026 г.

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 23 октября 2026 г.

Stress tensor in fundamental measure theory of hard-sphere fluids: A thermomechanical approach

Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16 Article 164108

Добавлено: 22 октября 2026 г.

Отсутствие отражения фонон-поляритона от края металлической маски на поверхности SiC

Ивченко В. С., Иевлева В. А., Матиенко Д. А. и др., Журнал технической физики 2026 № 9 С. 1738–1749

Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Исследование движения сферического фронта клеток в вязком матриксе: роль клеточных делений и взаимодействия клеток с матриксом при развитии опухолей

Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75

Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате, состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 19 октября 2026 г.

Phase Transitions in the Ni2.14Mn0.81Fe0.05Ga Heusler Alloy under the Influence of a Magnetic Fild and Hydrostatic Pressure

Смерчанский П. С., Koledov V. V., Kamantsev A. P. и др., Physics of Metals and Metallography 2026 Vol. 127 No. 6-7 P. 689–693

Добавлено: 19 октября 2026 г.

Structure and conformational dynamics of formamide molecule in the ground and lowest excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of N-methylformamide in ground S0 and excited S1 and T1 electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of acetamide in the ground and lowest excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of N-methylacetamide molecule in the ground and excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Ground state geometry of PPV oligomers

Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Effects of π-spacer and fluorine loading on the optoelectronic and photovoltaic properties of (X-DADAD)n benzodithiophene-based conjugated polymers

Тукачев Н. В., Akkuratov A., Kuznetsov I. и др., Synthetic Metals 2020 Vol. 259 Article 116231

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Toward probing of the local electron–phonon interaction in small-molecule organic semiconductors with Raman spectroscopy

Тукачев Н. В., Nuraliev M., Parashchuk O. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 17 Article 174303

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Impact of the acceptor units on optoelectronic and photovoltaic properties of (XDADAD)n-type copolymers:computational and experimental study

Тукачев Н. В., Klimovich I., Prudnov F. и др., Dyes and Pigments 2021 Vol. 185 Article 108899

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Suppression of dynamic disorder by electrostatic interactions in structurally close organic semiconductors

Тукачев Н. В., Sosorev A., Parashchuk O. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 29 P. 15485–15491

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237

Добавлено: 14 мая 2025 г.

Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 1002–1010

Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии ...

Добавлено: 1 ноября 2024 г.

Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 2 С. 218–222

Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива ...

Добавлено: 3 июня 2024 г.

Comparative Analysis of InGaAs/GaAs Quantum Dots Produced by Various Epitaxial Techniques

Babichev A., Sergey D. Komarov, Tkach J. и др., , in: 2022 International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech) Proceedings.: St. Petersburg: IEEE, 2022. P. 253–256.

Добавлено: 31 мая 2024 г.