?
Wave propagation over a non-reflective profile of limited depth
Wave Motion. 2024. Vol. 130. Article 103380.
Non-reflective wave propagation is of great importance for applications because it allows energy to be transmitted over long distances. The paper discusses the method of reducing the equations of the linear theory of shallow water to a wave equation with a variable coefficient in the form of an inverse hyperbolic sine, the solution of which is represented as a composition of traveling waves. Thanks to this, a new non-reflective bottom profile has been obtained, which reaches a constant at infinity. Wave behavior on the shore is discussed, as well as the conditions under which the wave field remains finite on it. A detailed analysis of the obtained exact solution to the shallow water equations is given in the paper.
Смирнов С. В., Миллионщиков Д. В., Уфимский математический журнал 2021 Т. 13 № 2 С. 44–73
В данной работе изучаются характеристические алгебры для систем экспоненциального типа, соответствующих вырожденным матрицам Картана. Эти системы обобщают хорошо известные в теории интегрируемых систем гиперболические уравнения синус-Гордон и Цицейки. Для таких систем, соответствующих матрицам Картана ранга 2, характеристические алгебры описаны явно в терминах образующих и соотношений, и доказано, что они имеют линейный рост. Исследуется связь между ...
Добавлено: 11 сентября 2026 г.
Смирнов С. В., Glasgow Mathematical Journal 2026 Vol. 68 No. 2 P. 299–316
Добавлено: 11 сентября 2026 г.
Смирнов С. В., Journal of Physics A: Mathematical and Theoretical 2023 Vol. 56 No. 26 Article 265204
Добавлено: 11 сентября 2026 г.
Энатская Н. Ю., Труды Карельского научного центра РАН. Серия 10: Математическое моделирование и информационные технологии 2026 № 6 С. 132–138
В схемах S размещения r частиц по n различимым ячейкам изучаются их размещения в выделенных m ячейках – схем S∗, для которых проводится анализ новым перечислительным методом (ПМ) по расширенным направлениям перечислительной комбинаторики: нахождения числа исходов и на основе построения модели их бесповторного нумерованного перечисления – решения для них задачи нумерации в прямой и обратной ...
Добавлено: 11 сентября 2026 г.
Энатская Н. Ю., Труды Карельского научного центра РАН. Серия 10: Математическое моделирование и информационные технологии 2026 № 6 С. 139–147
Рассматриваемый класс схем размещения частиц по ячейкам характеризуется введением верхнего ограничения уровней заполнения ячеек с его обязательным достижением хотя бы в одной ячейке каждого исхода каждой схемы. Схемы различаются между собой парными качествами составляющих их элементов (ячеек и частиц) по их различимостям. Из направлений исследования схем выделяются представляющие наибольший интерес по нестандартным приемам доасимптотического анализа ...
Добавлено: 11 сентября 2026 г.
Подиновский В. В., Нелюбин А. П., Автоматика и телемеханика 2026 № 8 С. 110–123
Для многокритериальных задач принятия решений по аналогии с качественной вероятностью введены понятия полной и частичной качественной важности как бинарных отношений, обладающих постулируемыми
свойствами. Предложено новое определение отношения нестрогого предпочтения на множестве вариантов решений, порождаемое качественной
важностью. Исследованы его свойства. Указаны аналитические правила,
позволяющие попарно сравнивать варианты по предпочтительности. Проведено сравнение новых отношений предпочтения с разработанными ранее для задач, ...
Добавлено: 9 сентября 2026 г.
Подиновский В. В., Нелюбин А. П., Автоматика и телемеханика 2026 № 7 С. 113–126
Рассматриваются задачи принятия решений, когда предпочтения оцениваются в порядковой шкале, а возможности реализации значений
неопределенного фактора описываются качественной вероятностью (полной или только частичной). Вводятся определения отношений предпочтения и безразличий на множестве стратегий. Предлагаются простые
решающие правила, позволяющие сравнивать стратегии по предпочтительности, и приводятся иллюстративные примеры. ...
Добавлено: 9 сентября 2026 г.
Chemical Papers 2026
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Александров А. А., Глуцюк А. А., Journal of Differential Equations 2026 Vol. 465 Article 114178
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Prikhodko Artem, Kubrak D., Compositio Mathematica 2026 Vol. 162 No. 6 P. 1377–1438
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Кучерявый П. А., Математические заметки 2026 Т. 2026 № 120 С. 380–401
В работе изучаются перестановки, возникающие при упорядочивании по возрастанию дробных долей произведений элементов фиксированной целочисленной последовательности на вещественный параметр. Исследуется количество различных перестановок, которые можно получить таким образом при изменении этого параметра от нуля до единицы. ...
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Лерман Л. М., Russian Journal of Nonlinear Dynamics 2025 Vol. 21 No. 1 P. 15 – 31
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Злотник А. А., Журнал вычислительной математики и математической физики 2025 Т. 65 № 2 С. 140–149
Изучается трехслойный по времени билинейный метод конечных элементов с весом для начально-краевой задачи для одномерного волнового уравнения. Дается вывод оценок погрешности снизу порядков $(h + τ )^{2λ/3}$, 0 ⩽ λ ⩽ 3 в нормах $L^1$ и $W_h^{1,1}$. В них каждая из двух начальных функций или свободный член в уравнении принадлежат пространствам типа Гёльдера соответствующих порядков ...
Добавлено: 28 октября 2024 г.